Способ определения резонансных частот

Авторы патента:

G01R31/26 - испытание отдельных полупроводниковых приборов (измерение содержания примесей G01N)

2584á2 ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союа Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства №

Кл 21g, 11!02

Ъ;

Заявлено 19.VI.1968 (¹ 1248848/26-25) с присоединением заявки №

Приоритет

МПК Н 01l

Комитет ао делаю иэобретеиий и открытий ори Совете Мииистрав

СССР

УДК 621.382.032.27 (088.8) Опубликовано 3.Х||.1969. Бюллетень № 1 за 1970

Дата опубликования описания 29.IV.1970

СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ РЕЗОНАНСНЪ|Х ЧАСТОТ

МЕХАНИЧЕСКИХ КОЛЕБАНИЙ ЭЛЕМЕНТОВ КОНСТРУКЦИИ

ПОЛУПРОВОДНИКОВЪ|Х ПРИБОРОВ

Изобретение относится к способам измерения эксплуатационных характеристик полупроводниковых приборов.

В настоящее время резонансные ч астоты механических колебаний элементов конструкции полупроводниковых приборов определяют либо путем визуального наблюдения под микроскопом, либо с помощью датчика перемещений. В том и другом случае корпус испытуемого прибора вскрывают для обеспечения доступа к исследуемым элементам конструкциH и удаляют вязкий наполнитель (если oi1 имеется). Элементы конструкции полупроводникового прибора поочередно размещают в поле зрения микроскопа или в поле датчика. 15

При бор подвергают воздействию вибрации плавно изменяющейся частоты. При этом путем наблюдения амплитуды колебаний или амплитуды сигнала, поступающего с датчика, фиксируют увеличение амплитуды колебаний 20 в момент резонанса.

Недостатками указанных способов являются большая трудоемкость и сложность процесса измерения, обусловленные необходимостью вскрытия корпуса испытуемого прибора 25 с обязательным сохранением целостности внутренних элементов.

Следовательно, известные способы позволяют осуществлять выборочный контроль, поскольку измерения проводятся на отдельных 30 образцах приборов, которые становятся непригодными для дальнейшего применения.

Кроме тото, вскрытие корпуса полупроводникового прибора не всегда осуществимо и может приводить к искажению результатов измерений.

Цель изобретения вЂ” ускорить и удешевить способ определения резонансных частот механических колебаний различных элементов конструкции полупроводниковых приборов и, кроме того, исключить необходимость вскрытия корпуса испытуемого прибора. Для осуществления этого контролируют переменное электрическое напряжение на полупроводниковом приборе, подвергающемся воздействию вибрации плавно меняющейся частоты, и фиксируют частоты, на которых амплитуда напряжения возрастает.

В основу способа положен эффект резкого увеличения электрического напряжения на испытуемом полупроводниковом приборе при резонансе того или иного элемента конструкции.

Определение резонансных частот производится следующим образом.

Испытуемый полупроводниковый прибо 1 устанавливают на .вибростенде, подключают и электрической схеме, задающей электрический режим прибора и осуществляющей усиление и индикацию переменного электрического на258462

Предмет изобретения

Составитель Л. Б. Пирожников

Редактор Т, 3. Орловская Текред Л. Я. Левина Корректоры: Е. H. Миронова и Г П Шильчан

Заказ 852/7 Тираж 499 Подписное

Ц!1ИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва )К-35, Раушская нао, д. 4, 5

Типография, пр. Сапунова, 2 пряжения на приборе.,При,пл авном изменении частоты вибрации фиксируют частоты, на которых амплитуда переменного, напряжения на приборе .возрастает. Эти частоты являются резонансным и для каких-либо элементов конструкции испытуемого полупроводникового прибора.

Предложенный способ определения резонансных частот механических колебаний полупроводниковых,приборов применим для контроля всех полупроводниковых приборов без вскрытия их корпуса, что позволяет упростить, ускорить и удешевить измерение резонансных частот, а также повысить достоверность результатов измерения и сохранить прибор пригодным для последующего применения.

Способ определения резонансных частот механических колебаний элементов конструкции

5 полупроводниковых приборов, основанный на воздействии на них вибрации плавно меняющейся частоты, отличающийся тем, что, с целью ускорения и удешевления процесса определения резонансных частот, повышения до10 стоверности результатов измерения и сохранения испытуемых приборов в рабочем состоянии, производят фиксацию частот, на которых возрастает уровень переменного электрического напряжения на полупроводниковом при15 боре.

Похожие патенты:

Патент 251094 // 251094

Патент 248848 // 248848

Устройство для измерения параметров р—п-перехода // 244511

Импульсный мост для измерения электрических параметров р-п- перехода // 244503

Устройство для классификации полупроводниковых вентилей по величине обратного пробивногонапряжения // 241547

Устройство для измерения времени запираниятиристоров // 240533

Способ контроля качества изготовления элементов внутреннего люнгажа полупрозодниковьгх приборов // 238671

Патент 236671 // 236671

Способ измерения емкости туннельного диода // 236628

Цифровой измеритель статического коэффициента передачи тока транзисторов // 236564

Способ измерения падения напряжения на полупроводнике в мдпдм-структуре и устройство для его осуществления // 2101720

Изобретение относится к области контрольно-измерительной техники и может найти применение в электронной технике для измерения напряжений на диэлектрике и полупроводнике, а также их временного изменения в МДПДМ-структурах

Устройство для определения электрофизических параметров полупроводниковых пластин // 2101721

Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)

Способ контроля заданной величины отрицательного дифференциального сопротивления элементов с вольтамперной характеристикой s-типа и устройство для его осуществления // 2105989

Изобретение относится к электронике и при использовании позволяет повысить точность контроля заданной величины отрицательного дифференциального сопротивления за счет изменения соотношения глубины положительных и отрицательных обратных связей в элементе с регулируемыми напряжениями и токами включения и выключения

Устройство для определения качества изготовления тиристоров // 2112989

Изобретение относится к области электротехники и может быть использовано при конструировании и производстве тиристоров

Установка для испытаний на радиационную стойкость // 2112990

Изобретение относится к радиационной испытательной технике и может быть использовано при проведении испытаний полупроводниковых приборов (ППП) и интегральных схем (ИС) на стойкость к воздействию импульсного ионизирующего излучения (ИИИ)

Способ определения поверхностного изгиба зон полупроводника s в мдп-структуре // 2117956

Изобретение относится к области измерения и контроля электрофизических параметров и может быть использовано для оценки качества технологического процесса при производстве твердотельных микросхем и приборов на основе МДП-структур

Устройство и способ измерения поверхностного сопротивления полупроводниковых пластин // 2121732

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения электрофизических параметров материалов, и может быть использовано для контроля качества полупроводниковых материалов, в частности полупроводниковых пластин

Установка для испытаний на радиационную стойкость // 2128349

Устройство для контроля светодиодов // 2130617

Изобретение относится к электроизмерительной технике и может быть использовано для контроля полярности выводов светодиодов

Устройство диагностирования тиристорного преобразователя // 2133042

Изобретение относится к области теплового неразрушающего контроля силовой электротехники, в частности тиристоров тиристорных преобразователей, и предназначено для своевременного выявления дефектных тиристоров, используемых в тиристорных преобразователях, без вывода изделия в целом в специальный контрольный режим