Способ увеличения выхода годных при изготовлении высокоплотных электронных модулей



Способ увеличения выхода годных при изготовлении высокоплотных электронных модулей
Способ увеличения выхода годных при изготовлении высокоплотных электронных модулей
Способ увеличения выхода годных при изготовлении высокоплотных электронных модулей
Способ увеличения выхода годных при изготовлении высокоплотных электронных модулей
Способ увеличения выхода годных при изготовлении высокоплотных электронных модулей
Способ увеличения выхода годных при изготовлении высокоплотных электронных модулей
Способ увеличения выхода годных при изготовлении высокоплотных электронных модулей

 


Владельцы патента RU 2511007:

Открытое акционерное общество "Концерн радиостроения "Вега" (RU)

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано для увеличения выхода годных при изготовлении высокоплотных электронных модулей. Сущность способа заключается в том, что при изготовлении высокоплотных электронных модулей на основе формирования встроенных пассивных элементов, прямого монтажа активных элементов (чипов) и послойного формирования межсоединений до изготовления и монтажа электронных модулей разрабатывают видоизменение схемы, которое предназначено только для ее тестируемости, а за счет технологических операций после формирования пассивных и монтажа активных элементов и перед формированием межсоединений проводят многофункциональный зондовый контроль работоспособности каждого элемента. Технический результат: расширение арсенала способов снижения стоимости изготовления высокоплотных электронных модулей, увеличение выхода годных. 7 ил.

 

Область техники

Изобретение относится к электронике, а точнее к микроэлектронике.

Что такое выход годных в данном случае?

Выход годных - характеристика «качества технологического процесса, показывающая долю годных (недефектных) изделий в изготовленной партии (либо по групповой заготовке).

Выход годных, как правило, определяют как отношение количества годных изделий к общему объему партии (количеству изделий на групповой заготовке) и выражают в процентах. Обычно при этом учитываются т.н. годные изделия с первого прохода, т.е. не подвергавшиеся ремонту и восстановлению, однако в некоторых случаях выход годных с первого прохода выделяют как отдельную характеристику» (http:/www.elinform.ru/dictionary_262.htm).

Фактически увеличение выхода годных означает снижение стоимости электронных модулей.

Техническим результатом изобретения является расширение арсенала способов снижения стоимости изготовления высокоплотных электронных модулей.

Уровень техники

Обратимся к аналогам.

Один из путей снижения стоимости изготовления электронных модулей предложен в российском патенте 2133522 «Способ изготовления и контроля электронных компонентов».

«Способ изготовления и контроля электронных компонентов заключается в том, что множество кристаллов располагают в пресс-форме, ориентируясь на контактные площадки кристаллов и базовые элементы пресс-формы, изолируют все незащищенные поверхности кристаллов, кроме контактных площадок. Специфика способа заключается в том, что при расположении в пресс-форме кристаллы фиксируют между собой с образованием группового носителя, обеспечивая расположение лицевых поверхностей кристаллов в единой плоскости с одной из поверхностей группового носителя, при этом на эту плоскость наносят одновременно все проводники, необходимые для электротермотренировки и контроля, а также внешний разъем носителя. Одновременно с кристаллами в пресс-форму помещают групповую металлическую рамку, рамку фиксируют одновременно с кристаллами. Групповой носитель может быть также образован гибкой печатной платой, соединенной с жестким основанием. Техническим результатом изобретения является удешевление процессов электротермотренировки и финишного контроля, сокращение длительности технологического процесса сборки и контроля электронного компонента».

Другой путь - увеличение выхода годных за счет высокой надежности межсоединений (российский патент 2193259).

Также предлагается проектирование тестопригодности схем при их разработке.

«Проектирование тестопригодности схем при их разработке (Design-For-Testability, DFT) является ключевой и интегральной составляющей современного проектирования электронных схем и печатных плат. Ожидаемый уровень тестопригодности (в процентах покрытия тех или иных, заранее планируемых к тестированию, дефектов) обычно закладывается в технические требования новых разработок и подтверждается компьютерным моделированием тестопригодности еще до того, как начинается изготовление и монтаж печатных плат, узлов и систем. Правила тестопригодного проектирования <…> предполагают видоизменение топологии и/или связей между элементами схемы или даже добавление дополнительных элементов (внутрисхемных или наружных), которые могут никак не быть связаны с функционированием схемы и предназначены только лишь для обеспечения ее тестируемости» (http://www.jtag-test.ru/Solutions/DFT.php).

Этот способ и выбран за прототип.

