Волноводная структура с разрешенными и запрещенными зонами

Изобретение относится к устройствам обработки и коммутации СВЧ-сигналов на полупроводниковых приборах и предназначено для использования в телекоммуникационных системах, электрически управляемых устройствах СВЧ-электроники, таких как полосовые или селективные фильтры, антенны, перестраиваемые генераторы. Техническим результатом является создание волноводной СВЧ-структуры с электрически управляемыми характеристиками разрешенных и запрещенных зон при уменьшенных прямых потерях. Для этого в волноводную структуру с разрешенными и запрещенными зонами, содержащую диафрагму с рамочными элементами связи, расположенными по обе стороны диафрагмы, и полупроводниковый элемент с электрически управляемой проводимостью, введена по крайней мере в один рамочный элемент по крайней мере одна неоднородность типа «штырь с зазором», в зазор одной из которых помещен полупроводниковый элемент с электрически управляемой проводимостью. 5 ил.

 

Изобретение относится к устройствам обработки и коммутации СВЧ-сигналов на полупроводниковых приборах и предназначено для использования в телекоммуникационных системах, электрически управляемых устройствах СВЧ-электроники, таких как полосовые или селективные фильтры, антенны, перестраиваемые генераторы.

Известно устройство на основе диафрагмы и отрезков короткозамкнутых двухпроводных линий («Электроника СВЧ», №7, 1976 г., с.93-95), имеющее запрещенную и разрешенную зоны. Данное устройство может быть использовано в качестве широкополосного СВЧ-фильтра.

Однако данное устройство не может быть использовано в качестве перестраиваемого СВЧ-резонатора.

Известно устройство (см. патент РФ №2407114, МПК H01P1/00), представляющее собой отрезок волновода, содержащий частотно-селективный элемент и элемент для регулирования затухания. Частотно-селективный элемент выполнен в виде одномерного волноводного фотонного кристалла с нарушением периодичности в виде измененной толщины и/или диэлектрической проницаемости центрального слоя. После фотонного кристалла по направлению распространения электромагнитной волны включен элемент для регулирования затухания, выполненный в виде р-i-n-диодной структуры, подключенной к источнику питания с регулируемым напряжением. Выбором количества и параметров слоев в фотонном кристалле определяется ширина частотной области пропускания, выбором толщины или диэлектрической проницаемости достигается настройка центральной частоты этой области. Для реализации управления величиной пропускания в этой области используется р-i-n-диодная структура.

Однако данное устройство не позволяет осуществлять электрическую частотную перестройку резонансной моды колебаний (резонансной особенности).

Наиболее близким к предлагаемому решению является полупроводниковый СВЧ-модулятор с рамочным элементом связи («Электроника СВЧ», сер.1, №1, 1975 г., с.35-37), представляющий собой отрезок прямоугольного волновода, перегороженный диафрагмой с отверстием, в которое помещена полупроводниковая управляющая структура, например p-i-n-диод или диод с точечным контактом металл-полупроводник. По обе стороны диафрагмы располагаются рамочные элементы связи, соединенные с полупроводниковой управляющей структурой. Плоскости рамок совпадают с E-плоскостью, проходящей через середину широкой стенки волновода.

Однако в данной конструкции реализуется только инверсный режим электрического переключения передаваемой мощности СВЧ-сигнала, отсутствует возможность селективного управления выходным сигналом и прямые потери составляют более 4 дБ.

Задачей настоящего изобретения является создание волноводной СВЧ-структуры с электрически управляемыми характеристиками разрешенных и запрещенных зон при уменьшенных прямых потерях.

Техническим результатом изобретения является снижение прямых потерь, а также расширение функциональных возможностей, связанных с:

- созданием в запрещенной (разрешенной) зоне резонансной моды колебаний (резонансной особенности);

- возможностью «электрического» управления резонансной модой колебаний.

Поставленная задача достигается тем, что в волноводной структуре с разрешенными и запрещенными зонами, содержащей диафрагму с рамочными элементами связи, расположенными по обе стороны диафрагмы, и полупроводниковый элемент с электрически управляемой проводимостью, согласно решению по крайней мере в один рамочный элемент введена по крайней мере одна неоднородность типа «штырь с зазором», в зазор одной из которых помещен полупроводниковый элемент с электрически управляемой проводимостью.

