Осветительное устройство на белых светодиодах, возбуждаемое импульсным током



Осветительное устройство на белых светодиодах, возбуждаемое импульсным током
Осветительное устройство на белых светодиодах, возбуждаемое импульсным током
Осветительное устройство на белых светодиодах, возбуждаемое импульсным током
Осветительное устройство на белых светодиодах, возбуждаемое импульсным током
Осветительное устройство на белых светодиодах, возбуждаемое импульсным током
Осветительное устройство на белых светодиодах, возбуждаемое импульсным током

 

H01L33/50 - Полупроводниковые приборы по меньшей мере с одним потенциальным барьером или с поверхностным барьером, предназначенные для светового излучения, например инфракрасного; специальные способы или устройства для изготовления или обработки таких приборов или их частей; конструктивные элементы таких приборов (соединение световодов с оптоэлектронными элементами G02B 6/42; полупроводниковые лазеры H01S 5/00; электролюминесцентные источники H05B 33/00)

Владельцы патента RU 2522461:

СЫЧУАНЬ САНФОР ЛАЙТ КО., ЛТД (CN)

Изобретение относится к осветительному устройству на белых светодиодах, возбуждаемому импульсным током. Устройство включает упакованные внутри синие, фиолетовые или ультрафиолетовые светодиодные чипы и люминесцентное покрытие, использующее люминесцентный материал. Люминесцентный материал является сочетанием (1) или (2) люминесцентного материала А с синим послесвечением и желтого люминесцентного материала. Желтый люминесцентный материал В способен излучать свет при возбуждении синих, фиолетовых или ультрафиолетовых чипов и/или возбуждении люминесцентного материала А с синим послесвечением. Сочетание (1) представляет собой сочетание 5% Sr2MgSi2O7:Eu2+,Dy3+ + 15% CaSrS:Bi3+ + 20% Sr4Al14O25:Eu2+,Dy3+ и 15% Sr3SiO5:Eu2+,Dy3+ + 20% Ca2MgSi2O7:Eu2+,Dy3+ + 25% Y3Al5O12:Се, а сочетание (2) представляет собой сочетание 35% CaS:Br3+,Na+ и 25% Y2O3·Al2O3·SiO2:Ce·B·Na·P + 10 %CaS:Sm3+ + 15% Y2O2S:Mg,Ti + 5% Sr3SiO5:Eu2+,Dy3+ + 10% Ca2MgSi2O7:Eu2+,Dy3+. При этом осветительное устройство на белых светодиодах возбуждает светодиодные чипы импульсным током, имеющим частоту не меньше чем 50 Гц. Изобретение позволяет улучшить стабильность люминесценции и уменьшить тепловой эффект. 4 з.п. ф-лы, 6 ил., 3 табл., 2 пр.

 

Область техники

Настоящее устройство относится к осветительному устройству на белых светодиодах, использующему характеристику послесвечения люминесцентного порошка и возбуждаемому импульсным током, что относится к области производства светодиодов. Более конкретно, настоящее изобретение относится к осветительному устройству на белых светодиодах, изготовленному с использованием люминесцентных материалов с синим послесвечением и желтых люминесцентных материалов.

Предпосылки для создания изобретения

В настоящее время светодиоды используются в таких областях, как освещение, визуализация, задняя подсветка и т.д., и как наиболее перспективные осветительные средства следующего поколения светодиоды привлекают большое внимание своими преимуществами энергосбережения, длительности срока службы, отсутствием загрязнений и т.д. Существуют многочисленные решения по реализации белого светодиода, причем наиболее разработанное техническое решение для изготовления белого светодиода в настоящее время заключается в реализации излучения белого света с использованием сочетания синего светодиодного чипа и желтого фосфора. В Томе 11 на странице 53 журнала Appl.Phys.Lett., опубликованного в 1967 г., описан люминесцентный материал Y3Al5O12: Се3+, который имеет желтую люминесценцию с максимальной длиной волны излучаемого света 550 нм и временем существования меньше 100 нс. В Томе 64 на странице 417 журнала Appl.Phys.A, опубликованного в 1997 г., описано, что излучение света белым светодиодом реализовано с использованием желтой люминесценции Y3Al5O12: Се3+ и синего нитрида галлия, и такая технология является наиболее разработанным техническим решением для изготовления белого светодиода в настоящее время. Существующие светодиодные чипы в основном возбуждают постоянным током, имеющим постоянную величину и направление. Но в таком режиме требования к тепловой конструкции светодиода очень высокие, и светодиодные чипы сгорят, если дополнительное тепло нельзя будет своевременно рассеивать.

