Органические светоизлучающие диоды на основе дендронизованных полиарилсиланов



Органические светоизлучающие диоды на основе дендронизованных полиарилсиланов
Органические светоизлучающие диоды на основе дендронизованных полиарилсиланов
Органические светоизлучающие диоды на основе дендронизованных полиарилсиланов
Органические светоизлучающие диоды на основе дендронизованных полиарилсиланов
Органические светоизлучающие диоды на основе дендронизованных полиарилсиланов
Органические светоизлучающие диоды на основе дендронизованных полиарилсиланов
Органические светоизлучающие диоды на основе дендронизованных полиарилсиланов
Органические светоизлучающие диоды на основе дендронизованных полиарилсиланов
Органические светоизлучающие диоды на основе дендронизованных полиарилсиланов
Органические светоизлучающие диоды на основе дендронизованных полиарилсиланов

 

H01L51/00 - Приборы на твердом теле, предназначенные для выпрямления, усиления, генерирования или переключения или конденсаторы или резисторы по меньшей мере с одним потенциальным барьером или поверхностным барьером; с использованием органических материалов в качестве активной части или с использованием комбинации органических материалов с другими материалами в качестве активной части; способы или устройства специально предназначенные для производства или обработки таких приборов или их частей (способы или устройства для обработки неорганических полупроводниковых тел, включающей в себя образование или обработку органических слоев на них H01L 21/00,H01L 21/312,H01L 21/47)
H01L33/08 - Полупроводниковые приборы по меньшей мере с одним потенциальным барьером или с поверхностным барьером, предназначенные для светового излучения, например инфракрасного; специальные способы или устройства для изготовления или обработки таких приборов или их частей; конструктивные элементы таких приборов (соединение световодов с оптоэлектронными элементами G02B 6/42; полупроводниковые лазеры H01S 5/00; электролюминесцентные источники H05B 33/00)

Владельцы патента RU 2501123:

Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт синтетических полимерных материалов им. Н.С. Ениколопова Российской академии наук (ИСПМ РАН) (RU)

Изобретение относится к твердотельным источникам света на основе органических светоизлучающих диодов (ОСИД), которые используются для создания цветных информационных экранов и цветовых индикаторных устройств с высокими потребительскими свойствами, а также экономичных и эффективных источников света. Предложен органический светоизлучающий диод, содержащий несущую основу, выполненную в виде прозрачной подложки с размещенными на ней прозрачным слоем анода и металлическим слоем катода, между которыми расположен светоизлучающий слой, выполненный на основе дендронизованного полиарилсилана общей формулы (I) или (II), где n - целое число от 5 до 1000. Технический результат - расширение ассортимента ОСИД с высокими рабочими характеристиками, в частности, с диапазоном излучения от 400 до 700 нм, что позволяет использовать их в качестве источников света. 6 з.п. ф-лы, 3 ил., 6 пр.

 

Изобретение относится к области создания материалов для органической электроники, а именно к твердотельным источникам света на основе органических светоизлучающих диодов - ОСИД или OLED - Organic Light Emitting Diodes, которые используются для создания цветных информационных экранов и цветовых индикаторных устройств с высокими потребительскими свойствами, а также экономичных и эффективных источников света.

Самый простой ОСИД состоит из двух электродов, между которыми заключен светоизлучающий слой из органического полупроводника. Принцип его работы заключается в том, что электроны с катода попадают на нижнюю свободную молекулярную орбиталь (НСМО), а «дырки» с анода - на высшую занятую молекулярную орбиталь (ВЗМО). Далее два противоположных заряда движутся через слой органического полупроводника и, если они встречаются, образуется экситон, который может распадаться, испуская свет.

