Способ изготовления твердотельного фотоэлемента на основе фталоцианина для преобразования световой энергии в электрическую



Способ изготовления твердотельного фотоэлемента на основе фталоцианина для преобразования световой энергии в электрическую
Способ изготовления твердотельного фотоэлемента на основе фталоцианина для преобразования световой энергии в электрическую
Способ изготовления твердотельного фотоэлемента на основе фталоцианина для преобразования световой энергии в электрическую

 

H01L51/48 - Приборы на твердом теле, предназначенные для выпрямления, усиления, генерирования или переключения или конденсаторы или резисторы по меньшей мере с одним потенциальным барьером или поверхностным барьером; с использованием органических материалов в качестве активной части или с использованием комбинации органических материалов с другими материалами в качестве активной части; способы или устройства специально предназначенные для производства или обработки таких приборов или их частей (способы или устройства для обработки неорганических полупроводниковых тел, включающей в себя образование или обработку органических слоев на них H01L 21/00,H01L 21/312,H01L 21/47)

Владельцы патента RU 2515114:

Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Санкт-Петербургский государственный университет" (СПбГУ) (RU)

Изобретение относится к технологиям изготовления приборов, содержащих фотоэлементы, используемые в качестве преобразователей световой энергии. Согласно изобретению способ изготовления твердотельного фотоэлемента на основе фталоцианинов для преобразования световой энергии в электрическую включает нанесение на подложку из неорганического полупроводника n-типа органического полимера с полупроводниковыми свойствами и размещение их между двумя электродами, при этом в качестве органического полимера используют антрацианин меди (р-CuAc) или антрацианин цинка (p-ZnAc), который наносят в вакууме слоем толщиной 15-20 нм на подложку из арсенида галлия (nGaAs). Преобразование световой энергии в электрическую в способе согласно изобретению проходит с большей эффективностью: КПД возрастает на 2% по сравнению с известными аналогами. 3 ил., 2 табл.

 

Изобретение относится к области фотоэлектронной техники, в частности к технологиям изготовления приборов, содержащих фотоэлементы, используемые в качестве преобразователей световой энергии. Изобретение может быть использовано для создания твердотельных преобразователей световой энергии в электрическую.

Среди способов преобразования световой энергии (в т.ч. солнечной энергии и других излучений в видимой и ультрафиолетовой областях спектра) способ изготовления и использования фотоэлементов имеет ряд неоспоримых достоинств, к которым можно отнести: а) прямое преобразование энергии световых квантов в электричество; б) разнообразие элементной базы для создания солнечных фотоэлементов (СФЭ); в) отработанные технологии и возможность создания модульных систем различной мощности. Относительные недостатки таких способов связаны с высокой себестоимостью СФЭ и энергетических станций на их основе и высокой токсичностью производства материалов для фотоэлементов («солнечного» кремния, полупроводников, содержащих кадмий, мышьяк, селен, теллур и т.д.).

В последние годы наметились пути преодоления этих недостатков, связанные с использованием новых технологий, в том числе нанотехнологий, новых полупроводниковых органических материалов и принципиально новых конструкций гетеропереходных СФЭ.

Известны способы [1] изготовления тонкопленочных фотоэлектрических преобразователей «сэндвичевой» структуры, которые включают нанесение фоточувствительного слоя из органического вещества на подложку и размещение его между двумя электродами. Однако они очень трудоемкие и дорогостоящие.

Существует большое количество работ, посвященных полупроводниковым свойствам фталоцианинов. Например, известен способ [2] повышения полупроводниковых свойств приборов за счет использования слоев из монофталоцианина двухвалентных металлов.

Известен способ [3] изготовления твердотельного фотогальванического элемента для преобразования световой энергии в электрическую, включающий нанесение фоточувствительного слоя из органического полупроводника на подложку из органического полупроводника и размещение их между электродами. Способ заключается в том, что на подложку из неорганического полупроводника n-типа (CdTe) наносят слой органического полупроводника поли-N-эпоксипропилкарбазола, а на него - металлический электрод. Однако известный способ дает невысокий коэффициент полезного действия (КПД) преобразования энергии света в электрическую.