В патенте КНР №CN 100464111 С раскрыта лампа переменного тока на светодиодах, в которой использованы светодиодные чипы разных цветов, соединенные параллельно в источнике переменного тока. В патенте в основном сказано, что светодиодные чипы разных цветов вместе формируют белый свет, и описана конкретная схема из чипов, излучающих красный, зеленый и синий свет, без упоминания люминесцентного порошка. В патенте США № US 7,489,086, B2 раскрыто устройство для возбуждения светодиода переменного тока и осветительное устройство, в котором оно используется. Патент также описывает конструкцию схемы без инновационного отчета о люминесцентном порошке, при этом все еще применяется традиционный люминесцентный порошок Y3Al5O12: Се3+. Автор этого изобретения исследует люминесцентный материал Y2O3·Al2O3·SiO2: Ce·B·Na·P, имеющий феномен длительного желтого послесвечения, и осветительное устройство на белых светодиодах, возбуждаемое импульсным током (заявка на патент КНР №200910307357.3). Однако в этом изобретении все же не сообщается об осветительном устройстве на белых светодиодах, использующем режим возбуждения импульсным током и характеристику послесвечения этого люминесцентного порошка для компенсации колебаний в выходе света.

Раскрытие изобретения

Цель настоящего изобретения заключается в том, чтобы предложить осветительное устройство на белых светодиодах, возбуждаемое импульсным током.

Техническое решение настоящего изобретения: синие светодиодные чипы или ультрафиолетовые чипы, возбуждаемые импульсным током,+люминесцентные материалы А с синим послесвечением+желтые люминесцентные материалы В. При этом массовое отношение люминесцентных материалов А с синим послесвечением к желтым люминесцентным материалам В составляет 10-70% мас. / 30-90% мас. и предпочтительно 20-50% мас. / 50-80% мас. Осветительное устройство на белых светодиодах возбуждает светодиодные чипы импульсным током, имеющим частоту не меньше чем 50 Гц.

Настоящее изобретение реализует осветительное устройство на белых светодиодах, возбуждаемое импульсным током, этим давая возможность светодиодным чипам работать периодически и с перерывами. В то же время люминесцентный порошок, используемый в настоящем изобретении, имеет эффект послесвечения, который может компенсировать колебания в выходе света осветительного устройства, вызываемые периодическими изменениями импульсного тока.

Кроме того, люминесцентный материал А с синим послесвечением имеет пиковую длину волны излучаемого света 440~490 нм.

Кроме того, люминесцентный материал А с синим послесвечением является по меньшей мере одним из Sr4Al14O25: Eu2+, Dy3+, Sr2MgSi2O7: Eu2+, Dy3+, CaS: Bi3+, Na+, CaS: Cu+, Na+ и CaSrS: Bi3+.

Желтый люминесцентный материал В имеет пиковую длину волны излучаемого света 520~580 нм.

Кроме того, желтый люминесцентный материал В является люминесцентным материалом, имеющим или не имеющим феномен послесвечения или сочетание этого.

Кроме того, желтый люминесцентный материал В является по меньшей мере одним из Y2O3·Al2O3·SiO2: Ce·B·Na·P, Y2O2S: Mg, Ti, Sr3SiO5:Eu2+, Dy3+, Ca2MgSi2O7: Eu2+, Dy3+, CaS: Sm3+, YAG(алюмо-иттриевый гранат): Се и TAG(алюмо-тербиевый гранат): Се.

Белый свет, излучаемый осветительным устройством на белых светодиодах настоящего изобретения, формируется из синего света, излучаемого люминесцентным порошком с синим послесвечением, желтого света, излучаемого желтым люминесцентным порошком, и света от синего или ультрафиолетового светодиодного чипа при возбуждении этого чипа.

Вышеупомянутый люминесцентный порошок также может возбуждаться фиолетовыми и ультрафиолетовыми светодиодными чипами с достижением того же эффекта.