На сегодняшний день в качестве светоизлучающего слоя в структуре ОСИД могут быть использованы разнообразные органические материалы. Из российского патента RU 2371445 известно об ОСИД, где в качестве светоизлучающего слоя были использованы соединения скандия с гетероциклическими лигандами. Наибольшее распространение в качестве светоизлучающего слоя получили различные органические полимеры. Например, из US2012116050 известно об использовании пиреносодержащих полимеров. В US20080199732 описан ОСИД, содержащий светоизлучающий слой на основе дендритной макромолекулы с металлофталоцианиновыми звеньями. В патенте CN101418002 описан ОСИД с использованием дендримеров, содержащих порфириновые и флуореновые группы. Несмотря на достаточно большие успехи, достигнутые в области органических светоизлучающих диодов, задача поиска и исследования новых оптоэлектронных материалов остается в настоящий момент чрезвычайно актуальной. Дендронизованные полимеры имеют теоретические предпосылки для преимущества при их использовании в ОСИД в качестве светоизлучающего слоя по сравнению с полимерами и дендримерами, так как они представляют собой своеобразный гибрид между полимерными и дендритнми макромолекулами и сочетают особенности строения и свойства обоих [Prog. Polym. Sci. 2005, V.30, 325-384]. Например, известно, что синтез дендримеров проводят постадийно, поэтому получение дендритных макромолекул с высокими значениями молекулярных масс представляет собой трудоемкий процесс, который, как правило, осложняется снижением выходов целевых продуктов с ростом молекулярной массы [Organic Letters 2008, V.10, 2753-2756], тогда как полимеризация, как правило, позволяет получать соединения с высокими молекулярными массами и с хорошими реакционными выходами в одну стадию. С другой стороны, специфическая трехмерная архитектура таких дендронизованных полимеров придает им ряд ценных свойств, таких как хорошая растворимость и пленкообразование в сочетании с возможностью регулировать их оптические и электрические характеристики за счет направленного молекулярного дизайна.

Наиболее близким к настоящему изобретению является техническое решение, описанное в статье Macromolecules 2006, т.39, сс.4298-4305, где созданы ОСИД на основе дендронизованных сополимеров, состоящие из полифлуорена и 1,3,4-оксадиазольных и карбодиазольных боковых звеньев (Macromolecules 2006, т.39, сс.4298-4305). Устройство ОСИД имеет многослойную структуру и состоит из нескольких слоев, нанесенных на стеклянную подложку, а именно прозрачного анода из оксида индия допированного оловом; слоя инжекции дырок из PEDOT:PSS (поли(3,4-этилендиокситиофен):поли(стиролсульфоната)); светоизлучающего слоя из дендронизованного полимера; слоя инжекции электронов из фторида лития; слоя катода из алюминия. В данных ОСИД была достигнута яркость 2446 кд/м2 при напряжении в 12 В. Спектр электролюминесценции покрывал спектральный диапазон лишь от 400 до 550 нм с максимумом при 450 нм, что ограничивает область их применения. Кроме того, полифлуореновые звенья, составляющие дендронизованный полимер, характеризуются своей плохой стабильностью, в частности сильной фото- и электродеградацией (Macromolecules 1999, т.32, сс.361-369).

Задачей, на решение которой направлено заявляемое изобретение, является расширение ассортимента ОСИД с высокими рабочими характеристиками и диапазона их излучения за счет использования термостабильных дендронизованных полиарилсиланов в качестве материала светоизлучающего слоя в ОСИД.

Технический результат, который может быть получен при осуществлении изобретения: 1) яркость ОСИД не менее 500 кд/м2; 2) рабочее напряжение не более 15 В; 3) диапазон спектра электролюминесценции от 400 до 700 нм.

Данный технический результат достигается за счет того, что дендронизованные полиарилсиланы обладают высоким квантовым выходом люминесценции в сочетании с высокой термостабильностью (заявка на Патент РФ 2010133497), что косвенно указывает на их возможную более высокую стабильность в устройствах органической электроники. Кроме того, использование дендронизованных полиарилсиланов позволяет получать, по сравнению с известным техническим решением, другой спектр электролюминесценции, что расширяет области применения ОСИД, содержащих дендронизованные полимеры в качестве светоизлучающего слоя.

Поставленная задача решается за счет того, что создан органический светоизлучающий диод, содержащий несущую основу, выполненную в виде прозрачной подложки с размещенными на ней прозрачным слоем анода и металлическим слоем катода, между которыми расположен светоизлучающий слой, при этом светоизлучающий слой выполнен на основе дендронизованного полиарилсилана общей формулы (I) или (II):

где n означает целое число от 5 до 1000.

В частности, в органическом светоизлучающем диоде светоизлучающий слой может быть выполнен из дендронизованного полиарилсилана формулы (I).

В частности, в органическом светоизлучающем диоде светоизлучающий слой может быть выполнен из дендронизованного полиарилсилана формулы (II).

