Способ измерения времени жизни неосновных носителей заряда в кремнии


 


Владельцы патента RU 2484551:

Закрытое акционерное общество "ТЕЛЕКОМ-СТВ" (RU)

Изобретение относится к области измерительной техники, а именно к области неразрушающих методов контроля параметров полупроводниковых материалов с использованием зондирующего электромагнитного излучения и может быть использовано для определения времени жизни неосновных носителей заряда в кремниевых слитках. Изобретение обеспечивает увеличение производительности метода измерения времени жизни неосновных носителей заряда в процессе неразрушающего послойного исследования его распределения в слитках кремния. В способе измерения времени жизни неосновных носителей заряда в кремнии, включающем нагрев слитка кремния до температуры не менее 80°С, освещение торца слитка импульсным возбуждающим лучом L1 длиной волны λ1=1,15÷1,28 мкм и освещение боковой поверхности слитка зондирующим лучом L2 с длиной волны λ12≤6,0 мкм, пересечение лучей L1 и L2 внутри слитка, регистрацию прошедшего через слиток луча L2, измерение временной зависимости интенсивности прошедшего через слиток луча L2 с последующим определением времени жизни неосновных носителей заряда для координаты точки пересечения лучей L1 и L2 и сканирование объема слитка указанной областью пересечения и определение времени жизни неосновных носителей заряда для сканируемых областей. Освещение слитка лучом L1 осуществляют через плоскую фокусирующую линзу, плоский фокус луча L1 располагают в плоскости пересечения лучей L2, a сканирование объема слитка осуществляют областью пересечения лучей L2 с фокусом луча L1. 1 з.п. ф-лы, 1 ил.

 

Изобретение относится к области измерительной техники, а именно к области неразрушающего контроля параметров полупроводниковых материалов с использованием зондирующего электромагнитного излучения, и может быть использовано для определения времени жизни неосновных носителей заряда в кремниевых слитках.

Известен способ измерения времени жизни неосновных носителей заряда в кремнии, предусматривающий облучение поверхности кремния прямоугольными импульсами ИК-излучения длительностью Δt, регистрацию в цифровой форме сигнала поверхностной фото-ЭДС с использованием бесконтактного емкостного электрода и анализ фронтов импульсного сигнала [1]. Длительность импульса ИК-излучения Δt выбирают существенно больше длительности переднего фронта сигнала поверхностной фото-ЭДС, а время между импульсами - больше времени заднего фронта импульсного сигнала. Корректная регистрация амплитуды и формы импульса фото-ЭДС обеспечивается за счет постоянной времени измерительной цепи, которая должна быть больше полной длительности этого импульса.

Указанный способ имеет высокую точность (±2%), т.к. позволяет исключить погрешность, обусловленную зависимостью формы импульса поверхностной фото-ЭДС от интенсивности и длины волны ИК-излучения.

К недостаткам способа следует отнести невозможность измерения времени жизни неосновных носителей заряда на образцах толщиной более 4 мм и низкую, не менее 100 с на одно измерение, производительность.

Известен способ измерения времени жизни неосновных носителей заряда в кремнии, включающий облучение поверхности образца импульсным возбуждающим излучением с длиной волны λ1=0,51 мкм и зондирующим ИК-излучением с длиной волны λ2=3,39 мкм, сканирование поверхности образца зондирующим и возбуждающим излучением, регистрацию временной зависимости интенсивности отраженного от объекта зондирующего ИК-излучения и вычисление по измеренной временной зависимости времени жизни неосновных носителей заряда [2]. Длину волны возбуждающего излучения λ1=0,51 мкм, обеспечиваемую аргоновым лазером, выбирают из расчета близости к области спектра собственного поглощения кремния (λ≈1,2 мкм).

Длительность возбуждающих импульсов Δt≈25 мс выбирают из условия Δt>>τ, где τ - диапазон времени жизни неосновных носителей заряда в кремнии (τ=10-9÷10-3с).