Люминесцентное покрытие настоящего изобретения может быть сформировано путем смешивания люминесцентных материалов А с синим послесвечением и желтых люминесцентных материалов В или путем нанесения покрытия из люминесцентных материалов А с синим послесвечением на чипы с последующим нанесением покрытия из желтых люминесцентных материалов В на люминесцентные материалы А с синим послесвечением.

Принцип осветительного устройства на белых светодиодах, возбуждаемого импульсным током, в настоящем изобретении следующий.

Из схематического изображения базового модуля светодиодного осветительного устройства, показанного на Фиг.1, можно видеть, что из-за периодической характеристики импульсов импульсного тока люминесценция устройства также имеет периодическое изменение светлый - темный, т.е. стробирование люминесценции, этим влияя на использование устройства.

Настоящее изобретение применяет люминесцентные материалы, имеющие характеристики послесвечения, так что свет будет поддерживаться, когда источник света возбуждения исчезает, таким образом в осветительном устройстве на белых светодиодах, возбуждаемом импульсным током, основанном на решении настоящего изобретения, когда цикл тока изменяется на стадию малого тока, материал с синим послесвечением будет излучать синее послесвечение, чтобы компенсировать синий свет и возбуждать желтый люминесцентный порошок, этим устраняя влияние стробирования люминесценции светодиодного чипа, вызываемое колебаниями импульсного тока, так что световой выход устройства во время цикла импульса поддерживается стабильным. Помимо этого, поскольку светодиодный чип не работает в половину каждого цикла импульса, тепловой эффект уменьшается, что выгодно для преодоления серии трудностей, вызываемых нагревом чипа при использовании существующего осветительного устройства на белых светодиодах. Более того, осветительное устройство на белых светодиодах, возбуждаемое импульсным током, настоящего изобретения обладает хорошим рассеянием тепла и длительным сроком службы без использования переключающего устройства со сложной схемой, что очевидно снижает стоимость.

Краткое описание чертежей

Фиг.1 - схема базового светодиодного осветительного устройства, возбуждаемого импульсным током;

Фиг.2 - спектр послесвечения Sr4Al14O25: Eu2+, Dy3+;

Фиг.3 - спектр послесвечения Sr2MgSi2O7: Eu2+,Dy3+;

Фиг.4 - спектр фотолюминесценции Y2O3·Al2O3·SiO2: Се·В·Na·Р; и

Фиг.5 - схема конструкции блока светодиодной люминесценции.

На Фиг.5-1 цифрой 1 обозначено смешанное люминесцентное покрытие, изготовленное из люминесцентных материалов А с синим послесвечением и желтых люминесцентных материалов В; цифрой 2 обозначен синий, фиолетовый или ультрафиолетовый светодиодный чип; и цифрой 3 обозначена линза; и

на Фиг.5-2, цифрой 2 обозначен синий, фиолетовый или ультрафиолетовый светодиодный чип; цифрой 3 обозначена линза; цифрой 5 обозначено покрытие, изготовленное из люминесцентных материалов А с синим послесвечением, и цифрой 4 обозначено покрытие, изготовленное из желтых люминесцентных материалов В.

Вышеизложенное содержание настоящего изобретения кроме того подробно описано посредством нижеописанных вариантов осуществления изобретения в форме примеров. Но следует понимать, что объем предмета настоящего изобретения не ограничивается нижеописанными примерами и любая технология, реализуемая вышеприведенным содержанием настоящего изобретения, должна подпадать под объем настоящего изобретения. В примерах импульсный ток имеет частоту 100 Гц, синий светодиодный чип имеет длину волны излучения 460 нм, фиолетовый светодиодный чип имеет длину волны излучения 400 нм и ультрафиолетовый светодиодный чип имеет длину волны излучения 365 нм.

Подробное описание предпочтительных вариантов осуществления изобретения

Новое осветительное устройство на белых светодиодах состоит из синих светодиодных чипов, люминесцентных материалов А с синим послесвечением и желтых люминесцентных материалов В. При этом массовое отношение люминесцентных материалов А с синим послесвечением к желтым люминесцентным материалам В составляет 10-70% мас. / 30-90% мас., а предпочтительно 20-50% мас. / 50-80% мас. Осветительное устройство на белых светодиодах возбуждает светодиодные чипы импульсным током, имеющим частоту не меньше чем 50 Гц.