Раскрытие изобретения

Выход годных при изготовлении электронных модулей является важнейшей характеристикой производства. При изготовлении высокоплотных, функционально и физически насыщенных электронных модулей (ВПЭМ) их работоспособность зависит от большого количества причин. Наиболее существенное влияние на увеличение выхода годных оказывает работоспособность пассивных элементов после их формирования и активных элементов после их монтажа. Традиционно применяют входной контроль работоспособности активных элементов в ограниченных условиях функционирования, промежуточный технологический контроль пассивных элементов и выходной контроль функционирования готового модуля вместе с испытаниями в рабочем диапазоне температур и других заданных условий. В результате на этапе выходного контроля лишь фиксируется неработоспособность ВПЭМ, обусловленная невозможностью предшествующего полноценного контроля элементов в диапазоне рабочих температур и других условий. Отсутствует возможность заранее, на начальных стадиях изготовления ВПЭМ, существенно повлиять на выход годных, обусловленный указанной проблемой.

Для решения проблемы предлагается изменить состав и последовательность операций изготовления ВПЭМ таким образом, чтобы работоспособность активных и пассивных элементов в рабочем диапазоне условий могла быть проконтролирована на начальной стадии изготовления. Тогда проведение остальных менее критичных операций изготовления ВПЭМ несущественно повлияет на выход годных. В результате выход годных ВПЭМ в основном будет определяться контролем на начальной стадии изготовления.

Для достижения цели предлагается в технологическом маршруте после формирования пассивных элементов и прямого монтажа активных элементов провести их герметизацию изоляционным компаундом, позволяющим защитить их от внешнего воздействия в диапазоне рабочих условий. Затем сформировать известными способами (фотолитографией, лазерной обработкой, металлизацией, планаризацией и др.) контактные выводы и перед последующим послойным формированием межсоединений проводить известными способами полнофункциональный зондовый контроль работоспособности каждого элемента в рабочем диапазоне температур и других внешних условий.

Чтобы это было возможным, проводят последовательно следующие технологические операции, иллюстрируемые фиг.1-7:

1. Несущественные операции.

2. Подготовка поверхности подложки.

3. Формирование встроеннных тонкопленочных элементов R, С, L, микрополосковых элементов и др. На фиг.1 в качестве примера показано сопротивление 1 и конденсатор 2 с диэлектриком 3 на подложке 4.

4. Выполнение прямого монтажа кристаллов интегральных схем (чипов) различных типов (СВЧ монолитные интегральные схемы, СБИС, микроэлектромеханические системы, системы на кристалле, силовые сборки, единичные полупроводниковые элементы, фотоприемники, пассивные элементы в «чип»-исполнении и др.). На фиг.2 к изображенному на фиг.1 добавлен чип 5.

5. Заливка сформированного на подложке набора элементов слоем изоляционного полимера выше уровня самого высокого элемента на величину технологического запаса, например известного фотополимера SU-8 на 5-50 мкм выше уровня поверхности кристаллов (полимер 6 на фиг.3).

6. Вскрытие областей контактов к залитым элементам, например, методом фотолитографии (область контакта 7 на фиг.4).

7. Заполнение металлизацией вскрытых окон в полимерном слое, например, вакуумным напылением и гальваническим доращиванием слоя меди на всю глубину вскрытых окон (металлизация 8 на фиг.5).

8. Планаризация (например, плоское шлифование и химико-механическое полирование) поверхности сформированного слоя до полного разделения всех контактов (фиг.6).

9. Очистка поверхности контактов для обеспечения их минимального омического сопротивления и электрических зондов на последующих операциях (фиг.6).

10. Выполнение полнофункционального контроля всех элементов путем помещения подложки на специализированный термозадающий держатель, последовательного присоединения измерительных зондов к контактам элементов и проведения комплекса требуемых измерений (на фиг.7 показаны измеритель сопротивления 9, измеритель емкости 10 и функциональный тестер 11).

11. Направление технологических модулей, успешно прошедших контроль, на последующие технологические операции и снятие с маршрута не прошедших контроль.

12. Несущественные операции.

Краткое описание чертежей

Фиг.1 иллюстрирует формирование встроенных тонкопленочных элементов.

Фиг.2 иллюстрирует выполнение прямого монтажа кристаллов интегральных схем (чипов) различных типов.

Фиг.3 иллюстрирует заливку сформированного на подложке набора элементов слоем изоляционного полимера.

Фиг.4 иллюстрирует вскрытие областей контактов к залитым элементам.

