Устройство для измерения параметров полупроводниковых приборов

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства №

Заявлено 29.XI.1968 (№ 1286614/26-25) с присоединением заявки №

Приоритет

Кл. 21g, 11/02

Ковтитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров

СССР

МПК Н 01l

УДК 621 317 7 621 314

632(088 8) Опубликовано ОЗ.Х11.1969. Бюллетень № 1 за 1970 г.

Дата опубликования описания 17.17.1970

Автор изобретения

E. И. Дикун

Заявитель

УСТРОИСТВО ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ ПАРАМЕТРОВ

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ

Изобретение относится к электронной технике, а именно к устройствам для измерения параметров полупроводниковых, приборов.

Известные устройства для измерения параметров,полупроводниковых .приборов содержат последовательно соединенные генератор переменной частоты, ключи, эталонное сопротивление, усилитель, регистрирующее устройство, причем ключи имеют клеммы для подключения испытуемого транзистора.

Кроме того, устройства имеют генератор тактовых им пульсов, выходы которого соединены с управляющими входами .ключей.

В известных устройствах периодически калибруется цепь генератор — переход эмиттер — база — усилитель, так как калибровочные точяи изменяются под действием температуры окружающей среды и старения.

Этот нодостаток увеличивает погрешность IH3мерения и снижает производительность процесса.

Целью описываемого изобретения является повышение производительности и исключение влияния коэффициента усиления .на точность измерения.

Для достижения этой цели в известное устрой ство между усилителем и регистрирующим устройством включены преобразователь напряжения в код и ключ, к .выходам которого подключены - два регистра. Последние соедииены с входами арифметического устройства, выход которого соединен с регистрирующим устройством.

Генератор тактовых импульсов связан с

5 входами ключа, арифметического и регистрирующего устройства.

На чертеже представлена блок-схема предлагаемого устройства.

Устройство содержит последовательно сое10 диненные генератор 1 переменной частоты, ключ 2, эталонное сопротивление 8, ключ 4, усилитель 5, преобразователь 6 напряжения в код, ключ 7, к выходам которого подключены два регистра 8 и 9, соединенных с вхо15 дами арифметического устройства 10. Выход последнего подключен к регистрирующему устройству 11, причем ключи 2 и 4 имеют клеммы для подключения испытуемого транзистора 12.

20 Кроме того, устройство содержит генератор И тактовых импульсов, который связан со входами ключей 2, 4, 7 и арифметического устройства 10.

Устройство работает следующим образом.

25 При .подключении испытуемого транзистора

12 к схеме запускается генератор 13 тактовых импульсов, переводящий ключи 2, 4, таким образом, что сигнал от генератора 1 переменной частоты поступает на эталонное

30 сопротивление 8:и далее чер з усилитель 5 и

258466

Предмет изобретения

Составитель О. Афанасенкова

Техред Т. П, Курилко Корректор P. If. Крючкова

Редактор Т, Орловская

Заказ 789/5 Тираж 499 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2 преобразователь б напряжения в код на регистр 8. В регистре 8 запоминается цифровой код,,пропорциональный сигналу на выходе усилителя G.

Следующий импульс от генератора И тактовых:импульсов переводит ключи 2, 4, 7 в та|кое:положение, что сигнал от генератора 1 поступает на испытуемый транзистор 12 и далее через усилитель 5, преобразователь б напряжения:в ход на регистр 9, m котором запоминается в виде кода.

Третий импульс от генератора 18 тактовых импульсов .подает команду арифметическому устройству 10 на начало деления одной величины:на другую. Частное передаетсяврегистрирующее устройство 11, которое может выдать результат либо в визуальной форме, либо дать команду исполнительному механизму.

Примейение описываемого изобретения дает возможность построить полностью автоматические устройства, гарантирующие заданную точность измерения параметра без,периодической остановки на калибровку.

Устройство для измерения параметров полупроводниковых приборов, содержащее гене5 ратор тактовых им пульсов и последовательно соединенные генератор переменной частоты, ключ, эталонное сопротивление, ключ, усилитель, регистрирующее устройство, причем ключи имеют клеммы для подключения иопы10 туемого транзистора, а выходы генератора тактовых импульоов соединены с управляющими входами ключей, отличающееся тем, что, с целью повышения производительности и исключения влияния коэффициента переда15 чи всего устройства на точность измерения, между усилителем .и регистрирующим устройством .включены .преобразователь напряжения в код, ключ, к:выходам которого подключены два регистра, .соединенные,с входами арифме20 тического устройства, на выходе которого включено регистрирующее устройство, а гене.ратор тактовых и мпульсо в связан с:входами ключа, арифметического устройства и регистрирующего устройства.

Устройство для измерения параметров полупроводниковых приборов Устройство для измерения параметров полупроводниковых приборов 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области контрольно-измерительной техники и может найти применение в электронной технике для измерения напряжений на диэлектрике и полупроводнике, а также их временного изменения в МДПДМ-структурах

Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)

Изобретение относится к электронике и при использовании позволяет повысить точность контроля заданной величины отрицательного дифференциального сопротивления за счет изменения соотношения глубины положительных и отрицательных обратных связей в элементе с регулируемыми напряжениями и токами включения и выключения

Изобретение относится к области электротехники и может быть использовано при конструировании и производстве тиристоров

Изобретение относится к радиационной испытательной технике и может быть использовано при проведении испытаний полупроводниковых приборов (ППП) и интегральных схем (ИС) на стойкость к воздействию импульсного ионизирующего излучения (ИИИ)

Изобретение относится к области измерения и контроля электрофизических параметров и может быть использовано для оценки качества технологического процесса при производстве твердотельных микросхем и приборов на основе МДП-структур

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения электрофизических параметров материалов, и может быть использовано для контроля качества полупроводниковых материалов, в частности полупроводниковых пластин

Изобретение относится к электроизмерительной технике и может быть использовано для контроля полярности выводов светодиодов

Изобретение относится к области теплового неразрушающего контроля силовой электротехники, в частности тиристоров тиристорных преобразователей, и предназначено для своевременного выявления дефектных тиристоров, используемых в тиристорных преобразователях, без вывода изделия в целом в специальный контрольный режим
Наверх