К недостаткам способа следует отнести невозможность измерения времени жизни неосновных носителей заряда на образцах толщиной более 1 мм, а также невысокую точность и локальность, обусловленную сильным влиянием на объемную составляющую времени жизни неосновных носителей заряда эффекта поверхностной рекомбинации.

Наиболее близким по технической сущности и достигаемому результату является способ измерения времени жизни неосновных носителей заряда в кремнии, включающий полировку торцов слитка кремния, нагрев слитка до температуры не менее 80°С, освещение торца слитка импульсным возбуждающим излучением ИК-лазера с длиной волны λ1=1,15÷1,28 мкм, создающим избыточное количество неосновных носителей заряда, и освещение боковой поверхности слитка непрерывным зондирующим излучением лазера с длиной волны λ12≤6,0 мкм, осуществление пересечения областей возбуждающего и зондирующего излучения внутри слитка, регистрацию прошедшего через слиток зондирующего излучения, измерение временной зависимости интенсивности прошедшего через слиток зондирующего излучения с последующим определением времени жизни неосновных носителей заряда, после чего областью пересечения сканируют объем слитка и определяют время жизни неосновных носителей заряда для сканируемых областей [3]. В качестве основного источника зондирующего излучения был использован газовый (Не-Ne)-лазер с длиной волны λ2=3,39 мкм. Выбор газового (Не-Ne)-лазера в качестве источника зондирующего излучения был обусловлен тем, что он имеет большую (20-30 см) длину когерентности (то есть длину части луча, состоящей из фотонов с одинаковой энергией), его излучение имеет очень малый угол расходимости, высокую монохроматичность и частотную стабильность.

Указанная длина когерентности (20-30 см) как раз соответствует максимальным диаметрам кремниевых слитков, выращиваемых в промышленных масштабах для нужд микроэлектроники и фотовольтаики.

Нагрев слитка в процессе измерения до температуры не менее 80°С обеспечивает распространение импульсного возбуждающего излучения в кремнии на расстояния до 100 см. В этом случае вдоль траектории возбуждающего излучения происходит генерация избыточных носителей заряда, причем уровень генерации носителей оказывается сопоставимым между собой практически на всем протяжении следования возбуждающего излучения, а потери на поглощение избыточных носителей заряда незначительны.

Производительность измерений по данному способу составляет 5÷10 с на одно измерение. Следовательно, для контроля времени жизни неосновных носителей заряда хотя бы в одной точке вдоль оси слитка длиной 100 см (при локальности ~10 мм) требуется минимум 100 замеров, т.е. 500÷1000 с. Таким образом, основным недостатком данного способа является низкая производительность процесса измерений.

Задачей изобретения является увеличение производительности процесса измерения времени жизни неосновных носителей заряда в слитках кремния.

Это достигается тем, что в способе измерения времени жизни неосновных носителей заряда в кремнии, включающем нагрев слитка кремния до температуры не менее 80°С, освещение торца слитка импульсным возбуждающим лучом L1 с длиной волны λ1=1,15÷1,28 мкм и освещение боковой поверхности слитка зондирующим лучом L2 с длиной волны λ12≤6,0 мкм, пересечение лучей L1 и L2 внутри слитка, регистрацию прошедшего через слиток луча L2, измерение временнóй зависимости интенсивности прошедшего через слиток луча L2 с последующим определением времени жизни неосновных носителей заряда для координаты точки пересечения лучей L1 и L2 и сканирование объема слитка указанной областью пересечения и определение времени жизни неосновных носителей заряда для сканируемых областей, освещение слитка лучом L1 осуществляют через плоскую фокусирующую линзу, плоский фокус луча L1 располагают в плоскости пересечения лучей L2, а сканирование объема слитка осуществляют областью пересечения лучей L2 с фокусом луча L1.

При освещении боковой поверхности слитка не менее чем двумя лучами L2 производительность Способа возрастает пропорционально количеству лучей Z1.