В частности, в органическом светоизлучающем диоде слой анода может быть выполнен из оксида индия, допированного оловом. При этом слой анода должен быть выполнен из прозрачного материла и нанесен на подложку (несущую основу), в качестве которой могут быть использованы различные стеклянные или пластмассовые подложки. Стеклянные подложки с размещенным на них слоем анода, материалом которого традиционно является оксид индия, допированный оловом, выпускаются промышленностью. В заявляемом устройстве используются упомянутые подложки. При этом в качестве материала анода могут быть использованы другие соединения, обладающие высокой инжекцией дырок (например, прозрачные оксиды галлия и цинка, нитриды титана и галлия и др.).

В частности, в органическом светоизлучающем диоде слой катода выполнен из алюминия. Традиционно в качестве материала катода используют алюминий, работа выхода которого составляет 4,3 эВ. При этом в качестве материала катода для ОСИД могут быть использованы и другие металлы с низкой работой выхода электрона из металла.

В частности, органический светоизлучающий диод может содержать дополнительный слой инжекции дырок, выполненный из PEDOT:PSS, который расположенный между анодом и светоизлучающим слоем. Слой инжекции дырок добавляется к базовому устройству ОСИД при необходимости повышения его рабочих характеристик. Роль слоя инжекции дырок сводится к улучшению инжекции дырок в светоизлучающий слой дендронизованного полиарилсилана. В качестве слоя инжекции дырок используются различные соединения, обладающие дырочной проводимостью, например PEDOT:PSS.

В частности, органический светоизлучающий диод содержит дополнительный слой инжекции электронов, выполненный из фторида лития, который расположен между катодом и светоизлучающим слоем. Слой инжекции дырок добавляется к базовому устройству ОСИД при необходимости повышения его рабочих характеристик. Роль слоя инжекции электронов сводится к улучшению инжекции электронов в светоизлучающий слой дендронизованного полиарилсилана. В качестве слоя инжекции электронов используются различные соединения, обладающие дырочной проводимостью, например LiF (фторид лития).

По сравнению с известным ОСИД (Macromolecules 2006, т.39, сс.4298-4305), при использовании дендронизованных полиарилсиланов формулы I и II, получен новый технический результат. В частности, ОСИД на основе дендронизованных полиарилсиланов демонстрируют близкую к белому цвету электролюминесценцию в спектральном диапазоне от 400 до 700 нм с координатами CIE (0,249; 0,375) и яркостью до 1000 кд/м2 при напряжении до 14 В. Для записи спектра поглощения и люминесценции использовали метод абсорбционно-люминесцентной спектроскопии (Фиг.1 и Фиг.2).

Дендронизованные полиарилсиланы получали по описанным ниже примерам.

На Фиг.1 представлены спектр поглощения (1) дендронизованного полиарилсилана формулы I, спектр люминесценции (2) дендронизованного полиарилсилана формулы II при возбуждении в 330 нм и спектр электролюминесценции (3) ОСИД с добавочными слоями инжекции дырок и электронов на основе дендронизованного полиарилсилана формулы I.

На Фиг.2 представлены спектр поглощения (1) дендронизованного полиарилсилана формулы II, спектр люминесценции (2) дендронизованного полиарилсилана формулы II при возбуждении в 330 нм и спектр электролюминесценции (3) ОСИД с добавочными слоями инжекции дырок и электронов на основе дендронизованного полиарилсилана формулы II.

На Фиг.3 представлена общая схема устройства ОСИД при продольном разрезе с дополнительными слоями, где последовательно на подложку (1) нанесены анод (2), слой инжекции дырок (3), светоизлучающий слой (4), слой инжекции электронов (5), катод (6).

