Кристаллизатор для обработки расплавленного кремния и способ его изготовления

Авторы патента:

 


Владельцы патента RU 2423558:

ВЕЗУВИУС КРУСИБЛ КОМПАНИ (US)

Изобретение относится к оборудованию для кристаллизации расплавленного кремния или металлургической обработки для получения кремния очень высокой чистоты. Кристаллизатор содержит основной корпус с поверхностью основания и боковыми стенками, образующими внутренний объем. В соответствии с настоящим изобретением основной корпус содержит, по меньшей мере, 65% по весу карбида кремния и от 12 до 30% по весу компонента, выбранного из группы, в которую входят диоксид или нитрид кремния. Более того, основной корпус содержит, по меньшей мере, одно покрытие из диоксида и/или нитрида кремния, по меньшей мере, на поверхностях, образующих внутренний объем кристаллизатора. Использование в качестве основного компонента кристаллизатора карбида кремния, имеющего кристаллографическую фазу, которая не подвергается фазовому превращению при температурах обработки расплавленного кремния, позволяет решить проблему потери однородности передачи/отвода энергии, существующую в обычных кристаллизаторах. Кроме того, карбид кремния не имеет пластических фаз при этих температурах и, следовательно, не подвергается деформации. Благодаря этим отличным характеристикам такой кристаллизатор может быть использован несколько раз без какого-либо видимого ухудшения его физической целостности. 2 н. и 7 з.п. ф-лы, 1 табл.

 

Настоящее изобретение имеет отношение к кристаллизатору для обработки расплавленного кремния, к изготовлению такого кристаллизатора и к использованию такого кристаллизатора для обработки расплавленного кремния.

В настоящее время значительно возросла потребность в кремнии высокой чистоты. Получило широкое распространение использование кремния высокой чистоты для выработки фотогальванической энергии. Кроме того, текущий энергетический кризис усилил эту потребность.

Задачей настоящего изобретения является создание резервуара, который используют для обработки расплавленного кремния. Такой обработкой может быть кристаллизация кремния как при направленной кристаллизации, так и при вытягивании кристалла из расплавленной ванны. Обработкой также может быть металлургическая обработка, предназначенная для получения кремния очень высокой чистоты или одного из его сплавов. Таким образом, она может представлять собой металлургическую обработку сплавов или руд, задачей которой является устранение некоторых примесей.

Для применений такого типа, хорошо известно использование кристаллизаторов из кварца или на базе других материалов, главным образом образованных из диоксида кремния (см., например, документ DE-C-962868). В самом деле, так как основным компонентом кристаллизатора является кремний в виде одного из его оксидов, риск загрязнения другими химическими соединениями существенно снижается. Однако кварцевые кристаллизаторы имеют основной недостаток, связанный с их разъеданием расплавленным кремнием, в результате чего застывающий слиток кремния может приставать к стенкам кварцевого кристаллизатора. Так как кварц и кремний имеют различные коэффициенты теплового расширения, то могут возникать значительные механические напряжения, как внутри слитка, что приводит к дефектам кристаллизации, так и в стенках кристаллизатора, что приводит к растрескиванию кристаллизатора. Дополнительно, слиток кремния после застывания прочно пристает к стенкам кристаллизатора, так что практически невозможно извлечь слиток без разрушения кристаллизатора или по меньшей мере без его серьезного разрушения.

Известно также, что кварц и некоторые производные кремнезема подвержены изменениям кристаллографической фазы в ходе тепловых циклов. Эти изменения кристаллографической фазы создают очень высокие механические напряжения в стенках кристаллизатора. Дополнительно, они также могут вызывать изменения плотности стенки и, вслед за этим, теплопроводности стенки, что создает проблемы потери однородности передачи энергии к кремнию или отвода энергии от кремния. До настоящего времени, эта ключевая проблема не нашла своего решения в промышленном масштабе.