Известен способ изготовления твердотельного фотогальванического элемента для преобразования энергии света в электрическую энергию [4], наиболее близкий к заявляемому изобретению. Сущность его основана на том, что фталоцианиновые макроциклы обладают полупроводниковыми свойствами. Классический р-n переход происходит при контакте двух областей, в которых присутствует фталоцианин меди. Способ заключается в том, что на подложку из неорганического полупроводника n-типа арсенида галлия (GaAs) наносится вакуумным напылением тонкий слой органического полупроводника р-типа фталоцианина меди (СuРс).

Недостатком известного способа является его низкий КПД, который не превышает 4%. Достаточно низкий КПД связан с тем, что потенциал ионизации используемого фталоцианина меди (СuРс) выше, чем у некоторых известных на сегодняшний день фталоцианинов и их производных, а спектральная светочувствительность лежит в узком диапазоне. Другим большим недостатком известного способа является его высокая стоимость за счет использования дорогостоящих и затратных материалов на производство подложки.

Предлагаемый способ лишен указанных недостатков.

Технический результат заявляемого способа состоит в увеличении КПД твердотельного фотоэлемента и, следовательно, понижении поверхностного потенциала ионизации, а также существенном снижении стоимости всего технологического процесса изготовления фотоэлемента за счет нанесения на подложку из неорганического полупроводника n-типа арсенида галлия (GaAs) тонкого слоя органического полупроводника р-типа антрацианина меди (СuАс).

Указанный технический результат достигается тем, что в способе изготовления твердотельного фотоэлемента на основе фталоцианинов для преобразования световой энергии в электрическую, включающий нанесение на подложку из неорганического полупроводника n-типа органического полимера с полупроводниковыми свойствами и размещение их между двумя электродами, отличающийся тем, что в качестве органического полимера используют антрацианин меди (р-CuAc) или антрацианин цинка (p-ZnAc), который наносят в вакууме слоем толщиной 15-20 нм на подложку из арсенида галлия (nGaAs).

Сущность заявленного изобретения состоит в оптимизации фотоэлектронных характеристик и улучшении фотоэлектрических параметров органических полупроводников за счет оценки и учета параметров ионизационной способности материалов на основе фталоцианинов с целью использования их в фотоэлектрических преобразователях.

Фотоэлектрические параметры, такие как потенциал ионизации, распределение электронного заряда в зависимости от строения вещества являются одними из важнейших характеристик, определяющих способность вещества к переносу и накоплению заряда. В связи с этим их определение является необходимым этапом проектирования и тестирования различных фотоэлектрических и оптоэлектронных приборов (таких, например, как светодиодов, фотодиодов и элементов солнечных батарей).

Задача определения изменения электронных свойств материалов и фотопроводимости вещества в электромагнитном поле подложки может быть решена с помощью модели взаимодействия многоцентровой многозарядной системы с диэлектриками и металлом.

Сущность заявленного способа иллюстрируется Фиг.1-3.

На Фиг.1 представлена схема фотоэлектронных уровней фталоцианина меди (1) и антрацианина меди (2). Видно, что энергии уровней изменяются определенным образом при замене вещества. Разница между уровнями и энергия отрыва электрона уменьшаются при переходе от фталоцианина к антрацианину меди.

На Фиг.2 сравниваются спектральные характеристики нанесенного фоточувствительного слоя твердотельного элемента n-GaAs/p-AcPc (сплошная линия) и прототипа (пунктир).

На Фиг.3 представлена зависимость энергии связи от диэлектрической проницаемости.

Заявляемый способ был многократно апробирован в лабораторных условиях на базе Санкт-Петербургского государственного университета, результаты исследований которого приведены в таблицах и примерах конкретной реализации.

Пример 1.

На пластину арсенида галлия толщиной 0.2 мм, предварительно подвергнутую травлению, наносят тыловой электрод из меди. С другой стороны поверхности арсенида галлия (nGaAs) в вакууме напыляют фоточувствительный слой антрацианина меди (СиАс), толщиной 15 нм. На слой антрацианина меди наносят тонкий слой золота, пропускающий 15-20% падающего света.

Пример 2.