Сущность изобретения заключается в том, что:

- создание в запрещенной (разрешенной) зоне резонансной моды колебаний (резонансной особенности) обеспечивается введением неоднородностей типа «штырь с зазором» в структуру на основе диафрагмы и системы связанных рамочных элементов;

- управление резонансной особенностью осуществляется изменением величины тока, протекающего через полупроводниковую n-i-p-i-n-структуру, помещенную в зазор между штырем и рамочным элементом.

Оригинальность данного изобретения заключается в следующем:

- в качестве неоднородностей используются конструкции типа «штырь с зазором», изготовленные из медной проволоки диаметром 1 мм;

- в качестве управляющего элемента используется n-i-p-i-n-структура, помещенная в зазор между штырем и рамочным элементом.

Устройство поясняется чертежами:

на фиг. 1 представлен общий вид волноводной структуры на основе диафрагмы и системы связанных рамочных элементов, характеризующихся наличием запрещенной зоны;

на фиг. 2 а представлены амплитудно-частотные зависимости коэффициента отражения (кривая 1) и коэффициента прохождения (кривая 2) СВЧ-элемента на основе диафрагмы и системы связанных рамочных элементов, не содержащей неоднородности;

на фиг. 2 б представлены амплитудно-частотные зависимости коэффициента отражения (кривая 1) и коэффициента прохождения (кривая 2) СВЧ-элемента на основе диафрагмы и системы связанных рамочных элементов, содержащей неоднородности типа «штырь с зазором»;

на фиг. 3 представлены амплитудно-частотные характеристики коэффициента отражения вблизи пика пропускания запрещенной зоны СВЧ-элемента;

на фиг. 4 представлен общий вид волноводной структуры на основе диафрагмы и системы связанных рамочных элементов, характеризующихся наличием разрешенной зоны;

на фиг. 5 представлены амплитудно-частотные характеристики коэффициента прохождения исследуемого СВЧ-элемента в диапазоне частот 8-12 ГГц;

где

1 - отрезок волновода сечением 23 мм × 10 мм;

2 - металлическая диафрагма толщиной 0.3 мм;

3 - отверстие в диафрагме (диаметром 3.5 мм);

4 - рамочный элемент, изготовленный из медной проволоки диаметром 1 мм;

5 - неоднородность типа «штырь с зазором»;

6 - неоднородность типа «штырь с зазором»;

7 - неоднородность типа «штырь с зазором»;

8 - полупроводниковая n-i-p-i-n-структура;

9 - частотная зависимость коэффициента отражения волноводной структуры на основе диафрагмы и системы связанных рамочных элементов, не содержащей неоднородности;

10 - частотная зависимость коэффициента прохождения волноводной структуры на основе диафрагмы и системы связанных рамочных элементов, не содержащей неоднородности;

11 - частотная зависимость коэффициента отражения волноводной структуры на основе диафрагмы и системы связанных рамочных элементов, содержащей неоднородности типа «штырь с зазором»;

12 - частотная зависимость коэффициента прохождения волноводной структуры на основе диафрагмы и системы связанных рамочных элементов, содержащей неоднородности типа «штырь с зазором»;

13 - амплитудно-частотная характеристика волноводной структуры на основе диафрагмы и системы связанных рамочных элементов, с неоднородностью типа «штырь с зазором» и полупроводниковой n-i-p-i-n-структурой, для значения протекающего через нее тока - I=0 мА;

14 - амплитудно-частотная характеристика волноводной структуры на основе диафрагмы и системы связанных рамочных элементов, с неоднородностью типа «штырь с зазором» и полупроводниковой n-i-p-i-n-структурой, для значения протекающего через нее тока - I=20 мА;

15 - амплитудно-частотная характеристика волноводной структуры на основе диафрагмы и системы связанных рамочных элементов, с неоднородностью типа «штырь с зазором» и полупроводниковой n-i-p-i-n-структурой, для значения протекающего через нее тока - I=30 мА;

16 - амплитудно-частотная характеристика волноводной структуры на основе диафрагмы и системы связанных рамочных элементов, с неоднородностью типа «штырь с зазором» и полупроводниковой n-i-p-i-n-структурой, для значения протекающего через нее тока - I=40 мА;