Более того, при температурах использования, кварц подвергается геометрическим изменениям. Этими геометрическими изменениями относительно трудно управлять, так как печь для обработки, в которой стоит резервуар с расплавленным кремнием, должна нагревать совершенно контролируемым образом все количество обрабатываемого кремния. Любая деформация стенки резервуара будет приводить к потере однородности передачи энергии к кремнию или отвода энергии от кремния, что увеличивает изменения геометрии слитка кремния во время кристаллизации.

Эта проблема может быть частично решена за счет упрочнения внешних стенок кварцевого кристаллизатора при помощи углеродных пластин, а более конкретно, при помощи графитовых пластин.

Такие углеродные пластины, а более конкретно, графитовые пластины широко используют во всех типах процессов, проводимых при высоких температурах, по причине их отличной стойкости к термическим напряжениям в течение достаточно длительных периодов времени. Например, графитовые кристаллизаторы используют для приема ванны германия при осуществлении процесса вытягивания кристалла по способу Чохральского. Однако до настоящего времени не удавалось использовать такие графитовые кристаллизаторы для обработки кремния, так как при высокой температуре ванна расплавленного кремния разъедает графитовые стенки кристаллизатора и образует карбид кремния, наличие которого несовместимо с требуемой чистотой. В соответствии с широко используемой технологией, указанной здесь выше, различные процессы обработки кремния при высокой температуре имеют место в кристаллизаторах из кварца или из других основанных на диоксиде кремния материалах, стенки которых усилены углеродными, а более конкретно, графитовыми пластинами.

Эта технология также не лишена проблем. Например, хорошо известно, что газовые фазы, расположенные рядом с ванной расплавленного кремния, влияют на образование равновесия между паром кремния, вытекающим из ванны расплавленного кремния, и атмосферой моноксида углерода, преобладающей в печи. Возникают реакции как на углероде или графите, так и в ванне расплавленного кремния, которые ведут к изменению физических и механических свойств.

Исходя из той же концепции, состоящей в том, чтобы избегать введения других компонентов кроме кремния, уже было предложено использовать кристаллизаторы из нитрида кремния. Так, например, в публикации WO-A1-2004/016835 описан кристаллизатор, главным образом образованный из нитрида кремния. Несмотря на то, что некоторые параметры этого кристаллизатора являются удовлетворительными, его цена делает его использование невозможным в настоящее время. Кроме того, имеются сообщения, что такие кристаллизаторы являются чувствительными к деформации при высокой температуре.

В связи с изложенным, задачей настоящего изобретения является создание резервуара для обработки расплавленного кремния, который не имел бы недостатков известных ранее устройств. В частности, было бы желательно использовать кристаллизатор несколько раз, при условии, что он не имеет никаких существенных ухудшений его физической целостности. Более того, характеристики теплопроводности такого кристаллизатора не должны изменяться в ходе его использования. Другими словами, материал кристаллизатора не должен быть чувствительным к деформации или к изменениям кристаллографической фазы. В конечном счете, необходимо, чтобы кристаллизатор не был источником загрязнения кремния.

Эти задачи могут быть решены при помощи кристаллизатора, выполненного в соответствии с настоящим изобретением. Такой кристаллизатор содержит основной корпус с поверхностью основания и боковыми стенками, образующими внутренний объем, главным образом образованными (по меньшей мере 65% по весу материала) из карбида кремния. Является совершенно удивительным, что кристаллизатор для обработки расплавленного кремния может быть изготовлен из материала, главным образом образованного из карбида кремния. В самом деле, до настоящего времени, специалисты избегали использовать карбид кремния, который считали источником проблем в любом процессе обработки расплавленного кремния.

Наоборот, заявитель показал, что кристаллизатор, имеющий основной корпус, главным образом состоящий из карбида кремния, не имеет недостатков, присущих обычным кристаллизаторам. В частности, тот факт, что основным компонентом основного корпуса является карбид кремния, имеющий хорошо определенную кристаллографическую фазу, которая не подвергается фазовому превращению при температурах обработки расплавленного кремния, позволяет решить проблему потери однородности передачи/отвода энергии, существующую в обычных кристаллизаторах.