В известных науке и технике решениях аналогичной задачи не обнаружено использование плоскосфокусированного в объеме кремниевого слитка импульсного возбуждающего ИК-луча с целью генерации избыточных носителей заряда в локальной области, концентрация которых модулирует проходящий через эту область один или несколько зондирующих ИК-лучей, что позволяет по спаду интенсивности прошедших через слиток зондирующих лучей определить величину времени жизни неосновных носителей заряда в области пересечения возбуждающего и зондирующего лучей.

При использовании для генерации носителей заряда в кремнии плоскосфокусированного импульсного возбуждающего излучения с длиной волны λ1=1,15÷1,28 мкм решаются две проблемы:

1) более чем на порядок возрастает концентрация генерируемых избыточных носителей заряда в фокусе луча L1, что позволяет (за счет увеличения интенсивности регистрируемого сигнала) в несколько раз увеличить точность и воспроизводимость результатов измерений.

2) отпадает необходимость в тщательной подготовке поверхностей слитка кремния перед измерениями, поскольку снижается влияние эффекта поверхностной рекомбинации на объемную составляющую времени жизни неосновных носителей заряда, что позволяет значительно увеличить достоверность регистрируемых сигналов;

3) при обеспечении пересечения плоского фокуса луча L1 с более чем одним зондирующим лучом L2 появляется возможность в единицу времени провести измерение времени жизни неосновных носителей заряда одновременно для нескольких областей слитка.

Параметры линзы обеспечивают уверенную фокусировку луча L1 в объеме слитка. Поскольку минимальное фокусное расстояние линзы FL1 должно быть не менее половины предельно возможной длины контролируемых кремниевых слитков, то величина FL1 не должна быть менее 300 мм (например, предельная длина квадратированных слитков, размещаемых в станке проволочной резки модели MWS-610SD с верхним расположением режущего механизма производства "TAKATORI" (Япония), составляет 270 мм). Этому критерию удовлетворяют сапфировые и германиевые линзы, серийно изготовляемые многими оптическими предприятиями.

Во-вторых, при значительно больших интенсивностях возбуждающего излучения существенно облегчаются процессы регистрации области пересечения 2 лучей L1 и L2 и дальнейшего управления сканированием этой областью объема слитка.

Новизна заявляемого изобретения обусловлена тем, что для достижения цели изобретения (увеличение производительности процесса измерения времени жизни неосновных носителей заряда в слитках кремния) используется плоскосфокусированный пучок импульсного возбуждающего излучения и более чем один луч непрерывного зондирующего излучения, что позволяет увеличить производительность способа.

Сущность способа поясняется фиг.1, где:

1 - квадратированный слиток кремния;

2 - луч импульсного возбуждающего излучения L1 от ИК-лазера с длиной волны λ1=1,15÷1,28 мкм;

3 - плоскофокусирующая линза;

4 - лучи непрерывного зондирующего излучения L2 от твердотельного лазера с длиной волны λ12≤6,0 мкм;

5 - прошедшие через слиток 1 лучи L2;

6 - плоскость прохождения лучей L2 через слиток 1;

7 - фокусируемый луч L1 в слитке 1;

8 - луч L1, сфокусированный в плоскости прохождения лучей L2 через слиток 1.

Пример конкретного выполнения

Установка для определения времени жизни неосновных носителей заряда в слитках кремния по заявляемому способу была смонтирована на испытательном стенде, имеющем прецизионные устройства горизонтального и вертикального перемещения габаритных объектов и стандартный набор датчиков и аппаратуры для регистрации и обработки ИК-сигналов, на станине которого дополнительно были размещены источник импульсного возбуждающего излучения (твердотельный иттербиевый лазер с длинной волны λ1=1,26 мкм и эффективностью ~82%) и плоская фокусирующая линза из германиия. В качестве линзы была использована специально изготовленная плосковыпуклая германиевая линза с фокусным расстоянием FL1=250 мм и радиусом кривизны R=750 мм.

В качестве источника непрерывного зондирующего ИК-излучения использовались три твердотельных (Fe2+:ZnSe)-лазера мощностью ~50 мВт, настроенных на непрерывный режим генерации излучения с длиной волны λ2=3,7 мкм. С целью предотвращения перегрева лазеров использовалась система охлаждения на базе элементов Пельтье.