Фиг.5 иллюстрирует заполнение металлизацией вскрытых окон в полимерном слое.

Фиг.6 иллюстрирует планаризацию поверхности сформированного слоя до полного разделения всех контактов и очистку поверхности контактов.

Фиг.7 иллюстрирует выполнение полнофункционального контроля всех элементов.

Осуществление изобретения

На предприятии в течение 2 лет проводят зондовый контроль тестовых образцов в соответствии с описываемым способом на установке Sammit 12000 фирмы Agilent Technologies (USA). Это позволило повысить количество годных изделий после формирования многослойной коммутационной разводки в среднем на 27% за счет своевременной отбраковки полуфабрикатов на начальном этапе изготовления.

Способ увеличения выхода годных при изготовлении высокоплотных электронных модулей на основе формирования встроенных пассивных элементов, прямого монтажа активных элементов (чипов) и послойного формирования межсоединений, заключающийся в том, что еще до изготовления и монтажа электронных модулей разрабатывают видоизменение схемы, которое предназначено только для ее тестируемости, отличающийся тем, что позволяет за счет технологических операций после формирования пассивных и монтажа активных элементов и перед формированием межсоединений провести многофункциональный зондовый контроль работоспособности каждого элемента.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области испытаний сложно-функциональной аппаратуры. Сущность изобретения заключается в том, что используют трехпараметрическое распределение Вейбулла или доверительный интервал, внутренние границы которого (U - нижняя и V - верхняя) получают на основе обработки экспериментальных данных по облучению выборки размером n, внешние границы (U - нижняя и V - верхняя) задают из общих физических представлений, определяющими из которых является уровень отсутствия наблюдаемых критических изменений и незначительное, на 20-30%, превышение требований по стойкости объектов к воздействию ИИ, в выбранных границах (U, V) вводят экспериментально полученную интегральную функцию распределения нижних допустимых уровней стойкости к различным видам ИИ, определяют скорость изменения вероятности параметрических или функциональных отказов (интенсивность изменения параметрического ресурса), затем строят семейство графиков зависимости функции распределения F(U, x) от различных видов ионизирующих излучений (флюенса нейтронов (Fn); мощности дозы гамма-рентгеновского излучения (Pγ-X-Rey); полной поглощенной дозы (Dγ-X-Ray); флюенса тяжелых заряженных частиц (ТЗЧ) Фион; величины линейных потерь энергии (LET) (для аппаратуры, размещаемой на космическом аппарате (КА) и т.п.) при фиксированных значениях , по построенным графикам определяют уровень радиационной нагрузки , при котором вероятность отказа прибора составляет FCRIT, или ресурс сохранения работоспособности RСОХР=1-FCRIT.

Изобретение относится к области полупроводниковой фотоэлектроники - инфракрасным (ИК) фотодетекторам - и может быть использовано для контроля технологического процесса и материала.

Изобретение относится к области проектирования контактирующих устройств для бескорпусных электронных компонентов и микроплат для трехмерных сборок и может быть использовано при производстве интегральных схем для их функционального контроля и электротренировки (ЭТТ).

Изобретение относится к полупроводниковой микроэлектронике. Сущность изобретения: в способе диагностики полупроводниковых эпитаксиальных гетероструктур, включающем сканирование образца в условиях брэгговского отражения в пошаговом режиме, производимом путем изменения угла падения рентгеновского луча, использование рентгеновской однокристальной дифрактометрии с немонохроматическим, квазипараллельным пучком рентгеновских лучей и позиционно-чувствительным детектором, рентгеновскую трубку и детектор устанавливают относительно углового положения характеристического пика θ от одной из систем кристаллографических плоскостей гетероструктуры на угол θ1=θ±(0.5°÷4°), по отклонению положения интерференционного пика тормозного излучения на шкале детектора от угла падения рентгеновского луча определяют погрешность положения образца, с учетом полученной погрешности независимым перемещением устанавливают трубку в положение Δθ, при котором ось симметрии между трубкой и детектором перпендикулярна к выбранной системе кристаллографических плоскостей, при таком положении трубки проводят пошаговое сканирование в диапазоне углов, характеризующих выбранную систему кристаллографических плоскостей, независимым перемещением устанавливают трубку на угол Δθ1=Δθ±(0.2°÷1°), выводя максимум тормозного пика за границы характеристического пика, затем проводят пошаговое сканирование всех слоев гетероструктуры, оставляя неизменным угловое положение характеристического пика от системы кристаллографических плоскостей путем перемещения шкалы детектора, и определяют угловые положения пиков от всех слоев гетероструктуры.