Дополнительно, карбид кремния не имеет пластических фаз при этих температурах и, следовательно, не подвергается деформации.

Благодаря этим отличным характеристикам, такой кристаллизатор может быть повторно использован значительное число раз, в то время как обычные кристаллизаторы приходится заменять после каждого использования. Совершенно удивительно, что решение этой проблемы удалось получить за счет использования материала, который до этого считали источником проблем.

Материал, образующий основной корпус кристаллизатора, дополнительно содержит от 12 до 30% по весу одного или двух компонентов, выбранных из группы, в которую входят диоксид кремния или нитрид кремния. Остальную часть материала, образующего основной корпус, могут составлять до 13% по весу одного или нескольких других компонентов, таких как связующие материалы (химические, гидравлические или другие), агенты, регулирующие вязкость композиции до (ранее) формования и выдержки, и т.п.

Компоненты, выбранные из группы, в которую входят диоксид кремния и нитрид, могут быть введены как таковые в композицию, использованную для формования основного корпуса, или могут быть введены в виде металлического кремния, который будет окислен или азотирован во время выдержки кристаллизатора. Условия выдержки (состав азотирующей или окисляющей газовой среды) следует выбирать в соответствии с желательной композицией. Было обнаружено, что диоксид кремния также может оказывать влияние на текучесть композиции ранее формования и выдержки, а также связывающее действие, в частности, когда это соединение вводят в виде плавленого кварца. Совершенно очевидно, что в таком случае его учитывают только один раз (в содержании от 12 до 30% по весу одного или двух компонентов, выбранных из группы, в которую входят диоксид и нитрид кремния).

Другие регулирующие вязкость вещества также могут быть использованы для того, чтобы изменять характеристики кристаллизатора. Особенно предпочтительным является добавление мелких частиц химически активного оксида алюминия (с размерами, меньшими или равными 200 мкм), так как они позволяют изменять текучесть при формовании, а также работают как связующее при выдержке.

В качестве примеров других связующих, которые могут быть использованы, можно привести, например, органические смолы (оставляющие углеродистый остаток после отверждения), а также алюминат и/или силикат магния и кальция. В соответствии с предпочтительным вариантом, связующее образуют на месте нахождения (in situ) в виде связующего типа нитрида или диоксида кремния. Такое связующее легко может быть получено за счет регулирования параметров выдержки изделия, в частности, за счет регулирования газовой среды выдержки изделия.

Дополнительно было обнаружено, что целесообразно наносить на внутренние стенки кристаллизатора покрытие типа нитрида кремния, как это описано, например, в публикации WO-A1-2004053207 или в европейском патенте 05447224.6, или типа диоксида кремния или в комбинации с ним, как это описано, например, в европейском патенте 05076520 или в публикации WO-A1-2005/106084. Обычно покрытие оксидного типа используют для кристаллизации кремния в виде монокристалла, а покрытие нитридного типа используют для поликристаллической кристаллизации кремния. Следует иметь в виду, что покрытие может быть образовано в ходе выдержки сырого кристаллизатора, изготовленного из кремния (например, выдержка в азотирующей газовой среде позволяет получить поверхностное покрытие из нитрида кремния, в то время как выдержка в окисляющей газовой среде позволяет получить поверхностное покрытие из диоксида кремния).

В соответствии с настоящим изобретением основной корпус содержит связующее. Как уже было указано здесь выше, связующим может быть гидравлическое связующее (например, силикат или алюминат кальция), образующее композицию в виде цемента, химическое связующее (например, силикат магния) или не содержащее цемента связующее (например, гели, ортосиликаты и т.п.), а также химически-активное связующее (связывающее - углерод, действующее при азотирующей выдержке и т.п.).