При этом люминесцентный материал А с синим послесвечением имеет пиковую длину волны излучаемого света 440-490 нм, например, он может быть одним из или сочетанием следующих материалов: Sr4Al14O25: Eu2+, Dy3+, Sr2MgSi2O7: Eu2+, Dy3+, CaS: Bi3+, Na+, CaS: Cu+, Na+ и CaSrS: Bi3+.

Желтым люминесцентным материалом В может быть люминесцентный материал, имеющий или неимеющий феномен послесвечения или сочетание этого, с пиковой длиной волны излучения света 520-580 нм. Люминесцентный материал, имеющий феномен послесвечения, включает Се-активируемый Y2O3·Аl2O3·SiO2: Ce·B·Na·P, Y2O2S: Mg, Ti, Sr3SiO5: Eu2+, Dy3+, Ca2MgSi2O7: Eu2+, Dy3+ и CaS: Sm3+. Люминесцентный материал, не имеющий феномена послесвечения, включает YAG: Се и TAG: Се.

Белый свет, излучаемый осветительным устройством на белых светодиодах настоящего изобретения, формируется из синего света, излучаемого люминесцентным порошком с синим послесвечением, желтого света, излучаемого желтым люминесцентным порошком, и света от синего светодиодного чипа при возбуждении синего светодиодного чипа.

В настоящем изобретении применены люминесцентные материалы, имеющие характеристики послесвечения, так что свет будет поддерживаться, когда источник света возбуждения исчезает, таким образом в осветительном устройстве на белых светодиодах, возбуждаемом импульсным током, основанном на решении настоящего изобретения, когда изменяется цикл тока, материал с синим послесвечением будет излучать синее послесвечение, чтобы компенсировать синий свет и возбуждать желтый люминесцентный порошок, этим устраняя влияние стробирования люминесценции светодиодного чипа, оказываемого колебаниями импульсного тока на освещение, так что световой выход устройства во время цикла импульса поддерживается стабильным. Помимо этого, поскольку светодиодный чип не работает в половину каждого цикла импульсного тока, тепловой эффект уменьшается, что выгодно для преодоления серии трудностей, вызываемых нагревом чипа при использовании существующего осветительного устройства на белых светодиодах.

Конкретные примеры 1-18 приведены в таблице 1.