17 - амплитудно-частотная характеристика волноводной структуры на основе диафрагмы и системы связанных рамочных элементов, с неоднородностью типа «штырь с зазором» и полупроводниковой n-i-p-i-n-структурой, для значения протекающего через нее тока - I=60 мА;

18 - амплитудно-частотная характеристика волноводной структуры на основе диафрагмы и системы связанных рамочных элементов, с неоднородностью типа «штырь с зазором» и полупроводниковой n-i-p-i-n-структурой, для значения протекающего через нее тока - I=80 мА;

19 - амплитудно-частотная характеристика волноводной структуры на основе диафрагмы и системы связанных рамочных элементов, с неоднородностью типа «штырь с зазором» и полупроводниковой n-i-p-i-n-структурой, для значения протекающего через нее тока - I=140 мА;

20 - амплитудно-частотная характеристика волноводной структуры на основе диафрагмы и системы связанных рамочных элементов, с неоднородностью типа «штырь с зазором» и полупроводниковой n-i-p-i-n-структурой, для значения протекающего через нее тока - I=320 мА;

21 - отрезок волновода сечением 23 мм × 10 мм;

22 - металлическая диафрагма толщиной 0.3 мм;

23 - отверстие в диафрагме (диаметром 3.5 мм);

24 - рамочный элемент, изготовленный из медной проволоки диаметром 1 мм;

25 - неоднородность типа «штырь с зазором»;

26 - полупроводниковая n-i-p-i-n-структура;

27 - амплитудно-частотная характеристика коэффициента прохождения вблизи пика запирания разрешенной зоны волноводной структуры с неоднородностью типа «штырь с зазором» и полупроводниковой n-i-p-i-n-структурой, для значения протекающего через нее тока - I= 0 мА;

28 - амплитудно-частотная характеристика коэффициента прохождения вблизи пика запирания разрешенной зоны волноводной структуры с неоднородностью типа «штырь с зазором» и полупроводниковой n-i-p-i-n-структурой, для значения протекающего через нее тока - I=1 мА;

29 - амплитудно-частотная характеристика коэффициента прохождения вблизи пика запирания разрешенной зоны волноводной структуры с неоднородностью типа «штырь с зазором» и полупроводниковой n-i-p-i-n-структурой, для значения протекающего через нее тока - I=3 мА;

30 - амплитудно-частотная характеристика коэффициента прохождения вблизи пика запирания разрешенной зоны волноводной структуры с неоднородностью типа «штырь с зазором» и полупроводниковой n-i-p-i-n-структурой, для значения протекающего через нее тока - I=10 мА;

31 - амплитудно-частотная характеристика коэффициента прохождения вблизи пика запирания разрешенной зоны волноводной структуры с неоднородностью типа «штырь с зазором» и полупроводниковой n-i-p-i-n-структурой, для значения протекающего через нее тока - I=40 мА;

32 - амплитудно-частотная характеристика коэффициента прохождения вблизи пика запирания разрешенной зоны волноводной структуры с неоднородностью типа «штырь с зазором» и полупроводниковой n-i-p-i-n-структурой, для значения протекающего через нее тока - I=60 мА;

33 - амплитудно-частотная характеристика коэффициента прохождения вблизи пика запирания разрешенной зоны волноводной структуры с неоднородностью типа «штырь с зазором» и полупроводниковой n-i-p-i-n-структурой, для значения протекающего через нее тока - I=190 мА;

34 - амплитудно-частотная характеристика коэффициента прохождения вблизи пика запирания разрешенной зоны волноводной структуры с неоднородностью типа «штырь с зазором» и полупроводниковой n-i-p-i-n-структурой, для значения протекающего через нее тока - I=300 мА.

Ниже представлен пример технической реализации волноводной структуры на основе диафрагмы и системы связанных рамочных элементов, характеризующихся наличием запрещенной зоны.

Общий вид волноводной структуры на основе диафрагмы и системы связанных рамочных элементов, характеризующихся наличием запрещенной зоны, представлен на фиг. 1.