Карбид кремния преимущественно используют при хорошо заданном гранулометрическом распределении. В частности, является предпочтительным образование фракции более крупных зерен из карбида кремния, так чтобы создать матрицу карбида кремния из крупных зерен, в которой могут находиться более мелкие зерна нитрида или диоксида кремния. Таким образом, большинство карбида кремния будет преимущественно образовано из зерен, имеющих размер больше чем 200 мкм, в то время как диоксид кремния, нитрид кремния и/или металлический кремний преимущественно вводят в виде зерен с размерами меньше чем 10 мкм.

Приведенные далее примеры поясняют различные варианты изобретения. В приведенной далее таблице приведены различные примеры материалов в соответствии с настоящим изобретением, образующих основной корпус кристаллизаторов для обработки расплавленного диоксида кремния. В этой таблице, в первой колонке указана природа компонентов, а в колонках от 2 до 13 указано весовое процентное содержание различных компонентов. Примеры А1, А2, С1, С2, Е1 и Е2 показывают различные варианты гидравлических связующих. Примеры A-F показывают различные варианты химических или химически активных связующих.

Кристаллизаторы были изготовлены из указанных материалов, а затем на их внутренние стенки было нанесено покрытие из нитрида или оксида кремния. Кристаллизация кремния одинакового качества была проведена в каждом из этих кристаллизаторов. Было обнаружено, что ни один из этих кристаллизаторов не получил повреждения в ходе кристаллизации кремния, так что их можно немедленно использовать повторно в другой операции кристаллизации, без какой-либо операции ремонта.

А1 А2 А В С1 С2 С D Е1 Е2 Е F
Карбид кремния 1-3 мм 25 25 25 25 20 20 20 20 25 25 25 22
0.2-1 мм 20 20 20 20 30 30 30 25 25 25 25 25
<025 мм 30 30 30 30 30 30 30 30 20 20 20 20
Всего карбида кремния 75 75 75 75 80 80 80 75 70 70 70 67
Нитрид кремния 17 15 17 10 15 8 18 25 10 25 17
Диоксид кремния 5 8 5 5 4 12 6 10
Всего нитрида и оксида 22 23 22 15 15 12 18 12 25 16 25 27
Оксид алюминия 1 2 8 3 9 2 11 3 2
Алюминат кальция 2 2 5 5 3 3
Оксид магния 1 2 2 1
Углерод 2 4 3
Всего других компонентов 3 2 3 10 5 8 2 13 5 14 5 6
Итого 100 100 100 100 100 100 100 100 100 100 100 100

1. Кристаллизатор для обработки расплавленного кремния, который содержит основной корпус с поверхностью основания и боковыми стенками, образующими внутренний объем, причем основной корпус содержит, по меньшей мере, 65% по весу карбида кремния, от 12 до 30% по весу компонента, выбранного из группы, в которую входят диоксид кремния или нитрид, при этом основной корпус имеет, по меньшей мере, одно покрытие из диоксида и/или нитрида кремния, по меньшей мере, на поверхностях, образующих внутренний объем кристаллизатора.

2. Кристаллизатор по п.1, в котором основной корпус дополнительно содержит до 13% по весу одного или нескольких компонентов, выбранных из группы, в которую входят углерод, оксид магния, оксид алюминия, силикат и/или алюминат кальция.

3. Кристаллизатор по п.1 или 2, в котором слой диоксида кремния находится между поверхностным покрытием и стенками поверхностей, образующих внутренний объем кристаллизатора.

4. Кристаллизатор по п.1, в котором слой диоксида кремния находится у поверхности стенок основного корпуса на стороне, противоположной стороне, образующей внутренний объем.

5. Кристаллизатор по п.1, в котором, по меньшей мере, 50% по весу частиц карбида кремния имеют размер больше чем 200 мкм.

6. Кристаллизатор по п.1, в котором частицы диоксида или нитрида кремния имеют размер меньше чем 10 мкм.