Общая схема устройства ОСИД следующая. В качестве подложки 1 устройства использовали выпускаемую промышленностью стеклянную подложку с размещенным на ней прозрачным слоем анода 2 из оксида индия, допированного оловом. Далее постадийно наносили на имеющийся субстрат дополнительный слой инжекции дырок 3 из PEDOT:PSS; затем светоизлучающий слой 4 из дендронизованного полиарилсилана (ДПАС); затем дополнительный слой инжекции электронов из фторида лития; затем катод 5 из алюминия. Толщина слоя инжекции дырок 3 PEDOT:PSS может варьироваться в пределах от 40 до 80 нм. Толщина светоизлучающего слоя 4 ДПАС может варьироваться в пределах от 50 до 120 нм. Толщина слоя инжекции электронов 5 может варьироваться в пределах от 0,5 до 2 нм. Толщина катода 6 может варьироваться в пределах от 40 до 80 нм. Для получения органических пленок материалов слоев, входящих в структуру заявляемых ОСИД и слоя катода, использовали метод термического испарения в вакууме. Светоизлучающий слой из дендронизованного полиарилсилана получали из его раствора в органическом растворителе методом вращающейся подложки. При подаче напряжения на катод 6 и анод 2 из них инжектируются соответственно электроны и дырки, т.е. отрицательные и положительные заряды. В светоизлучающем слое 4 происходит рекомбинация этих зарядов, что вызывает эффект электролюминесценции (излучение света).

Изобретение может быть проиллюстрировано нижеприведенными примерами изготовления ОСИД на основе дендронизованных полиарилсиланов, при этом использовали коммерчески доступные реагенты и растворители.

Также ниже приведены примеры синтеза дендронизованных полиарилсиланов.

Пример 1. Получение денронизованного полиарилсилана формулы I:

В инертной атмосфере в реакционную колбу добавили 113 мг (0,01 ммоль) Pd(PPh3)4, прилили предварительно аргонированные растворы линейного фениленсодержащего мономера (2,2'-бифенил-4,4'-диилбис(4,4,5,5-тетраметил-1,3,2-диоксаборолан) (0,79 г, 1,95 ммоль) и мономера М2 (1,2 г, 1,95 ммоль) в 25 мл толуола, затем 3 мл этилового спирта и 3 мл 2М водного раствора Na2CO3 и нагрели до кипения. Через 25 часов перемешивания при кипении, добавили блокирующий агент триметил[4-(4,4,5,5-тетраметил-1,3,2-диоксоборолан-2ил)фенил]силан (4 ммоль) и перемешивали еще 2 часа. Затем реакционную смесь охладили до комнатной температуры и вылили в 100 мл воды и 150 мл толуола. Органический слой был промыт несколько раз водой, а растворитель упарен на роторном испарителе. Реакционный выход составил 90% (согласно ГПХ). Продукт был очищен пропусканием через колонку с силикагелем (элюент, толуол 80°С) с последующим переосаждением из смеси толуол-метанол. Выход: 0,62 г (52% от теории).

Пример 2. Получение денронизованного полиарилсилана формулы II:

В инертной атмосфере в реакционную колбу добавили 61 мг (0,005 ммоль) Pd(PPh3)4, прилили предварительно аргонированные растворы линейного фениленсодержащего мономера (2,2'-бифенил-4,4'-диилбис(4,4,5,5-тетраметил-1,3,2-диоксаборолан) (0,43 г, 1,06 ммоль) и мономера М2 (1,13 мг, 1,06 ммоль) в 25 мл толуола, затем 3 мл этилового спирта и 3 мл 2М водного раствора Na2CO3 и нагрели до кипения. Через 25 часов перемешивания при кипении, добавили блокирующий агент триметил[4-(4,4,5,5-тетраметил-1,3,2-диоксоборолан-2ил)фенил]силан (4 ммоль) и перемешивали еще 2 часа. Затем реакционную смесь охладили до комнатной температуры и вылили в 100 мл воды и 150 мл толуола. Органический слой был промыт несколько раз водой, а растворитель упарен на роторном испарителе. Реакционный выход составил 95% (согласно ГПХ). Продукт был очищен пропусканием через колонку с силикагелем (элюент, толуол 80°С) с последующим переосаждением из смеси толуол-метанол. Выход: 0,63 г (56% от теории).

Заявителем были изготовлены органические светоизлучающие диоды, состоящие из последовательно нанесенных на субстрат слоев (Фиг.3), в которых светоизлучающий слой был изготовлен из дендронизованного полиарилсилана.

Пример 3. Изготовление ОСИД с излучающим слоем, выполненным из дендронизованного полиарилсилана формулы (I).

Данный ОСИД изготавливают путем постадийного нанесения на стеклянную подложку 1 с прозрачным анодом 2 из оксида индия, допированного оловом, светоизлучающего слоя 4 из дендронизованного полиарилсилана формулы I слоя катода 5 из алюминия. Схема структуры ОСИД - ITO/ДПАС (60 нм) /Аl (60 нм). В скобках указана приблизительная толщина полученных слоев.