Таблица 1
Пример Светодиодный чип Люминесцентный материал А с синим послесвечением (% мас.) Желтый люминесцентный материал В (% мас)
1 Синий 40%Sr4Al14O25: Eu2+, Dy3+ 60%Y2O3·Al2O3·SiO2: Ce·B·Na·P
2 Синий 35%Sr2MgSi2O7: Eu2+, Dy3+ 65%Y3Al5O12: Се
3 Синий 10%Sr2MgSi2O7: Eu2+, Dy3+ 60%Tb3Al5O12: Се
+30%Sr4Al14O25: Eu2+, Dy3+
4 Синий 5%Sr2MgSi2O7: Eu2+, Dyз+ 25%Y2O3·Аl2O3·SiO2: Ce·B·Na·P
+30%Sr4Al14O25: Eu2+, Dyз+ +10%Sr3SiO5: Eu2+, Dy3+
+15%CaS: Bi3+, Na+ +15%Ca2MgSi2O7: Eu2+, Dy3+
5 Синий 10%Sr2MgSi2O7: Eu2+, Dy3+ 5%Y2O2S: Mg, Ti
+15%CaSrS: Bi3+
+35%Sr4Al14O25: Eu2+, Dy3+ +25%Y2O3·Al2O3·SiO2: Ce·B·Na·P
+5%CaS: Bi3+, Na++5%CaS: Cu+, Na+
6 Синий 5%Sr2MgSi2O7: Eu2+, Dy3+ 15%Sr3SiO5: Eu2+, Dy3+
+15%CaSrS: Bi3+ +20%Ca2MgSi2O7: Eu2+, Dy3+
+20%Sr4Al14O25: Eu2+, Dy3+ +25%Y3Аl5O12: Се
7 Синий 35%CaS: Bi3+, Na+ 25%Y2O3·Аl2O3·SiO2: Ce·B·Na·P
+10%CaS: Sm3+
+15%Y2O2S: Mg, Ti
+5%Sr3SiO5: Еu2+, Dy3+
+10%Ca2MgSi2O7: Eu2+, Dy3+
8 Фиолетовый 45%Sr4Al14O25: Eu2+, Dy3+ 55%Y2O3·Al2O3·SiO2: Ce·B·Na·P
9 Фиолетовый 40%Sr2MgSi2O7: Еu2+, Dy3+ 60%Y3Аl5O12: Се
10 Фиолетовый 10%Sr2MgSi2O7: Eu2+, Dy3+ 55%Tb3Al5O12: Се
+35%Sr4Al14O25: Eu2+, Dy3+
11 Фиолетовый 5%Sr2MgSi2O7: Eu2+, Dy3+ 25%Y2O3·Аl2O3·SiO2: Ce·B·Na·P
+25%Sr4Al14O25: Eu2+, Dy3+ +20%Sr3SiO5: Еu2+, Dy3+
+15%CaS: Bi3+, Na+ +10%Ca2MgSi2O7: Eu2+, Dy3+
12 Фиолетовый 10%Sr2MgSi2O7: Eu2+, Dy3+ 10%Y2O2S: Mg, Ti
+10%CaSrS: Вi3+
+35%Sr4Al14O25: Eu2+, Dy3+ +25%Y2O3·Al2O3·SiO2: Ce·B·Na·P
+5%CaS: Bi3+, Na++5%CaS: Cu+, Na+
13 Ультрафиолетовый 40%Sr2MgSi2O7: Eu2+, Dy3+ 60%Y3Аl5O12: Се
14 Ультрафиолетовый 30%Sr4Al14O25: Eu2+, Dy3+ 70%Tb3Аl5O12: Се
15 Ультрафиолетовый 20%Sr2MgSi2O7: Eu2+, Dy3+ 45%Y2O3·Al2O3·SiO2: Ce·B·Na·P
+35%Sr4Al14O25: Eu2+, Dy3+
16 Ультрафиолетовый 10%Sr2MgSi2O7: Eu2+, Dy3+ 30%Y2O3·Аl2O3·SiO2: Ce·B·Na·P
+25%Sr4Al14O25: Eu2+, Dy3+ +15%Sr3SiO5: Eu2+, Dy3+
+5%CaS: Вi3+, Na+ +15%Ca2MgSi2O7: Eu2+, Dy3+
17 Ультрафиолетовый 15%Sr2MgSi2O7: Eu2+, Dy3+ 20%Y2O2S: Mg, Ti
+5%CaSrS: Bi3+
+10%Sr4Al14O25: Eu2+, Dy3+
+5%CaS: Bi3+, Na+ +40%Y2O3·Al2O3·SiO2: Ce·B·Na·P
+5%CaS: Cu+, Na+
18 Ультрафиолетовый 10%Sr2MgSi2O7: Eu2+, Dy3+ 15%Sr3SiO5: Eu2+, Dy3+
+5%CaSrS: Bi3+ +15%Ca2MgSi2O7: Eu2+, Dy3+
+35%Sr4Al14O25: Eu2+, Dy3+ +20%Y3Al5O12: Се

Способ изготовления следующий: просеивание люминесцентных материалов А и В через сетку с ячейкой 500 меш, равномерное смешивание люминесцентных материалов А и B в отношениях, указанных в Примерах 1-18, и упаковка их со светодиодным чипом, имеющим мощность 0,1 Вт, чтобы сформировать осветительное устройство на белых светодиодах с его базовым блоком, показанным на Фиг.1, и импульсный ток имеет частоту 100 Гц.