7. Способ изготовления кристаллизатора для обработки расплавленного кремния, имеющего основной корпус с поверхностью основания и боковыми стенками, образующими внутренний объем, причем основной корпус содержит, по меньшей мере, 65% по весу карбида кремния, от 12 до 30% по весу компонента, выбранного из группы, в которую входят диоксид или нитрид кремния, и имеет, по меньшей мере, одно покрытие из диоксида и/или нитрида кремния, по меньшей мере, на поверхностях, образующих внутренний объем кристаллизатора, причем указанный способ включает в себя следующие операции:
a) формование основного корпуса с поверхностью основания и боковыми стенками, образующими внутренний объем,
b) сушка основного корпуса,
c) выдержка основного корпуса и
d) формирование покрытия из диоксида и/или нитрида кремния, по меньшей мере, на поверхностях, образующих внутренний объем кристаллизатора.

8. Способ по п.7, в котором операции с) и d) проводят одновременно путем выдержки основного корпуса в окисляющей или азотирующей газовой среде.

9. Способ по п.7, в котором операция d) предусматривает нанесение покрытия ранее операции выдержки основного корпуса.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к тиглям для испарения алюминия в процессе молекулярно-пучковой эпитаксии. .

Изобретение относится к конструкциям индукционных тигельных печей для высокотемпературной переработки материалов и может быть использовано в металлургии, в процессах прокаливания твердых продуктов, в переработке твердых органических отходов, включая отходы тары и упаковки.

Изобретение относится к области металлургии, а именно к плавильному оборудованию для вакуумно-дуговых, плазменно-дуговых и электронно-лучевых печей. .

Изобретение относится к плавильному оборудованию, а именно к конструктивным элементам вакуумно-дуговых печей, плазменно-дуговых и электронно-лучевых печей, в конструкции которых используется водоохлаждаемый плавильный инструмент.
Изобретение относится к металлургии, а именно к изготовлению футеровки тигля индукционной печи для выплавки высокореакционных сплавов, например ферротитана повышенной чистоты.

Изобретение относится к металлургической отрасли промышленности, в частности к технологии изготовления футеровки индукционных печей для плавки высококачественных металлов и сплавов, и направлено на увеличение ресурса работы тиглей и плавильных печей в целом.

Изобретение относится к области машиностроения, оборудования для термической сварки. .

Изобретение относится к области металлургии, а именно к металлическим холодным тиглям, и может быть использовано для плавки алюмосиликатов и минералов. .

Изобретение относится к электрометаллургии, в частности к индукционным печам открытого типа, используемым в производстве черных и цветных металлов, в частности к печам небольшой мощности для плавки лома металлов.

Изобретение относится к плавильному оборудованию, а именно к конструктивным элементам вакуумно-дуговых гарнисажных печей, а также плазменно-дуговых и электронно-лучевых печей с холодным подом.

Изобретение относится к получению полупроводниковых материалов, преимущественно поликристаллического кремния, путем осаждения из газовой фазы на подогреваемые подложки и может быть использовано в реакторах с резистивным подогревом стержневых подложек и с верхним токоподводом.

Изобретение относится к получению поликристаллического кремния газофазным осаждением на нагретые подложки и может быть использовано для производства полупроводниковых материалов, солнечных элементов и в микроэлектронике.

Изобретение относится к производству полупроводниковых материалов, в частности к получению поликристаллического кремния осаждением на нагретые стержни-подложки в процессе водородного восстановления кремния из хлорсиланов.

Изобретение относится к области выращивания из расплава поликристаллических слоев кремния, а именно к способам нанесения тонких пленок кремния на подложку для изготовления солнечных элементов.

Изобретение относится к производству полупроводниковых материалов, в частности к получению исходного поликристалличсского кремния осаждением на нагретые стержни (основы) в процессе водородного восстановления хлорсиланов.

Изобретение относится к производству полупроводниковых материалов, в частности к получению исходного поликристаллического кремния осаждением на нагретые стержни (основы) в процессе водородного восстановления хлорсиланов.

Изобретение относится к области получения монокристаллов кремния. .
Наверх