Пример 4. Изготовление ОСИД с излучающим слоем, выполненным из дендронизованного полиарилсилана формулы (II).

Данный ОСИД изготавливают путем постадийного нанесения на стеклянную подложку 1 с прозрачным анодом 2 из оксида индия, допированного оловом, светоизлучающего слоя 4 из дендронизованного полиарилсилана формулы II слоя катода 5 из алюминия. Схема структуры ОСИД - ITO/ДПАС (60 нм) /Аl (60 нм). В скобках указана приблизительная толщина полученных слоев.

Пример 5. Изготовление ОСИД с излучающим слоем, выполненным из дендронизованного полиарилсилана формулы (I) и содержащего дополнительные слои.

Данный ОСИД изготавливают путем постадийного нанесения на стеклянную подложку 1 с прозрачным анодом 2 из оксида индия, допированного оловом, следующих слоев: слой инжекции дырок 3 из PEDOT:PSS; светоизлучающий слой 4 из дендронизованного полиарилсилана формулы I; слой инжекции электронов из фторида лития; слой катода 5 из алюминия. Схема структуры ОСИД - ITO/PEDOT:PSS (70 нм)/ДПАС (60 HM)/LiF (0.8 нм)/Аl (60 нм). В скобках указана приблизительная толщина полученных слоев. Яркость полученного ОСИД составила 750 кд/м2 при рабочем напряжении 12 В. На фигуре 1 представлен спектр электролюминесценции полученного ОСИД.

Пример 6. Изготовление ОСИД с излучающим слоем, выполненным из дендронизованного полиарилсилана формулы (II) и содержащего дополнительные слои.

Данный ОСИД изготавливают путем постадийного нанесения на стеклянную подложку 1 с прозрачным анодом 2 из оксида индия, допированного оловом, следующих слоев: слой инжекции дырок 3 из из PEDOT:PSS; светоизлучающий слой 4 из дендронизованного полиарилсилана формулы II; слой инжекции электронов из фторида лития; слой катода 5 из алюминия. Схема структуры структуры ОСИД -ITO/PEDOT:PSS (70 нм)/ДПАС (60 HM)/LiF (0.8 нм)/Аl (60 нм). В скобках указана приблизительная толщина полученных слоев. Яркость полученного ОСИД составила 1000 кд/м2 при рабочем напряжении 14 В, цветовые координаты (CIE) (0,249; 0,375) близки к значениям для белого света. На фигуре 2 представлен спектр электролюминесценции полученного ОСИД.

Таким образом, из представленных примеров видно, что ОСИД на основе дендронизованных полиарилсиланов демонстрируют высокие рабочие характеристики и диапазон излучения от 400 до 700 нм, что позволяет использовать их в качестве источников света. Этим подтверждается достижение нового технического результата по сравнению с известным техническим решением, а также расширение ассортимента ОСИД.

1. Органический светоизлучающий диод, содержащий несущую основу, выполненную в виде прозрачной подложки с размещенными на ней прозрачным слоем анода и металлическим слоем катода, между которыми расположен светоизлучающий слой, при этом светоизлучающий слой выполнен на основе дендронизованного полиарилсилана общей формулы (I) или (II):

где n означает целое число от 5 до 1000.

2. Светоизлучающий диод по п.1, отличающейся тем, что дендронизованным полиарилсиланом является дендронизованный полиарилсилан общей формулы (I).

3. Светоизлучающий диод по п.1, отличающейся тем, что дендронизованным полиарилсиланом является дендронизованный полиарилсилан общей формулы (II).

4. Светоизлучающий диод по одному из пп. от п.1 до п.3, отличающийся тем, что слой анода выполнен из оксида индия, допированного оловом.

5. Светоизлучающий диод по одному из пп. от п.1 до п.3, отличающийся тем, что слой катода выполнен из Al (алюминия).

6. Светоизлучающий диод по одному из пп. от п.1 до п.3, отличающийся тем, что содержит дополнительный слой инжекции дырок, выполненный из (поли(3,4-этилендиоксилтиофен):поли(стиролсульфоната)) и расположенный между анодом и светоизлучающим слоем.