Изобретение относится к области диагностики полупроводниковых структур нанометрового размера и может быть использовано для обнаружения и классификации квантовых точек.

Изобретение относится к области измерений неоднородностей поверхностей гетероструктур. .

Изобретение относится к области измерительной техники, а именно к области неразрушающего контроля параметров полупроводниковых материалов, и может быть использовано для выявления и анализа структурных дефектов в кремниевых слитках перед разрезанием слитков на пластины.

Изобретение относится к области измерительной техники, а именно к области неразрушающих методов контроля параметров полупроводниковых материалов с использованием зондирующего электромагнитного излучения, и может быть использовано для определения времени жизни неосновных носителей заряда в кремниевых слитках.

Изобретение относится к области измерительной техники, а именно к области неразрушающих методов контроля параметров полупроводниковых материалов с использованием зондирующего электромагнитного излучения и может быть использовано для определения времени жизни неосновных носителей заряда в кремниевых слитках.
Изобретение относится к аналитической химии, в частности к методам создания стандартных образцов химического состава наноматериалов. .

Изобретение относится к области измерительной техники, а именно к неразрушающим методам контроля структурного совершенства эпитаксиальных слоев кремния, выращенных на диэлектрических подложках, и может быть использовано в технологии микроэлектроники для контроля качества эпитаксиальных слоев кремния в структурах «кремний на сапфире» (КНС). Изобретение обеспечивает высокую производительность измерений и достоверную оценку концентрации дефектов в объеме эпитаксиального слоя кремния на границе «кремний-сапфир». В способе контроля дефектности эпитаксиальных слоев кремния на диэлектрических подложках, включающем подготовку поверхности образца, воздействие излучением с длиной волны λ=380÷630 нм на образец, вращающийся вокруг вертикальной оси и перемещающийся в горизонтальном направлении относительно падающего излучения, регистрацию амплитуд регистрируемого сигнала, расчет относительной дефектности эпитаксиального слоя Nдеф и сравнение рассчитанного значения Nдеф с известным значением Nдеф (эт) эталона сравнения, воздействие на образец осуществляют импульсами длительностью τ1=50÷100 мкс и скважностью τ2=250÷500 мкс, в качестве регистрируемого сигнала используют амплитуду Uвых наведенной в эпитаксиальном слое кремния фотоЭДС, а относительную дефектность эпитаксиального слоя рассчитывают из соотношения: , где Uвых(min) - минимальное из зарегистрированных значений Uвых. 1 ил.

Изобретение относится к контрольно-измерительной технике. Технический результат - расширение функциональных возможностей одновременного определения электропроводности и толщины полупроводниковых пластин и электропроводности и толщины тонких полупроводниковых эпитаксиальных слоев в структурах «полупроводниковый слой - полупроводниковая подложка». Способ определения электропроводности и толщины полупроводникового слоя включает облучение слоя электромагнитным излучением СВЧ-диапазона, измерение частотной зависимости коэффициента отражения электромагнитного излучения СВЧ-диапазона, согласно решению, используют одномерный волноводный СВЧ фотонный кристалл, в котором создают нарушение периодичности в виде измененной толщины центрального воздушного слоя. Предварительно помещают измеряемый полупроводниковый слой внутрь центрального слоя на заданном расстоянии от его границы, дополнительно измеряют частотную зависимость коэффициента прохождения электромагнитного излучения СВЧ-диапазона, затем помещают измеряемый полупроводниковый слой внутри центрального слоя на новом расстоянии от его границы или изменяют толщину центрального слоя, измеряют частотные зависимости коэффициента отражения и прохождения электромагнитного излучения СВЧ-диапазона, взаимодействующего с фотонным кристаллом, при новом положении исследуемой полупроводниковой структуры или при новом значении толщины центрального слоя, рассчитывают с помощью ЭВМ значения толщины и электропроводности, при которых теоретические частотные зависимости коэффициентов отражения и прохождения электромагнитного излучения, полученные при двух расстояниях от границы центрального слоя до исследуемой полупроводниковой структуры или при двух значениях толщины центрального слоя, наиболее близки к измеренным в этих положениях из решения системы уравнений. 8 ил.

