Магнитный накопитель

Авторы патента:

G11C5/02 - Запоминающие устройства статического типа (накопление информации, основанное на относительном перемещении носителя записи и преобразователя G11B; полупроводниковые приборы для запоминающих устройств H01L, например H01L 27/108-H01L 27/115; импульсная техника вообще H03K, например электронные переключатели H03K 17/00)

G11C11/06 - с одним отверстием, например кольцевых сердечников; пластин с несколькими отверстиями, каждое из которых образует элемент памяти

О П И С А Н И Е 24439 У

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Сова Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства №

Кл, 21ат, 37/04

Заявлено 29.I I I.1968 (Эй 1227975/18-24) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 28Х,1969. Бюллетени ¹ 18

Дата опубликования описания 17.Х.1969

МПК G 11с

УДК 681.327.66(088.8) Комитет пс делам иаобретений и открытий дри Совете Министров

СССР

Авторы изобретения

И. В. Берг, Я. М. Беккер, М. Н. Максимов и Ю. В. Швалев

Заявитель

МАГНИТНЫЙ НАКОПИТЕЛЬ

Предмет изобретения

Известен магнитный накопитель, содержащий блок интегральных разрядных матриц памяти, заключенный в набор чередующихся контактных и промежуточных рамок.

Предложенный магнитный накопитель отли- 5 чается от известных тем, что рамки расположены в плоскости, перпендикулярной плоскости набора разрядных матриц памяти в блоке, причем разрядные обмотки каждой матрицы памяти выведены на противоположные 10 грани контактных рамок. Нечетные числовые обмотки выведены на третью грань, четные числовые обмотки вЂ” на четвертую, а начала и концы каждой числовой обмотки выведены на общую грань соседних контактных рамок 15 и расположены друг под другом.

Это отличие позволяет повысить надежность и упростить коммутацию при наращивании емкости накопителя.

На фиг. 1 и 2 представлена конструкция 20 магнитного накопителя.

Магнитный накопитель представляет собой блок разрядных многоотверстных интегральных матриц памяти 1, прошитых числовыми обмотками 2. Начала 8 и концы 4 числовых 25 обмоток выведены на одну из двух сторон блока матриц и расположены строго одни под другими.

Для удобства монтажа и возможности разМещения большого количества контактов 30 внешней коммутации матрицы памяти в блоке располагаются последовательно повернутым и одна относительно другой на 180 . Это увеличивает шаг между выводами разрядных обмоток 5 и обеспечивает возможность их расположения на двух взаимно противоположных гранях. Начала б разрядных обмоток выведены на одну грань блока матриц, концы 7 вЂ” на другую.

Блок матриц ограничен со всех сторон предохранительными платами 8 и замыкается контактным и рамкам и 9 и промежуточной рамкой 10.

Промежуточные 10 и контактные 9 рамки охватывают весь накопитель и их плоскости перпендикулярны плоскости м атриц памяти.

Промежуточная рамка играет роль крепления блока матриц памяти и изолирует контактные рамки друг от друга. Магнитный накопитель залит герметизирующим компаундом и закрыт крышками 11.

Магнитный накопитель, содержащий блок интегральных разрядных матриц памяти, заключенный в набор чередующихся контактных и промежуточных рамок, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности ц

244397 мг.2

Фиг. 1

Составитель А. А. Соколов

Редактор 5. С, Нанкина Техред Л. Я. Левина Корректоры: А. Абрамова и В. Петрова

Заказ 2578/11 Тираж 480 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, Центр, пр. Серова, д. 4

Типография, пр. Сапунова, 2 упрощения коммутации при наращивании емкости, рамки расположены в плоскости, перпендикулярной плоскости набора разрядных матриц памяти в блоке, причем разрядные обмотки каждой матрицы памяти выведены на противоположные грани контактных рамок, нечетные числовые обмотки выведены на третью грань, четные числовые обмотки на четвертую, а начала и концы каждой числовой обмотки выведены на общую грань соседних контактных рамок и расположены друг под другом.