7. Светоизлучающий диод пп.1-6, отличающийся тем, что содержит дополнительный слой инжекции электронов, выполненный из фторида лития и расположенный между катодом и светоизлучающим слоем.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к элементам с памятью формы для гибких экранов дисплеев на основе органических светодиодов (OLED). Технический результат - возможность надежно удерживать гибкий дисплей в одном из состояний: либо в плоском состоянии, не позволяя дисплею самопроизвольно сгибаться, либо в сжатом состоянии, не позволяя дисплею самопроизвольно разворачиваться или разгибаться.

Изобретение относится к светоизлучающему устройству с множеством светоизлучающих элементов, выполненному с возможностью приведения в действие переменным током, и осветительному прибору, содержащему такое светоизлучающее устройство.

Изобретение относится к области полупроводниковых приборов на твердом теле с использованием комбинации органических материалов с другими материалами в качестве активной части, специально предназначенных для преобразования энергии светового излучения в электрическую энергию.

Изобретение относится к нанотехнологии, к оптическим и оптоэлектронным устройствам, основанным на использовании оптически активного наноматериала, и способам их получения.

Изобретение относится к использованию материала, состоящего из натуральных, синтетических или смешанных волокон на основе целлюлозы, соединенных физически и химически водородными связями, и обычно называемого бумагой, в его различных формах и составах.

Изобретение относится к способу формирования рельефа из электронных и фотонных материалов и структурам и устройствам, изготовленным с использованием этого способа.

Изобретение относится к красителю, содержащему закрепляющую группу в своей молекулярной структуре, причем указанная закрепляющая группа обеспечивает ковалентное связывание указанного красителя с поверхностью, и указанная закрепляющая группа представлена формулой 1 , в которой место присоединения указанной закрепляющей группы внутри указанной молекулярной структуры указанного красителя находится при терминальном атоме углерода, помеченном звездочкой в указанной выше формуле.

Изобретение относится к оптоэлектронному устройству (100), содержащему, по крайней мере, одну оптоэлектронную активную область (101), которая содержит, по крайней мере, задний электрод (102) и передний электрод (103), между которыми помещен органический оптоэлектронный материал (104), причем упомянутый задний электрод (102) является отражающим, а перед упомянутым передним электродом (103) расположен защитный слой (105).

Изобретение относится к органическому соединению, представленному общей формулой (1). .

Согласно изобретению предложен способ изготовления светоизлучающего устройства (СИД). Данный способ содержит этапы: обеспечения подложки, на которой установлен, по меньшей мере, один светоизлучающий диод и; установки коллиматора, по меньшей мере, частично окружающего сбоку упомянутый, по меньшей мере, один светоизлучающий диод, и сформированный с помощью, по меньшей мере, одного самонесущего элемента стены из материала толщиной в диапазоне от 100 до 500 мкм.

Изобретение относится к люминисцентным материалам и их применению в светоизлучающих диодных устройствах. Предложен материал желтого послесвечения, имеющий химическую формулу aY2O3·bAl2O3·cSiO2:mCe·nB·xNa·yP, где a, b, c, m, n, x и y являются коэффициентами, причем a не меньше 1, но не больше 2, b не меньше 2, но не больше 3, c не меньше 0,001, но не больше 1, m не меньше 0,0001, но не больше 0,6, n не меньше 0,0001, но не больше 0,5, x не меньше 0,0001, но не больше 0,2, и y не меньше 0,0001, но не больше 0,5, причем Y, Al и Si являются основными элементами, а Ce, B, Na и P являются активаторами.

Изобретение относится к светотехнике и может быть использовано при изготовлении устройств общего и местного освещения. Люминесцентный композитный материал содержит полимерную основу 1 из оптически прозрачного полимерного материала и многослойную полимерную пленку, содержащую люминофоры, из трех слоев: оптически прозрачная полимерная пленка 2; полимерная композиция 3, включающая неорганический люминофор - иттрий-алюминиевый гранат, допированный церием, или галлий-гадолиниевый гранат, допированный церием; полимерная композиция 4 с диспергированными полупроводниковыми нанокристаллами, выполненными из полупроводникового ядра, первого и второго полупроводниковых слоев, и испускающими флуоресцентный сигнал с максимумами пиков флуоресценции в диапазоне длин волн 580-650 нм.
Изобретение может быть использовано при детектировании ионизирующего излучения и для создания источников белого света на основе нитридных гетеропереходов. Предложена гибкая (самонесущая) поликарбонатная пленка, наполненная неорганическими люминофорами из твердых растворов алюминатов и силикатов редкоземельных элементов.