Изобретение относится к способу выявления наличия дефектов в светодиодной структуре. Способ контроля качества светодиодной структуры заключается в регистрации излучения светодиодной структуры, обработке излучения для получения характеристик светодиодной структуры, на основе которых судят о качестве светодиодной структуры, при этом для каждой светодиодной структуры из партии изделий регистрируют спектр электролюминесценции, проводят построение зарегистрированного спектра в полулогарифмическом масштабе, разделяют коротковолновую область полученного спектра на участки, которые аппроксимируют определенной зависимостью, и выбирают аппроксимированные участки с максимальным и минимальным наклоном, определяют максимальную и минимальную температуры светодиодной структуры на выбранных участках, вычисляют среднее значение разницы температур, проводят сравнение значения разницы температур для каждой светодиодной структуры со средним, если значение разницы температур больше среднего, делают вывод о низком качестве структуры. Способ позволяет снизить его стоимость, использовать менее громоздкое и дорогое оборудование и определять качество корпусированных светодиодов, в том числе входящих в состав изделий на их основе. 4 ил., 2 табл.

Изобретение относится к устройствам, используемым для климатических испытаний полупроводниковых приборов при одновременном измерении их электрических параметров. Изобретение обеспечивает получение нормированных условий климатических испытаний электронных изделий путем равномерной подачи рециркуляционного воздуха на все полки термокамеры, что обеспечивает необходимую надежность электрических испытаний электронных изделий. Термокамера для испытания электронных изделий содержит корпус с рабочей камерой, вентилятор, установленный в рабочей камере между вытяжным и нагнетательным патрубками, узел очистки рециркуляционного воздуха, установленный в нагнетательном патрубке и выполненный в виде соосно соединенных суживающегося диффузора с винтообразными канавками на внутренней поверхности и расширяющегося сопла, в котором размещено осушивающее устройство в виде емкости, предназначенной для заполнения адсорбирующим веществом. На внутренней поверхности расширяющегося сопла выполнены винтообразные канавки, касательная которых имеет направление против хода часовой стрелки, а касательная винтообразных канавок на внутренней поверхности суживающегося диффузора имеет направление по ходу часовой стрелки. В корпусе в угловых соединениях вертикальных и горизонтальных элементов воздухопровода расположены завихрители, причем каждый завихритель выполнен в виде лопасти, торцевые поверхности которых повернуты на 90° относительно друг друга. 6 ил.

Изобретение относится к тестированию матричных БИС считывания и может быть использовано для определения координат скрытых дефектов типа утечек сток-исток, которые невозможно обнаружить до стыковки кристаллов БИС считывания и матрицы фоточувствительных элементов. На кремниевой пластине с годными БИС считывания вскрывают окна в защитном слое окисла к металлизированным площадкам истоков МОП транзисторов, наносят слой индия, формируют области индия в виде изолированных друг от друга полос, ориентированных в направлении, перпендикулярном стоковым шинам, которые закорачивают истоки МОП транзисторов между собой в каждой полосе. Проводят контроль функционирования мультиплексора с выявлением стоков со скрытыми дефектами путем закорачивания индиевых полос на подложку с последующим формированием индиевых микроконтактов. Производят поиск дефекта в пределах только той полосы, где зафиксирована утечка, тем самым уменьшается время определения координат дефекта, так как нет необходимости проверять все истоки, принадлежащие данной стоковой шине, в которой обнаружен дефект. 4 ил.
Изобретение относится к различным технологическим процессам, а именно к контролю электрических свойств алмазных пластин на промежуточных стадиях технологического процесса изготовления алмазных детекторов ионизирующих излучений. Сущность изобретения заключается в том, что способ контроля качества алмазных пластин, предназначенных для изготовления детекторов ионизирующих излучений, включает регистрацию люминесценции в двух полосах с максимумами при 420 нм и 520 нм, принятие решения об отнесении алмазной пластины к группе низковольтных детекторов при одновременном наблюдении двух полос люминесценции и принятие решения об отнесении алмазной пластины к группе высоковольтных детекторов при отсутствии свечения в полосе 520 нм и наличии свечения в полосе 420 нм, при этом измерение проводят при температуре, выбранной из интервала -40 ÷ -10°C, к алмазной пластине с электродами прикладывают электрическое поле и медленно повышают напряжение, одновременно регистрируют ток через пластину, при появлении скачка тока, сопровождаемого свечением в полосе с максимумом при 520 нм, делают вывод об отнесении алмазной пластины к группе низковольтных детекторов, при отсутствии свечения в полосе с максимумом при 520 нм делают вывод об отнесении алмазной пластины к группе высоковольтных детекторов. Технический результат - упрощение применяемого оборудования для контроля и уменьшение времени контроля.