На пластину арсенида галлия (nGaAs) толщиной 0.2 мм, предварительно подвергнутую травлению, наносят тыловой электрод из меди. С другой стороны поверхности арсенида галлия (nGaAs) в вакууме напыляют фоточувствительный слой антрацианина меди, толщиной 20 нм. На слой антрацианина меди наносят тонкий слой золота, пропускающий 15-20% падающего света.

Таблица 1
Способ изготовле-ния Потенциал ионизации фоточувствительного слоя, эВ Потенциал ионизации фоточувствительного слоя на подложке, эВ Область спектральной чувствительности, нм КПД, %
Заявляемый способ 5.3 4.4 200-1500 6
Известный способ(по прототипу) 6.4 5.2 200-1000 4

Как показали результаты проведенных испытаний (в примерах 1 и 2), заявляемый способ имеет более высокий КПД по сравнению с прототипом, что видно из таблицы 1.

Пример 3.

На пластину арсенида галлия толщиной 0.2 мм, предварительно подвергнутую травлению, наносят в качестве органического полимера антрацианин цинка (p-ZnAc).

Была протестирована известная молекула фталоцианина цинка на подложках с различной диэлектрической проницаемостью и на разных расстояниях от поверхности. Модель создана в формализме матрицы плотности и показывает, каким образом изменятся фотохимические и фотоэлектронные свойства, определяемые потенциалом ионизации с учетом влияния поверхности подложки.

На основе этой же модели получены фотоэлектрические характеристики новых структур, являющихся предметом изобретения. Диэлектрическая проницаемость варьировалась от 1.5 до 100, что включает в себя практически весь диапазон ее изменения. Для металлов диэлектрическую проницаемость можно принять равной бесконечности.

Энергия взаимодействия однозарядного иона с поверхностью гораздо больше энергии взаимодействия нейтральной молекулы. Изменение этой величины будет, в основном, определять изменение потенциала ионизации молекулы на поверхности.

С помощью модели взаимодействия многоцентровой многозарядной системы с диэлектриками и металлом с использованием метода электростатических изображений, можно, например, получить выражение для энергии притяжения системы зарядов к плоской поверхности однородной среды с диэлектрической проницаемостью ξ

,

где: ξ - диэлектрическая проницаемость - безразмерная величина (равна 1 для вакуума, лежит в диапазоне от 2 до 10 для диэлектриков и может быть приравнена бесконечности для металлов), ζ - эффективный заряд атома, RАВ - расстояние между зарядами атомов А и В, r

- расстояние между зарядом и поверхностью, суммирование проводится по всем атомам системы.

Учитывая плоское строение рассматриваемых структур, получаем выражение для энергии взаимодействия молекулы с поверхностью:

Заряд qA на атоме (ZA - заряд ядра) можно определить как:

где: Раb - одноэлектронная матрица плотности, представленная в базисе атомных орбиталей:

.

Были получены значения энергии взаимодействия плоских молекул с подложкой (диэлектриком или металлом). Если отдельно рассчитать энергию взаимодействия для нейтральной молекулы и для ионизированной (катион-радикала) и ввести эту поправку в значения энергий при вычислении потенциалов ионизации, то можно судить о том, как изменятся ионизационные и фотохимические свойства молекулы под влиянием поля подложки.

Кривая изменения потенциала ионизации в зависимости от, как следует из Фиг.3, показывает, что значительное падение потенциала ионизации наблюдается на поверхностях веществ со значениями диэлектрической проницаемости до 7.5.

От значений ξ=7.5 до ξ=11.5 потенциал меняется не существенно. В эту область попадают оксиды различных металлов и кремний, чаще всего использующиеся в качестве подложек. Затем кривая асимптотически стремится к значению 4.7.

По мере удаления молекулы от поверхности влияние подложки на фотоэлектронные свойства молекулы уменьшается. Но даже для сравнительно большого расстояния 5.3 Å оно все равно заметно, потенциал ионизации понижается на 0.69 эВ.

Результаты модельного испытания показали, что изменение структуры веществ, используемых в производстве солнечных батарей - фталоцианинов цинка и меди (за счет присоединения дополнительных бензольных колец в плоскости молекулы) приводит к значительному уменьшению потенциала ионизации (работы выхода электрона), что, в конечном итоге, приводит к увеличению эффективности фотоэлектрических параметров. Наиболее оптимальной с этой точки зрения является новая структура ZnС64N8Н32, с нанесенным слоем на подложку из кремния, как это видно из таблицы 2, в которой приведены потенциалы ионизации на поверхности Si.