Проверочный пример 1: характеристики люминесценции светодиодного осветительного устройства настоящего изобретения

Импульсный ток, используемый в настоящем изобретении, имеет частоту 100 Гц, т.е., цикл составляет 10 мс. В таблице 2 указана яркость в пределах 20 мс осветительного устройства, показанного как модуль на Фиг.1, испытанного с помощью скоростной камеры, делающей 300 фотоснимков в секунду, когда светодиодные чипы, указанные в Примерах 1-18, запитаны непосредственно от сети переменного тока. Контрольным образцом является светодиодное осветительное устройство, возбуждаемое импульсным током, которое выполнено таким же образом с белым светодиодным чипом и с имеющимся в продаже синим чипом, упакованным с желтым люминесцентным материалом. Данные по яркости в таблице 2 являются относительной проверяемой яркостью прибора и не имеют размерности.

Таблица 2
Время 3,33 мс 6,66 мс 9,99 мс 13,32 мс 16,65 мс 19,98 мс
Яркость контрольного образца 3565 3466 69 3253 3570 81
Яркость примера 1 3436 3425 1835 3487 3500 1916
Пример 2 3160 3230 1760 2980 3123 1783
Пример 3 2786 2963 1600 2935 2963 1562
Пример 4 2790 2900 1652 2723 2845 1593
Пример 5 2543 2669 1512 2711 2814 1612
Пример 6 2621 2736 1650 2789 2698 1701
Пример 7 2317 2423 1502 2504 2642 1490
Пример 8 2793 2851 1711 2860 2894 1723
Пример 9 2714 2802 1250 2732 2800 1196
Пример 10 2316 2631 1436 2403 2532 1399
Пример 11 2588 2723 1563 2711 2733 1600
Пример 12 2222 2434 1436 2412 2436 1283
Пример 13 2633 2749 1504 2737 2765 1490
Пример 14 2763 2810 1477 2677 2714 1511
Пример 15 2454 2671 1512 2555 2545 1563
Пример 16 2637 2697 1400 2710 2721 1507
Пример 17 2332 2431 1365 2412 2455 1400
Пример 18 2679 2788 1566 2757 2800 1571

Как можно видеть из данных в таблице 2, люминесценция настоящего изобретения стабильна во время цикла импульсного тока, тогда как люминесценция осветительного устройства на белых светодиодах с имеющимся в продаже синим чипом, упакованным с известным желтым люминесцентным материалом YAG, не имеющим послесвечения, нестабильна и очень явно колеблется во время цикла импульсного тока.

Проверочный пример 2: ослабление света светодиодного осветительного устройства настоящего изобретения

В таблице 3 приведены данные по ослаблению света Примеров 1-18 и контрольного образца. Контрольным образцом является осветительное устройство, выполненное путем установки белого светодиодного чипа с имеющимся в продаже синим чипом, упакованным с желтым люминесцентным материалом, в настоящее время в режиме электропитания от источника постоянного тока. Способ испытания следующий: подача электропитания на светодиодные осветительные устройства, возбуждаемые импульсным током, Примеров 1-18 и контрольный образец и проверка их яркости после определенного интервала времени. Результаты показаны в таблице 3, при этом данные являются относительной яркостью и нормализованы исходными данными.

Таблица 3
Время 1 ч 1000 ч 1500 ч 2500 ч
Яркость контрольного образца 100 98 97 94
Яркость примера 1 100 99,8 99,4 99,2
Пример 2 100 99,5 99,1 99
Пример 3 100 99,5 99 98,6
Пример 4 100 99,7 99,3 99
Пример 5 100 99,8 99,5 98,7
Пример 6 100 99,5 99 98
Пример 7 100 99,4 99 98,3
Пример 8 100 99,7 99,2 99
Пример 9 100 99,5 99 98
Пример 10 100 99,6 99 98,6
Пример 11 100 99,5 99 98
Пример 12 100 99,4 99 98,3
Пример 13 100 99,5 99 98
Пример 14 100 99,6 99,2 98
Пример 15 100 99,5 99,1 98,3
Пример 16 100 99,8 99,2 99
Пример 17 100 99,5 99,3 98,5
Пример 18 100 99,5 99,4 98,4

Как можно видеть из данных таблицы 3, ослабление яркости осветительного устройства на белых светодиодах, возбуждаемого импульсным током, настоящего изобретения меньше ослабления яркости светодиодного осветительного устройства, использующего существующий режим.

Данные таблиц 2-3 показывают, что осветительное устройство на белых светодиодах, возбуждаемое импульсным током, изготовленное с люминесцентными материалами с послесвечением согласно настоящему изобретению, лучше по стабильной люминесценции и небольшому ослаблению света и посредством этого имеет очевидную новизну и изобретательский уровень по сравнению с существующим светодиодным осветительным устройством.