Изобретение относится к контрольно-испытательному оборудованию изделий электронной техники, а именно к устройствам для сортировки на группы по вольт-амперным характеристикам (ВАХ) фотопреобразователей (ФП) в спутниках, и может быть использовано при производстве фотоэлектрических панелей. Устройство содержит вертикальный пенал для сортируемых ФП с механизмом выгрузки и подачи изделий по транспортирующему горизонтальному каналу в узел контактирования, солнечный имитатор, измеритель ВАХ, узел позиционирования в виде горизонтального поворотного диска с приемными гнездами для изделий, приемные вертикальные пеналы в количестве N групп сортировки и загрузочные толкатели для загрузки последних. Приемные пеналы выполнены с возможностью загрузки изделий снизу вверх, толкатели установлены оппозитно их входным отверстиям. Приемные сквозные гнезда выполнены в количестве N плюс одно для загрузки изделия на диск узла позиционирования. Узел позиционирования установлен между приемными пеналами и толкателями и снабжен приводом поворота с фиксированным шагом, равным углу 360°/(N+l). Технический результат - повышение производительности и сокращение брака за счет механических повреждений ФП. 2 ил.

Способ включает воздействие на кристалл исходного импульсного поляризованного немонохроматического излучения коротковолнового инфракрасного диапазона для получения исходного импульсного поляризованного излучения коротковолнового инфракрасного диапазона и импульсного поляризованного излучения гармоники видимого диапазона, выделение импульсного поляризованного излучения гармоники видимого диапазона, преобразование его в электрический сигнал, получение зависимости амплитуды электрического сигнала от длины волны импульсного поляризованного монохроматического излучения второй и суммарной гармоник, определение из нее длины волны 90-градусного синхронизма, по значению которого определяют мольное содержание Li2O в монокристалле LiNbO3. В качестве монокристалла LiNbO3 выбирают монокристалл в виде плоскопараллельной пластинки с кристаллографической осью Z, расположенной в плоскости входной грани кристалла, перпендикулярной оси оптической системы. Технический результат - повышение точности определения мольной доли Li2O в монокристалле LiNbO3 при низких значениях мольной доли Li2O и расширение функциональных возможностей. 3 ил.

Изобретение относится к области исследования материалов с помощью оптических средств, а также к технологии изготовления полупроводниковых приборов - для контроля водорода в материале при создании приборов и структур. В отношении образца с тестируемым материалом регистрируют спектр комбинационного рассеяния света в геометрии обратного рассеяния. Измерения проводят в диапазоне частот колебаний связей между атомами тестируемого твердотельного материала и связей между атомами тестируемого твердотельного материала и водорода. Когерентное излучение направляют на полупрозрачное зеркало, расположенное между образцом и спектрометром под углом, с возможностью подачи излучения от зеркала на образец в направлении нормали к поверхности тестируемого материала, а отраженного образцом излучения - на спектрометр. Падающее излучение линейно поляризовано. Поляризация рассеянного света совпадает с поляризаций падающего излучения. Используют излучение лазера видимого диапазона от 400 до 800 нм в непрерывном режиме, с мощностью, обеспечивающей отношение сигнал к шуму в спектрах комбинационного рассеяния света от 10 и более. При выборе образца с тестируемым материалом подложки из стекла или кремния с выполненным слоем диоксида кремния и нанесенным на нее слоем аморфного кремния с содержанием атомного водорода от 5 до 50%, толщиной от 30 до 1000 нм регистрируют спектр в диапазоне от 200 до 550 см-1 и от 1900 до 2200 см-1, соответственно, частот колебаний связей Si-Si и связей Si-H. За счет использования геометрии обратного рассеяния снимается ограничение в отношении ассортимента подложек и толщин слоев при получении данных для контроля водорода в твердотельном материале по концентрации и его состоянию как в отношении слоев или приборных структур, формирование которых закончено, так и непосредственно в процессе формирования. 4 з.п. ф-лы, 2 ил.
Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем, в частности к процессам обработки поверхности подложек для выявления дефектов линий скольжения. Изобретение позволяет получить однородную и ненарушенную поверхность подложек, снизить температуру и длительность процесса. Выявление линий скольжения проводится погружением подложек в травитель, состоящий из следующих компонентов: фтористоводородной кислоты, азотной кислоты и уксусной кислоты в объемных частях 3:6:3 при комнатной температуре, время травления - 90 секунд. В качестве оборудования используется металлографический микроскоп с увеличением от 40 до 200 крат. Количество дефектов линий скольжения составляет 25±5 шт./мм.
Наверх