Таблица 2
Si (ξ=11.7) Энергия HF (а.е.) Разность энергий ΔI (а.е.) Потенциал ионизации Iпов (эВ)
r=3.213 а.е. Нейтральная молекула Uнейтр Ионизированная молекула Uкaт
ZnC32N8H16 -0.0160 -0.0595 0.1834 4.9903
ZnC48N8H24 0.0190 -0.0564 0.1659 4.5141
ZnC64N8H32 -0.0220 -0.0545 0.1570 4.2720

Аналогичные результаты зависимости поверхностного потенциала ионизации были получены и при тестировании молекул фталоцианина меди и антрацианина меди.

Таким образом, для достижения указанного технического результата в заявляемом способе, в качестве органического полимера используют антрацианин меди (р-CuAc) или антрацианин цинка (p-ZnAc), обладающие низким потенциалом ионизации, не превышающим 5.3 эВ.

Органический полимер в виде антрацианина меди (р-CuAc) или антрацианина цинка (p-ZnAc) наносят в вакууме слоем толщиной 15-20 нм на подложку из арсенида галлия (nGaAs).

Как показали результаты апробаций, КПД заявленного способа возрастает примерно на 2% по сравнению со способами, известным из уровня техники.

Кроме того, существенным является также и снижение стоимости изготовления за счет уменьшения толщины подложки и нанесения на нее органического полупроводника р-типа - антрацианина меди (р-CuAc).

Значительный технический эффект от использования заявляемого способа состоит в том, что преобразование световой энергии в электрическую проходит с большей эффективностью за счет более низкого потенциала ионизации вещества, составляющего фоточувствительный слой (СuАс), что, как показано выше, повышает КПД и, кроме того, снижает уровень временных затрат на достижение такого преобразования, а также, в целом, и стоимость всего технологического процесса.

Список используемых источников информации

1. Патент США №3844843, кл. Н01L 15/02,1975;

2. Патент США №4987430, кл. Н01L 29/28,1991;

3. Патент РФ №1806424, кл. Н01L 31/04, 1993;

4. Патент РФ №2071148, кл. Н01L 31/18, 1994 (прототип).

Способ изготовления твердотельного фотоэлемента на основе фталоцианинов для преобразования световой энергии в электрическую, включающий нанесение на подложку из неорганического полупроводника n-типа органического полимера с полупроводниковыми свойствами и размещение их между двумя электродами, отличающийся тем, что в качестве органического полимера используют антрацианин меди (р-CuAc) или антрацианин цинка (p-ZnAc), который наносят в вакууме слоем толщиной 15-20 нм на подложку из арсенида галлия (nGaAs).



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к сопряженным полимерам, содержащим бензо-бис(силолотиофеновые) звенья или их производные, к способам их получения, и к применению полимеров в органических электронных (ОЕ) устройствах, и к ОЕ устройствам, содержащим полимеры.

Изобретение относится к органическому соединению формулы (1), в которой каждый из R1 - R16 независимо выбран из атома водорода, метила, этила, н-пропила, изопропила, н-бутила, изобутила, вторбутила, третбутила, октила, 1-адамантила, 2-адамантила, незамещенной фенильной группы, фенильной группы, замещенной алкильной группой, и незамещенной бифенильной группы.

Изобретение относится к новым химическим соединениям иттербия, люминесцирующим в ближней ИК-области, в частности к соединениям иттербия, содержащим, по меньшей мере, один O,N-хелатный гетероциклический лиганд.

Изобретение относится к устройству (100) прозрачного органического светодиода, содержащему органический слой (130) между анодом (120) и катодом (140) и зеркальный слой (150) на аноде или катоде.