1. Осветительное устройство на белых светодиодах, возбуждаемое импульсным током, отличающееся тем, что
включает упакованные внутри синие, фиолетовые или ультрафиолетовые светодиодные чипы и люминесцентное покрытие, использующее люминесцентный материал, причем люминесцентный материал является сочетанием (1) или (2) люминесцентного материала А с синим послесвечением и желтого люминесцентного материала В, причем желтый люминесцентный материал В способен излучать свет при возбуждении синих, фиолетовых или ультрафиолетовых чипов и/или возбуждении люминесцентного материала А с синим послесвечением,
где сочетание (1) представляет собой сочетание
5% Sr2MgSi2O7:Eu2+,Dy3+ + 15% CaSrS:Bi3+ + 20% Sr4Al14O25:Eu2+,Dy3+
и
15% Sr3SiO5:Eu2+,Dy3+ + 20% Ca2MgSi2O7:Eu2+,Dy3+ + 25% Y3Al5O12:Се,
а сочетание (2) представляет собой сочетание
35% CaS:Br3+,Na+
и
25% Y2O3·Al2O3·SiO2:Ce·B·Na·P + 10 %CaS:Sm3+ + 15% Y2O2S:Mg,Ti + 5% Sr3SiO5:Eu2+,Dy3+ + 10% Ca2MgSi2O7:Eu2+,Dy3+,
причем осветительное устройство на белых светодиодах возбуждает светодиодные чипы импульсным током, имеющим частоту не меньше чем 50 Гц.

2. Осветительное устройство на белых светодиодах по п.1, отличающееся тем, что люминесцентный материал А с синим послесвечением имеет пиковую длину волны излучаемого света 440÷490 нм.

3. Осветительное устройство на белых светодиодах по п.1, отличающееся тем, что желтый люминесцентный материал В имеет пиковую длину волны излучаемого света 520÷580 нм.

4. Осветительное устройство на белых светодиодах по любому из пп.1-3, отличающееся тем, что люминесцентное покрытие формируют путем смешивания люминесцентного материала А с синим послесвечением и желтого люминесцентного материала В.

5. Осветительное устройство на белых светодиодах по любому из пп.1-3, отличающееся тем, что люминесцентное покрытие состоит из покрытия из люминесцентного материала А с синим послесвечением и покрытия из желтого люминесцентного материала В.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области светоизлучающих диодов Согласно изобретению предложен способ формирования герметизации светоизлучающих диодов, причем способ содержит этапы, на которых определяют геометрическую форму для герметизации; выбирают ограждающий материал; наносят ограждающий материал на подложку для формирования границы, определяющей пространство, имеющее геометрическую форму, причем указанное нанесение содержит нанесение ограждающего материала при помощи автоматического распыления; и наполняют пространство герметизирующим материалом для формирования герметизации.

Использование: для излучения света посредством светоизлучающих диодов. Сущность изобретения заключается в том, что светодиодное (LED) устройство содержит металлическую подложку, имеющую отражающую поверхность, и множество светодиодных кристаллов, установленных непосредственно на отражающей поверхности металлической подложки, чтобы обеспечить возможность рассеяния тепла, при этом, по меньшей мере, часть светодиодных (LED) кристаллов размещена на расстоянии друг от друга, чтобы обеспечить возможность отражения света от части отражающей поверхности, которая расположена между частями светодиодных (LED) кристаллов, а также электрическую цепь, сформированную путем соединения светодиодных (LED) кристаллов кристалл к кристаллу.

Изобретение относится к области светотехники. Техническим результатом является увеличение угла излучения.

Изобретение относится к области светотехники. Техническим результатом является обеспечение низкого потребления энергии и упрощение изготовления.

Изобретение относится к оптическим устройствам и способам их изготовления. Предложено оптическое устройство, включающее светоизлучающий или светочувствительный элемент, установленный на подложку, и отвержденный кремнийорганический материал, объединенные в единое изделие в результате герметизации элемента кремнийорганической композицией, отверждаемой с помощью реакции гидросилилирования, причем поверхность отвержденного кремнийорганического материала обработана полиорганосилоксаном, который включает по меньшей мере три атома водорода, связанных с атомами кремния, в одной молекуле.