Изобретение относится к полупроводниковым приборам. Светотрназистор белого света представляет собой полупроводниковое устройство, предназначенное для светового излучения на основе транзисторной структуры с чередующимся типом проводимости, образующей активную область, генерирующую синее свечение.

Описываются новые полициклические азотсодержащие гетероароматические соединения - тетрацианозамещенные 1,4,9b-триазафеналены общей формулы 1 где R означает - фенил, замещенный NO2, галогеном, С1-4алкилом или группой -OR1, где R1 - метил, - нафтил или - гетероарил состава C4H3S, и способ их получения исходя из соответствующих R-замещенных 1,1,2,2-тетрацианоциклопропанов при их кипячении в 1,2-дихлорбензоле.

Способ изготовления светоизлучающего устройства с преобразованной длиной волны содержит: светоизлучающий диод для эмитирования светового излучения с первой длиной волны, имеющего светоизлучающую поверхность, на данной поверхности расположен материал, преобразующий длину волны, который приспособлен для приема светового излучения, эмитируемого указанным светоизлучающим диодом, и преобразования по меньшей мере части указанного воспринятого светового излучения в световое излучение со второй длиной волны; размещение, по меньшей мере на части внешней поверхности указанного светоизлучающего устройства с преобразованной длиной волны, светоотверждаемого покровного материала, облучение которого световым излучением с указанной первой длиной волны эффективной интенсивности вызывает отверждение указанного светоотверждаемого покровного материала; и отверждение по меньшей мере части указанного светоотверждаемого покровного материала облучением указанного материала посредством указанного светоизлучающего диода, чтобы образовать отвержденный материал, блокирующий световое излучение.

Осветительное устройство (10), включающее в себя: светоизлучающий диод (20) (СИД), излучающий излучение СИД (21), передающее основание (50), включающее в себя люминесцентный материал (51), где люминесцентный материал (51) расположен, чтобы поглощать, по крайней мере, часть излучения СИД (21) и излучать излучение люминесцентного материала (13), при этом СИД (20) и люминесцентный материал (51) расположены, чтобы генерировать свет (115) предварительно установленного цвета; просвечивающее выходное окно (60), расположенное, чтобы передавать, по крайней мере, часть света (115); углубление СИД (11) и углубление рассеивателя (12), при этом углубление СИД (11) имеет боковую стенку углубления СИД (45) и поперечное сечение углубления СИД (211), углубление рассеивателя (12) имеет боковую стенку углубления рассеивателя (41) и поперечное сечение углубления рассеивателя (212), передающее основание (50) находится далее по ходу относительно СИД (20) и ранее по ходу относительно просвечивающего выходного окна (60); углубление СИД (11) находится ранее по ходу относительно передающего основания (50) и далее по ходу относительно СИД (20); углубление рассеивателя (12) находится далее по ходу относительно передающего основания (50) и ранее по ходу относительно просвечивающего выходного окна (60); а отношение поперечного сечения углубления рассеивателя (212) и поперечного сечения углубления СИД (211) находится в интервале от 1,01 до 2.

Светоизлучающее полупроводниковое устройство согласно изобретению содержит: подложку; первый слой из полупроводника с проводимостью n-типа, сформированный на подложке; второй слой из полупроводника с проводимостью р-типа; активный слой, расположенный между первым и вторым слоями; проводящий слой, расположенный на втором слое; первый контакт, нанесенный на подложку; второй контакт, нанесенный на проводящий слой, при этом подложка содержит, по меньшей мере, одно сквозное отверстие, выполненное в форме усеченной инвертированной пирамиды, при этом первый, второй, активный и проводящий слои нанесены как на горизонтальные участки подложки, так и на внутренние грани отверстий.

Изобретение относится к светоизлучающим диодам и, в частности, к технологии улучшения извлечения света. Технический результат заключается в повышении яркости за счет устранения желто-зеленого цвета.

Изобретение относится к области светотехники и может быть использовано в дисплеях и телевизионных приемниках. Техническим результатом является обеспечение равномерной яркости рассеивающей пластины.
Наверх