В качестве объекта контроля использовался квадратированный монокристаллический слиток кремния марки КДБ-10 (111)-4°.

Размеры слитка составляли 175×175×600 мм.

Нагрев слитка до температуры ~80÷90°С осуществлялся локально вблизи плоского фокуса луча от иттербиевого лазера, для чего использовалась галогенная лампа со щелевым ИК-фильтром.

Сканирование областью пересечения плоского фокуса возбуждающего излучения с тремя лучами зондирующего излучения осуществлялось за счет вертикального перемещения слитка со скоростью 0,5 мм/с относительно неподвижно закрепленных возбуждающего и зондирующего лазеров.

Измерение времени жизни неосновных носителей заряда сначала проводились в 5 плоскостях слитка на расстоянии 50 мм друг от друга, после чего слиток переворачивали в горизонтальной плоскости на 180° и вновь проводили измерение в 5 плоскостях слитка на расстоянии 50 мм друг от друга. Таким образом, при данных параметрах плоскофокусирующей линзы, которые обеспечивали фокусировку возбуждающего луча только на половине длины слитка, слиток был проконтролирован по всей длине с шагом 50 мм.

Регистрация зондирующего излучения и обработка результатов регистрации осуществлялось по стандартной методике [4] с использованием стандартных средств обработки результатов.

Длительность единичного измерения, в результате которого осуществлялась достоверная регистрация координаты 3-х точек и определение величины времени жизни неосновных носителей заряда в этих точках, оказалось равной 1,5÷2,0 с.

Длительность контроля всего слитка с учетом подготовительных операций составила ~50 мин (с учетом длительности подготовительных операций: закрепление слитка на узле горизонтального перемещения установки, калибровка измерительной системы и поворот слитка на 180°).

В процессе измерения было обработано более чем 3000 координат.

Если бы контроль данного слитка проводился по способу-прототипу, на контроль 3000 координат потребовалось бы не менее 400 мин.

Таким образом, производительность заявляемого Способа оказывается в 8 раз выше, чем у способа-прототипа.

Точность измерений в данном примере составила ±3% и определена на основании анализа разброса и воспроизводимости результатов измерения одного и того же слитка после четырехкратного его измерения в аналогичных режимах, т.е. время жизни неосновных носителей заряда измерялась в каждой точке 4 раза. При этом слиток размещали на платформе установки измерения в другом (слиток переворачивали на 90° относительно его оси и осуществляли повторную калибровку измерительной системы).

Таким образом, заявляемый способ измерения времени жизни неосновных носителей заряда в слитках кремния характеризуется высокой (менее 2,0 с на одно измерение) производительностью, что обеспечивается за счет применения плоскосфокусированного импульсного возбуждающего ИК-излучения.

Источники информации

1. ASTM F 391-96. Standard Test Methods for Minority Carrier Diffusion Length in Extrinsic Semiconductors by Measurement of Steady-State Surface Photovoltage. Annual Book of ASTM Standard. V.10.05.

2. Патент РФ, МПК: H01L 21/66, №2006987 от 28.06.1991 г.

3. Патент РФ, МПК: H01L 21/66, №2178220 от 25.02.2000 г. - прототип.

4. А.Ф.Яремчук. Контроль качества кремниевых слитков Способом спада фотопроводимости. - Известия ВУЗов, сер. "Электроника", №6 (86), 2010, с.3-7.

1. Способ измерения времени жизни неосновных носителей заряда в кремнии, включающий нагрев слитка кремния до температуры не менее 80°С, освещение торца слитка импульсным возбуждающим лучом L1 длиной волны λ1=1,15÷1,28 мкм и освещение боковой поверхности слитка зондирующим лучом L2 с длиной волны λ12≤6,0 мкм, пересечение лучей L1 и L2 внутри слитка, регистрацию прошедшего через слиток луча L2, измерение временной зависимости интенсивности прошедшего через слиток луча L2 с последующим определением времени жизни неосновных носителей заряда для координаты точки пересечения лучей L1 и L2 и сканирование объема слитка указанной областью пересечения и определение времени жизни неосновных носителей заряда для сканируемых областей, отличающийся тем, что освещение слитка лучом L1 осуществляют через плоскую фокусирующую линзу, плоский фокус луча L1 располагают в плоскости пересечения лучей L2, а сканирование объема слитка осуществляют областью пересечения лучей L2 с фокусом луча L1.