Источник (1) инфракрасного излучения содержит первичный преобразователь (2) энергии с токоподводящими контактами (3) и активную область (4) с оптической толщиной в направлении вывода излучения, не превышающей двойного значения обратной величины среднего коэффициента поглощения активной области в диапазоне энергий квантов излучения источника (1).

Способ изготовления полупроводникового светоизлучающего устройства согласно изобретению включает выращивание множества III-нитридных полупроводниковых структур на подложке, причем каждая полупроводниковая структура включает в себя светоизлучающий слой, расположенный между областью n-типа и областью р-типа; подложка включает в себя основание, множество участков III-нитридного материала, разделенных углублениями, причем углубления простираются через всю толщину III-нитридного материала, который формирует упомянутые структуры, связывающий слой, расположенный между основанием и множеством участков III-нитридного материала; при этом светоизлучающий слой каждой полупроводниковой структуры имеет значение постоянной решетки, большее чем 3,19 ангстрем; и формирование проводящего материала, который электрически соединяет две из III-нитридных полупроводниковых структур.

Предложено светодиодное светоизлучающее устройство, в котором упрощена регулировка цветовой температуры белого света, при этом светодиодное светоизлучающее устройство содержит множество блоков светоизлучения разных типов, содержащих, соответственно, светодиодные элементы, которые испускают ультрафиолетовое излучение или видимый свет фиолетового цвета, и люминофоры, которые поглощают ультрафиолетовое излучение или видимый свет фиолетового цвета и излучают цветной свет; причем цветной свет, излучаемый множеством блоков светоизлучения разных типов, смешивается и становится белым светом; светодиодные элементы указанного множества блоков светоизлучения разных типов являются одинаковыми и смонтированы на одном основании; и два или более блоков светоизлучения частично перекрывают друг друга.

Изобретение относится к изготовлению и производству интегральных светоизлучающих приборов. Способ согласно изобретению включает размещение светоизлучающих элементов (СЭ) в замкнутом поле (ЗП) повторяющимися группами (Г) с виртуальными номерами гирлянд внутри Г вначале в прямом порядке, затем в обратном.

Изобретение относится к области оптического приборостроения. Светодиодное устройство согласно изобретению включает один или несколько излучателей-чипов, установленных по любой топографии на единую плоскую подложку и покрытых общим слоем компаунда-геля, возможно с кристаллами люминофора, и пластину из оптического материала, размещенную без воздушного промежутка на плоской поверхности геля.

Изобретение относится к агросадоводческой почвопокровной пленке. .
Изобретение относится к фоторефрактивному материалу и может быть использовано в оптоэлектронных устройствах, в процессах записи динамических голограмм и других фотонных технологиях.

Изобретение относится к области физико-химической защиты от подделок ценных бумаг. .

Изобретение относится к химическим покрытиям, используемым при лазерном упрочнении изделий с целью увеличения твердости и глубины закалки металлической поверхности изделия.

Изобретение относится к полупроводниковом материалам на основе аморфного гидрированного кремния, который может быть использован, например, для изготовления фотоприемников и позволяет увеличить фоточувствительность.

Изобретение относится к оптическим элементам с переменнь М светопропусканием и позволяет повысить эффективность измерения оптической плотности жидкостного светофильтра, включающего хлориды кобальта и лития, спирт и воду.

Изобретение относится к получению пластичных материалов для радиографического контроля и позволяет увеличить коэффициент линейного ослабления ионизируюш51х излучений за счет повьппения однородности состава пластичного компенсатора на основе сурика и органического связующего при нагревании и уменьшить усадку его при охлаждении.
Изобретение может быть использовано в биологических и медицинских исследованиях. Пористые частицы карбоната кальция формируют в результате реакции CaCl2+2NaHCO3→CaCO3↓+2NaCl+2H+, причем водный раствор квантовых точек, модифицированных избыточным количеством меркаптоуксусной кислоты, имеющей концентрацию 0,05-4 мг/мл, при интенсивном перемешивании приливают к 0,3 М раствору NaHCO3.
Наверх