Устройство органического светоизлучающего диода (OLED) включает подложку (1), проводящий слой (3), органический слой (2) в качестве активного слоя и шунтирующую линию (4) в качестве дополнительного канала распределения тока, причем проводящий слой (3) обеспечен на подложке (1), шунтирующая линия (4) обеспечена посредством лазерного осаждения на проводящем слое (3), при этом шунтирующая линия (4), по меньшей мере, частично покрыта электроизоляционным слоем (5), осажденным посредством струйной печати краской, глубокой печати или/и трафаретной печати, а электроизоляционный слой имеет толщину от 1 до 2 мкм.

Изобретение относится к органическим светодиодам. Конструкция светоизлучающего диода содержит гибкую подложку, являющуюся фольгой и включающую в себя внутреннюю поверхность и наружную поверхность, и светоизлучающий диод, распложенный на внутренней поверхности гибкой подложки, причем светоизлучающий диод является органическим светоизлучающим диодом, имеющим наружную поверхность, противоположную поверхности, обращенной на упомянутую внутреннюю поверхность гибкой подложки.

Изобретение может быть использовано при создании эффективных устройств для отображения алфавитно-цифровой и графической информации. Актуальность создания алфавитно-цифровых дисплеев нового поколения обусловлена растущим потоком визуальной информации и прогрессом в компьютерной технике.

Изобретение относится к области приведения в контакт ОСИД с проводником. В способе для приведения в контакт ОСИД с проводником, ОСИД содержит подложку, по меньшей мере, с одной ячейкой, область контакта и инкапсулирующую оболочку, содержащую тонкую пленку, которая содержит нитрид кремния, карбид кремния или оксид алюминия, причем инкапсулирующая оболочка инкапсулирует, по меньшей мере, область контакта, а способ содержит этапы компоновки проводника на инкапсулирующей оболочке и взаимного соединения проводника с областью контакта, без предварительного удаления инкапсулирующей оболочки между проводником и областью контакта.

Органическое электролюминесцентное устройство (1) отображения включает в себя первую подложку (30), вторую подложку (20), обращенную к первой подложке (30), органический электролюминесцентный элемент (4), сформированный на первой подложке (30) и обеспеченный между первой подложкой (30) и второй подложкой (20), уплотнительный элемент (5), обеспеченный между первой подложкой (30) и второй подложкой (20) и выполненный с возможностью скрепления первой подложки (30) и второй подложки (20) для изоляции органического электролюминесцентного элемента (4), и герметизирующую смолу (14), сформированную на второй подложке (20), расположенную между первой подложкой (30) и второй подложкой (20) и выполненную с возможностью покрытия поверхности органического электролюминесцентного элемента (4).

Изобретение относится к твердотельным источникам света на основе органических светоизлучающих диодов (ОСИД), которые используются для создания цветных информационных экранов и цветовых индикаторных устройств с высокими потребительскими свойствами, а также экономичных и эффективных источников света.

Изобретение относится к электролюминесцентному устройству (10), содержащему подложку и сверху подложки электрод подложки, противоэлектрод и набор электролюминесцентных слоев по меньшей мере с одним органическим электролюминесцентным слоем (50), размещенным между электродом (20) подложки и противоэлектродом (30), и средство (90) герметизации, герметизирующее по меньшей мере набор электролюминесцентных слоев, причем электролюминесцентное устройство (10) содержит по меньшей мере одно контактное средство (60) для электрического контакта противоэлектрода (30) с источником электропитания. Изобретение раскрывает, что по меньшей мере одно защитное средство (70) размещено на электроде (20) подложки, причем защитное средство (70) является электронепроводящим и по меньшей мере полностью покрывает площадь под контактным средством (60). Изобретение обеспечивает создание электролюминесцентного устройства, в котором исключена угроза короткого замыкания. 3 н. и 9 з.п. ф-лы, 18 ил.

Изобретение относится к способу формирования рисунка электронного или фотонного материала на подложке, применению фторполимера в приготовлении снабженного рисунком электронного или фотонного материала на подложке, способу изготовления электронного прибора на подложке, а также к электронному или фотонному прибору. Способ формировании рисунка электронного или фотонного материала на подложке включает: образование пленки упомянутого электронного или фотонного материала на упомянутой подложке и использование фторполимера для защиты областей упомянутого электронного или фотонного материала во время процесса формирования рисунка. Технический результат - разработка способа формирования рисунка высокого разрешения, который применяется для широкого круга обрабатываемых в растворах органических материалов и легко интегрируется во все обычные архитектуры тонкопленочных транзисторов (TFT) без нарушения рабочих характеристик приборов. 6 н. и 38 з.п.ф-лы, 18 ил.