2. Способ измерения времени жизни неосновных носителей заряда в кремнии по п.1, отличающийся тем, что освещение боковой поверхности слитка осуществляется не менее чем двумя лучами L2.



 

Похожие патенты:
Изобретение относится к аналитической химии, в частности к методам создания стандартных образцов химического состава наноматериалов. .

Изобретение относится к контрольно-испытательному оборудованию изделий электронной техники. .

Изобретение относится к технологии изготовления и способам тестирования матричных или линейных МОП мультиплексоров. .

Изобретение относится к способу определения температуры активной области полупроводниковых светоизлучающих диодов (СИД), который может быть использован для контроля качества СИД на всех этапах производства.
Изобретение относится к полупроводниковой микроэлектронике и может быть использовано при создании и многократном регулировании сопротивления металлических перемычек, соединяющих электроды твердотельных приборов, работа которых основана на полярнозависимом электромассопереносе в кремнии (ПЭМП).
Изобретение относится к области электронной техники и может быть использовано для контроля качества проводящих слоев и поверхностей полупроводниковых пленок, применяемых при изготовлении изделий микроэлектроники.

Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано для контроля надежности металлизации, а именно металлической разводки, при производстве интегральных микросхем.

Изобретение относится к области микроэлектроники, в частности к устройствам контроля и диагностики полупроводниковых изделий (ППИ), таких как диоды, транзисторы и интегральные схемы.

Изобретение относится к области измерительной техники, к измерению электрофизических параметров (ЭФП) полупроводниковых транзисторных структур и может быть использовано для оценки качества технологического процесса при производстве твердотельных микросхем и приборов на основе МДП.

Изобретение относится к области измерительной техники, а именно к области неразрушающих методов контроля параметров полупроводниковых материалов с использованием зондирующего электромагнитного излучения, и может быть использовано для определения времени жизни неосновных носителей заряда в кремниевых слитках

Изобретение относится к области измерительной техники, а именно к области неразрушающего контроля параметров полупроводниковых материалов, и может быть использовано для выявления и анализа структурных дефектов в кремниевых слитках перед разрезанием слитков на пластины

Изобретение относится к области измерений неоднородностей поверхностей гетероструктур

Изобретение относится к области диагностики полупроводниковых структур нанометрового размера и может быть использовано для обнаружения и классификации квантовых точек. Сущность изобретения: в способе обнаружения квантовых точек, расположенных на диагностируемом образце, образец пошагово сканируют по координатам XY с помощью электропроводящей нанометрового размера иглы с пикосекундным разрешением и производят анализ электродинамических характеристик. Анализ осуществляется следующим образом: электрически воздействуют стимулирующим прямоугольным импульсом на полупроводниковую квантовую точку, принимают аналоговый сигнал отклика, преобразуют его в дискретный сигнал, выделяют информационную часть отклика, идентифицируют ее на принадлежность заданному классу разброса динамических характеристик, осуществляют запоминание координат XY в память и выполняют отображение топологий обнаруженных квантовых точек с параметрами, входящими в заданные допусковые зоны. Изобретение обеспечивает повышение достоверности обнаружения квантовых точек. 2 н.п. ф-лы, 3 ил.

