Патент ссср 248848

 

Союз Саветсник

Сациалистичесиик

Республик

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

-1 !:

Зависимое от авт. свидетельства М

Заявлено 19.Х11.1967 (№ 1119943/26-25) с присоединением заявки ¹

Приоритет

Опубликовано 18. т/11,1969. Бюллетень М 24

Дата опубликования описания 19.XII.1969

1(л. 21g, 11/02

21е, 36/00

Комитет по делам изобретений и открытий при Саеете Министрае

СССР

МПК Н 01l (1 01г

УДК 621.314.224.8 (088.8) Автор изобретения ..". - 1 11ТКО, - z ; < I A g

l Б11ЫИОТЕКА

C. В. Ключанцев

Заявитель

СПОСОБ ЦИФРОВОГО ИЗМЕРЕНИЯ СТАТИЧЕСКОГО

КОЭФФИЦИЕНТА VCÈËÅHHß ТРАНЗИСТОРА ПО ТОКУ

Предлагаемьш способ предназначен для использования в электронной и радиотехнической промышленности и может быть применен при измерениях параметров полупроводниковых приборов как в процессе Нх производства, так и при выходном и входном контроле.

Известные способы измерения статического коэффициента усиления транзисторов по току

В„) имеют большие погрешности измерения из-за того, что не учитывается влияние входного сопротивления испытываемого транзистора, а также из-за использования схемы сравнения на основе усилителей постоянного тока, т. е. имеющих дрейф нуля.

Целью данного предложения является повышение точности измерения В„.

Сущность способа заключается в том, что устанавливают требуемую величину тока и напряжения коллектора испытываемого транзистора и запоминают ток базы. Затем вывод базы и эмиттера замыкают накоротко, а коллектор отключают от источника пигания. По-ле этого изменяют величину тока базы до величины, ранее запомненной, и производят отсчет в„по положению коммутатора.

На чертеже изображена схема измерения для осуществления предлагаемого способа (вариант) .

Схема содержит стабилизатор 1 напряжения, генератор 2 одпополярных импульсов напряжения, декадньш магазин 3 сопротивлеHIIII, коммутатор 4, формировате.ль 5 I QTIB, запоминающее устройство 6, схему 7 сравнения, фазовый дискриминатор 8, ПП1 — пспытуемьш транзистор 9, сопротивление коллекторной нагрузки R„, реле Рь сопротивление RII, определяющее нижнюю границу диапазона измерения.

В исходном положении величина сопрогпвленпя декадного магазина 8 в цепи питания базы испытываемого транзистора равна нулю.

После подачи команды «пуск» формироватедь кода б приводит в действие коммутатор 4, который включает сопротивления декадного магазина. Прп этом ток базы, а следовательно, и ток коллектора испытываемого транзистора уменьшается, Уменьшение тока коллектора будет происходить до тех пор, пока он не станет равным требуемому значению. 0TQ зафикси20 рует фазовый дискриминатор 8, который в момент переворота фазы импульсной составляющей коллекторного напряжения выдает импульс в формирователь кода и остановит коммутатор. Ток базы испытываемого транзистора в этот момент будет равен

1о = (1)

R0+ mR R„. где /о — ток базы испытываемого транзи30 стора; U> — амплитуда импульсов генератора

248848

2; Ru сопротивление, включенное в цепь базы последовательно с декадным магазином 3, определяющее нижнее значение предела измерения В„; R — наименьшая ступень сопротивления декадного магазина; m — целое положительное число от 1 до т, соответствует положению коммутатора в момент равенства тока и напряжения коллектора требуемым значением; R,„— входное сопротивление испытываемого транзистора.

По определению В„= ", учитывая равен1è ство (1), получим где I, — требуемый ток коллектора испытываемого транзистора.

В равенстве (2) неопределенной является

А„составляющая — R„, так как величина R„ 2 неодинакова у транзисторов одного типа, и тем более у транзисторов различных типов.

Поэтому при каждом измерении эту составляющую необходимо учитывать. Для этого величина напряжения, пропорциональная току базы, которая обеспечивает требуемые ток и напряжение коллектора испытываемого транзистора, запоминается запоминающим устройством б. Формирователь кода включает реле

PI, которое своими контактами Р»1 замыкает накоротко выводы базы и эмиттера испытываемого транзистора, контактами P» — вывод декадного магазина, подключенного ранее

«о входу запоминающего устройства б, переключает ко входу схемы 7,сравнения, к другому входу которой подключен выход запоминающего устройства, контактами Р»з отключает коллектор от источника питания.