Изобретение относится к способу получения циклопропановых производных фуллеренов общей формулы 2 путем нагревания немодифицированного фуллерена с тозилгидразоном в присутствии растворителя и основания. При этом процесс ведут с тозилгидразоном эфира α-кетоуксусной кислоты общей формулы 1 где в общих формулах 1 и 2 радикал R обозначает линейный или разветвленный алифатический радикал Cn, где n находится в пределах от 1 до 50; радикал R1 обозначает ароматический радикал С6; Fu представляет собой фуллерен С60 или фуллерен С70, или высший фуллерен С>70, или смесь фуллеренов С60 и С70 (суммарное содержание 95.0-99.999% по весу) и высших фуллеренов (С>70, содержание 0.001-5.0% по весу). Способ позволяет получать производные фуллеренов, содержащие в своей структуре сложноэфирную группу, непосредственно присоединенную к циклопропановому фрагменту на фуллереновой сфере, используя доступные эфиры α-кетоуксусной кислоты. Изобретение также относится к применению циклопропановых производных фуллеренов общей формулы 2 в качестве полупроводниковых материалов для электронных полупроводниковых устройств, материалов для органического полевого транзистора и материалов для органической фотовольтаической ячейки. 6 н.п. ф-лы, 13 ил., 3 пр.

Изобретение относится к способу обеспечения защитного, пассивирующего или герметизирующего слоя на органическом электронном устройстве или его компоненте путем осаждения слабо ускоренных частиц методом распыления пучка ионов или плазмы либо методом прямого осаждения пучка ионов или плазмы. Способ характеризуется тем, что на органическое электронное устройство или компонент воздействуют пучком частиц с преобладающей энергией частиц от 0,1 до 30 электронвольт, осаждая таким образом слой указанных частиц на электронном устройстве или компоненте. Также изобретение относится к способу герметизации органического электронного устройства, защитному слою, органическому электронному устройству, содержащему указанный слой. Предлагаемое изобретение предоставляет слой, который не повреждает органический слой и не оказывает или оказывает только незначительное негативное воздействие на характеристики устройства. 5 н. и 11 з.п. ф-лы, 2 табл., 3 пр., 5 ил.

Изобретение относится к органическому светодиоду со свойствами стойкости к продольному изгибу. Способ производства структурированного органического светоизлучающего диода содержит этапы, на которых обеспечивают подложку, помещают на подложку набор слоев, причем набор слоев содержит, по меньшей мере, органический светоизлучающий слой, расположенный между катодным слоем и анодным слоем, и облучают выбранные части органического светоизлучающего слоя светом с длиной волны, лежащей в полосе поглощения органического светоизлучающего слоя, для обеспечения локально сниженных светоизлучающих свойств, образующих структуру. Способ дополнительно содержит этап, на котором обеспечивают слой, уменьшающий продольный изгиб, этот слой соединяется с катодным слоем на стороне катодного слоя, обращенной в сторону, противоположную органическому светоизлучающему слою, и выполняется с возможностью повышения сопротивления продольному изгибу, возникающему в результате локального нагревания катодного слоя. В результате улучшаются механические свойства, например жесткость, и/или тепловые свойства, например теплопроводность и теплоемкость, катодного слоя. 3 н. и 11 з.п. ф-лы, 2 ил.

Изобретение относится к электролюминесцентному устройству (10), которое содержит подложку (40), расположенный на этой подложке электрод (20) подложки, противоэлектрод (30) и пачку электролюминесцентного слоя с, по меньшей мере, одним органическим электролюминесцентным слоем (50), расположенным между упомянутым электродом (20) подложки и упомянутым противоэлектродом (30), средство (90) инкапсуляции, которое, по меньшей мере, инкапсулирует упомянутую пачку электролюминесцентного слоя, по меньшей мере, один разделитель (80, 80'), который разделяет, по меньшей мере, упомянутый противоэлектрод (30) на множество электрически разделенных сегментов (110, 110', 110") противоэлектрода, и находящееся под упомянутым разделителем (80, 80') электрически непроводящее защитное средство (70), которое расположено на упомянутом электроде (20) подложки, которое больше упомянутого разделителя (80, 80") и которое имеет форму, подходящую для предотвращения затенения края. Изобретение обеспечивает создание сегментированного электролюминесцентного устройства, которое обеспечивает возможность гибкого и простого изготовления, а также надежность в работе. 5 н. и 9 з.п. ф-лы, 12 ил.