Изобретение относится к полупроводниковой микроэлектронике. Сущность изобретения: в способе диагностики полупроводниковых эпитаксиальных гетероструктур, включающем сканирование образца в условиях брэгговского отражения в пошаговом режиме, производимом путем изменения угла падения рентгеновского луча, использование рентгеновской однокристальной дифрактометрии с немонохроматическим, квазипараллельным пучком рентгеновских лучей и позиционно-чувствительным детектором, рентгеновскую трубку и детектор устанавливают относительно углового положения характеристического пика θ от одной из систем кристаллографических плоскостей гетероструктуры на угол θ1=θ±(0.5°÷4°), по отклонению положения интерференционного пика тормозного излучения на шкале детектора от угла падения рентгеновского луча определяют погрешность положения образца, с учетом полученной погрешности независимым перемещением устанавливают трубку в положение Δθ, при котором ось симметрии между трубкой и детектором перпендикулярна к выбранной системе кристаллографических плоскостей, при таком положении трубки проводят пошаговое сканирование в диапазоне углов, характеризующих выбранную систему кристаллографических плоскостей, независимым перемещением устанавливают трубку на угол Δθ1=Δθ±(0.2°÷1°), выводя максимум тормозного пика за границы характеристического пика, затем проводят пошаговое сканирование всех слоев гетероструктуры, оставляя неизменным угловое положение характеристического пика от системы кристаллографических плоскостей путем перемещения шкалы детектора, и определяют угловые положения пиков от всех слоев гетероструктуры. Техническим результатом изобретения является повышение разрешения и точности измерения углов Брэгга наблюдаемых максимумов интенсивности при исследовании широкозонных гетероструктур AlGaN/GaN и КНИ-структур с субмикронными и нанометровыми слоями и, следовательно, более точное определение фазового состава и свойств слоев, формирующих гетероструктуры. 1 табл., 5 ил.

Изобретение относится к области проектирования контактирующих устройств для бескорпусных электронных компонентов и микроплат для трехмерных сборок и может быть использовано при производстве интегральных схем для их функционального контроля и электротренировки (ЭТТ). Изобретение обеспечивает низкую стоимость операций функционального контроля и ЭТТ электронных компонентов. Сущность изобретения: контактирующее устройство выполняют в виде рамки с растянутой на ней гибкой печатной платой, имеющей выступ с внешним разъемом, на гибкой печатной плате ориентировано закреплены шаблоны, имеющие сквозные окна для размещения в них контролируемых электронных компонентов, на поверхности гибкой печатной платы проводники своими выступами образуют ламели с контактными зонами в соответствии с топологией контактных площадок контролируемых элементов, при этом суммарный зазор между окном шаблона и электронным компонентом не должен превышать расстояние между смежными ламелями, между основанием контактирующего устройства и гибкой печатной платой расположена эластичная прокладка, материал которой обладает свойством упругой деформации, электронные компоненты, размещенные в окнах шаблонов, со своей обратной стороны имеют тепловой контакт с теплоотводом, который одновременно служит механическим прижимом, на поверхности теплоотвода и рамки, контактирующих с гибкой печатной платой, нанесено электроизоляционное покрытие. 5 з.п. ф-лы, 8 ил.

Изобретение относится к области полупроводниковой фотоэлектроники - инфракрасным (ИК) фотодетекторам - и может быть использовано для контроля технологического процесса и материала. Способ измерения диффузионной длины неосновных носителей заряда в полупроводниках заключается в том, что в тестовой структуре, выполненной на общем базовом слое, на поверхности p-n или n-p переходов фотодиодов изготавливают контактные электроды, которые изолируют от базового слоя диэлектрическим слоем. Радиусы контактных электродов больше радиусов p-n или n-p переходов фотодиодов и имеют общую ось симметрии. На поверхности базового слоя изготавливают контакт. Освещение тестовой структуры осуществляют в спектральном диапазоне поглощения базового слоя, со стороны контактных электродов непрозрачных для потока ИК-излучения. Проводят измерение фототоков фотодиодов и вычисляют отношения фототоков двух фотодиодов в тестовой структуре. Осуществляют теоретически расчет фототоков разных фотодиодов тестовой структуры и построение графиков зависимости отношения фототоков фотодиодов от диффузионной длины неосновных носителей заряда. Найденные из измерений отношения фототоков сравнивают с теоретически рассчитанными по графикам и определяют величину диффузионной длины неосновных носителей заряда. Техническим результатом изобретения является повышение процента выхода годных матричных ИК-фотоприемников, упрощение способа и повышение его точности. Предлагается также тестовая структура для реализации способа. 2 н.п. ф-лы, 3 ил.