После, включения реле Р1 формирователь 5 приводит в действие коммутатор 4, который переключает сопротивления магазина до тех пор, пока схема 7 сравнения выдает импульс в формирователь кода, последний остановит коммутатор. Это произойдет в тот момент, когда падение напряжения на декадном магазине, пропорциональное току, проходящему через него, станет равным напряжению, которое хранится в запоминающем устройстве, т. е. в момент, когда ток, проходящий через декадный магазин, станет равным току базы испытываемого транзистора, обеспечивающему гребуемые ток и напряжение коллектора испытываемого транзистора (1„=1, где 1„— ток, проходящий через декадный магазин).

Причем ток через магазин определяется следующим

1 2 (з)

5 Rp+ nR где и — целое положительное число от 1 до и соответствует положению коммутатора в момент достижения равенства 1„=1с, Исходя из указа нного равенства и уравнений (1) и (3), ток базы будет равен 2

16

1 о+ < а В„выразится следующим уравнением (4) Предмет изобретения

Способ цифрового измерения .статического коэффициента усиления транзистора по току в схеме с общим эмиттером с применением коммутатора декадного магазина сопротивле45 ний, устанавливаемого в цепи питания базы испытываемого транзистора, отличающийся тем, что, с целью повышения точности измерений, изменяют на 180 фазу импульсной составляющей коллекторного напряжения, при

50 этом запоминают величину тока базы, затем замыкают накоротко вывод базы с выводом эмиттера, а коллектор отключают от источника питания, изменяют величину тока, проходящего через магазин, до ранее запомненной, и

55 отсчитывают цифровые значения коэффициента усиления.

Как видно из уравнения (4), в полученном выражении исключена .неопределенность, так

20 как в него входит R,„.

Чтобы измерять В„при различных значениях тока коллектора испытываемого транзистора и сохранять цену деления по В„, необходимо поддерживать постоянным отношение

25 при изменении тока коллектора. Это осу 12 ществляется путем включения генератора 2 однополярных импульсов одновременно в цепь питания базы и последовательно со стабилизатором 1 напряжения — в цепь питания коллектора испытываемого транзистора, а также определением момента равенства тока и напряжения коллектора испытываемого транзистора при повороте фазы импульсной составляющей коллекторного напряжения на 180 .

Средняя погрешность измерений В„по предложенному способу составляет +- 0,5 /о.

248848

Составитель О. Б. Федюкина

Редактор Т. В. Данилова Текред 3. Н. Тараненко Корректор Л. В. Юшина

Заказ 3437/10 Тираж 480 Подписное

ЦНИИ!1И Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва Ж-35, Раушская наб., д. 4!5

Типография, пр, Сапунова, 2

Патент ссср 248848 Патент ссср 248848 Патент ссср 248848 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области контрольно-измерительной техники и может найти применение в электронной технике для измерения напряжений на диэлектрике и полупроводнике, а также их временного изменения в МДПДМ-структурах

Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)

Изобретение относится к электронике и при использовании позволяет повысить точность контроля заданной величины отрицательного дифференциального сопротивления за счет изменения соотношения глубины положительных и отрицательных обратных связей в элементе с регулируемыми напряжениями и токами включения и выключения

Изобретение относится к области электротехники и может быть использовано при конструировании и производстве тиристоров

Изобретение относится к радиационной испытательной технике и может быть использовано при проведении испытаний полупроводниковых приборов (ППП) и интегральных схем (ИС) на стойкость к воздействию импульсного ионизирующего излучения (ИИИ)

Изобретение относится к области измерения и контроля электрофизических параметров и может быть использовано для оценки качества технологического процесса при производстве твердотельных микросхем и приборов на основе МДП-структур

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения электрофизических параметров материалов, и может быть использовано для контроля качества полупроводниковых материалов, в частности полупроводниковых пластин

Изобретение относится к электроизмерительной технике и может быть использовано для контроля полярности выводов светодиодов

Изобретение относится к области теплового неразрушающего контроля силовой электротехники, в частности тиристоров тиристорных преобразователей, и предназначено для своевременного выявления дефектных тиристоров, используемых в тиристорных преобразователях, без вывода изделия в целом в специальный контрольный режим
Наверх