Изобретение относится к электролюминесцентному устройству (10), содержащему систему слоев с подложкой (40) и поверх подложки (40) электродом (20) подложки, противоэлектродом (30) и набором электролюминесцентных слоев, по меньшей мере, с одним органическим электролюминесцентным слоем (50), расположенным между электродом (20) подложки и противоэлектродом (30), отличающееся тем, что, по меньшей мере, одно оптическое прозрачное выводящее тело (71) обеспечено поверх электрода (20) подложки, чтобы увеличить вывод света, генерируемого, по меньшей мере, одним органическим электролюминесцентным слоем (50), по меньшей мере, частично покрывающим оптическое прозрачное выводящее тело (71). Изобретение дополнительно предлагает способ изготовления такого устройства. 2 н. и 13 з.п. ф-лы, 5 ил.

Использование: для изготовления органических светоизлучающих диодов. Сущность изобретения заключается в том, что светоизлучающий диод содержит прозрачную или частично прозрачную подложку с нанесенной на нее слоистой структурой, содержащей по меньшей мере один органический электролюминесцентный слой и транспортные подслои из органических веществ n- и p-типов проводимости, расположенных на границах электролюминесцентный слой - контактный слой. Органическая слоистая структура заключена между нижним катодом, на поверхности которого сформирована система микроострий, и верхним, анодом, выполненным из пленки ITO также со сформированной системой микроострий. Технический результат: обеспечение возможности повышения уровня и равномерности инжекции носителей, реализации изделия, отвечающего требованиям по яркости свечения и рабочим характеристикам, не усложняя технологию и обеспечение возможности использования легкодоступных металлов. 1 ил.

Изобретение относится к органическому светоизлучающему устройству (OLED). Технический результат - предоставление устройства OLED, которое предоставляет улучшенную интенсивность излучаемого света, особенно для использования на большой площади. Достигается тем, что органическое светоизлучающее устройство, содержащее первый слой подложки и второй слой подложки, дополнительно содержит, по меньшей мере, первую сборку OLED и вторую сборку OLED, компонуемые между первым и вторым слоями подложки. Каждая из первой и второй сборки OLED содержит первый электропроводный слой, второй электропроводный слой и органический светоизлучающий слой, компонуемый между первым и вторым электропроводными слоями. 2 н. и 9 з.п. ф-лы, 27 ил.

Изобретение относится к области органической электроники, а именно к органическим фотовольтаическим устройствам (солнечным батареям и фотодетекторам), изготовленным с использованием органических фторсодержащих соединений в качестве модифицирующих добавок. Изобретение относится к органическому фотовольтаическому устройству с объемным гетеропереходом, содержащему последовательно расположенные подложку, дырочно-собирающий электрод, дырочно-транспортный слой, фотоактивный слой, состоящий из смеси полупроводникового материала n-типа, полупроводникового материала p-типа и органического фторсодержащего соединения, электрон-транспортный слой, электрон-собирающий электрод, подложку. При этом фотоактивный слой дополнительно содержит фторсодержащий модификатор F1-F8 в концентрации от 0.000000001% до 40% по весу. Также изобретение относится к способу изготовления фотовольтаического устройства, который заключается в том, что фторсодержащий модификатор вводят в раствор полупроводниковых компонентов, из которого отливают затем фотоактивные пленки. Также изобретение относится к применению фторсодержащих модификаторов F1-F8 для улучшения характеристик органических солнечных батарей с объемным гетеропереходом. Технический результат заключается в разработке новых добавок-модификаторов наноструктуры полимер-фуллереновых систем, способных улучшать характеристики фотовольтаических устройств. 3 н.п. ф-лы, 14 ил., 8 табл., 8 пр.
Наверх