Изобретение относится к области испытаний сложно-функциональной аппаратуры. Сущность изобретения заключается в том, что используют трехпараметрическое распределение Вейбулла или доверительный интервал, внутренние границы которого (U - нижняя и V - верхняя) получают на основе обработки экспериментальных данных по облучению выборки размером n, внешние границы (U - нижняя и V - верхняя) задают из общих физических представлений, определяющими из которых является уровень отсутствия наблюдаемых критических изменений и незначительное, на 20-30%, превышение требований по стойкости объектов к воздействию ИИ, в выбранных границах (U, V) вводят экспериментально полученную интегральную функцию распределения нижних допустимых уровней стойкости к различным видам ИИ, определяют скорость изменения вероятности параметрических или функциональных отказов (интенсивность изменения параметрического ресурса), затем строят семейство графиков зависимости функции распределения F(U, x) от различных видов ионизирующих излучений (флюенса нейтронов (Fn); мощности дозы гамма-рентгеновского излучения (Pγ-X-Rey); полной поглощенной дозы (Dγ-X-Ray); флюенса тяжелых заряженных частиц (ТЗЧ) Фион; величины линейных потерь энергии (LET) (для аппаратуры, размещаемой на космическом аппарате (КА) и т.п.) при фиксированных значениях , по построенным графикам определяют уровень радиационной нагрузки , при котором вероятность отказа прибора составляет FCRIT, или ресурс сохранения работоспособности RСОХР=1-FCRIT. Технический результат - повышение достоверности определения стойкости электронных компонентов и блоков РЭА к воздействию ионизирующего излучения. 3 з.п. ф-лы, 13 ил., 2 табл.

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано для увеличения выхода годных при изготовлении высокоплотных электронных модулей. Сущность способа заключается в том, что при изготовлении высокоплотных электронных модулей на основе формирования встроенных пассивных элементов, прямого монтажа активных элементов (чипов) и послойного формирования межсоединений до изготовления и монтажа электронных модулей разрабатывают видоизменение схемы, которое предназначено только для ее тестируемости, а за счет технологических операций после формирования пассивных и монтажа активных элементов и перед формированием межсоединений проводят многофункциональный зондовый контроль работоспособности каждого элемента. Технический результат: расширение арсенала способов снижения стоимости изготовления высокоплотных электронных модулей, увеличение выхода годных. 7 ил.

Изобретение относится к области измерительной техники, а именно к неразрушающим методам контроля структурного совершенства эпитаксиальных слоев кремния, выращенных на диэлектрических подложках, и может быть использовано в технологии микроэлектроники для контроля качества эпитаксиальных слоев кремния в структурах «кремний на сапфире» (КНС). Изобретение обеспечивает высокую производительность измерений и достоверную оценку концентрации дефектов в объеме эпитаксиального слоя кремния на границе «кремний-сапфир». В способе контроля дефектности эпитаксиальных слоев кремния на диэлектрических подложках, включающем подготовку поверхности образца, воздействие излучением с длиной волны λ=380÷630 нм на образец, вращающийся вокруг вертикальной оси и перемещающийся в горизонтальном направлении относительно падающего излучения, регистрацию амплитуд регистрируемого сигнала, расчет относительной дефектности эпитаксиального слоя Nдеф и сравнение рассчитанного значения Nдеф с известным значением Nдеф (эт) эталона сравнения, воздействие на образец осуществляют импульсами длительностью τ1=50÷100 мкс и скважностью τ2=250÷500 мкс, в качестве регистрируемого сигнала используют амплитуду Uвых наведенной в эпитаксиальном слое кремния фотоЭДС, а относительную дефектность эпитаксиального слоя рассчитывают из соотношения: , где Uвых(min) - минимальное из зарегистрированных значений Uвых. 1 ил.
Наверх