В отрезке волновода 1 сечением 23 мм × 10 мм, перпендикулярно направлению распространения электромагнитного излучения, расположена металлическая диафрагма 2 толщиной 0.3 мм. Через отверстие 3 (диаметром 3.5 мм) в диафрагме 2 проходит рамочный элемент 4, изготовленный из медной проволоки диаметром 1 мм, обеспечивающий в определенном диапазоне частот передачу электромагнитного излучения из «одного» плеча волноведущей системы в «другое» и наоборот. Центр отверстия 3 находится на расстоянии 11.5 мм от узкой и 8.2 мм от широкой стенок волновода. Система связанных рамочных элементов 4 состоит из двух рамок, расположенных в волноводе по обе стороны от диафрагмы с отверстием, таким образом, что один конец рамок является общим, а свободные концы соединены с металлической мембраной 2. Размеры рамок определяют диапазоны частот (см. фиг. 2, а) разрешенных и запрещенных для передачи электромагнитного излучения через диафрагму.

Для создания запрещенной зоны размеры рамочных элементов выбирают кратными целому числу полуволн распространяющегося в волноводе электромагнитного излучения.

Для создания в запрещенной зоне исследуемой системы резонансной особенности в виде окна прозрачности (см. фиг. 2, б) вводятся неоднородности типа «штырь с зазором» (позиции 5-7 на фиг. 1), выполненные из медной проволоки диаметром 1 мм.

Контактные площадки прямоугольной формы, размером 2 мм × 1 мм каждая, напаивались на обе стороны зазора конструкции типа «штырь с зазором», расположенной на расстоянии 14 мм справа от плоскости диафрагмы. Полупроводниковая n-i-p-i-n-структура (позиция 8 на фиг. 1) механически зажималась между контактными площадками (см. фиг. 1). Подключение источника питания к n-i-p-i-n-структуре осуществлялось с помощью тонкого проволочного вывода через отверстие в узкой стенке волновода.

Высокочастотные характеристики исследуемого СВЧ-элемента на основе диафрагмы и системы связанных рамочных элементов исследовались с помощью векторного анализатора цепей Agilent PNA-L Network Analyzer N5230A.

На фиг. 3 представлены амплитудно-частотные характеристики коэффициента отражения вблизи пика пропускания запрещенной зоны СВЧ-элемента для такой конструкции.

Таким образом, полученные зависимости показывают возможность эффективного управления характеристиками резонансной особенности в запрещенной зоне исследуемой структуры с использованием n-i-p-i-n-структуры.

Рассмотрим пример технической реализации волноводной структуры на основе диафрагмы и системы связанных рамочных элементов, характеризующихся наличием разрешенной зоны.

Общий вид волноводной структуры на основе диафрагмы и системы связанных рамочных элементов, характеризующихся наличием разрешенной зоны, представлен на фиг. 4.

В отрезке волновода 21 сечением 23 мм × 10 мм, перпендикулярно направлению распространения электромагнитного излучения, расположена металлическая диафрагма 22 толщиной 0.3 мм. Через отверстие 23 (диаметром 3.5 мм) в диафрагме 22 проходит рамочный элемент 24, изготовленный из медной проволоки диаметром 1 мм, обеспечивающий в определенном диапазоне частот передачу электромагнитного излучения из «одного» плеча волноведущей системы в «другое» и наоборот. Центр отверстия 3 находится на расстоянии 11.5 мм от узкой и 8.2 мм от широкой стенок волновода. Система связанных рамочных элементов 24 состоит из двух рамок, расположенных в волноводе по обе стороны от диафрагмы с отверстием, таким образом, что один конец рамок является общим, а свободные концы соединены с металлической мембраной 22. Размеры рамок определяют диапазоны частот, разрешенных и запрещенных для передачи электромагнитного излучения через диафрагму.

Для создания разрешенной зоны размеры рамочных элементов выбирают кратными целому нечетному числу λ/4 распространяющегося в волноводе электромагнитного излучения.

Для создания в запрещенной зоне исследуемой системы резонансной особенности в виде окна прозрачности вводится неоднородность типа «штырь с зазором» (позиция 25 на фиг. 4), выполненная из медной проволоки диаметром 1 мм.

Контактные площадки прямоугольной формы, размером 2 мм × 1 мм каждая, напаивались на обе стороны зазора конструкции типа «штырь с зазором», расположенной на расстоянии 20 мм справа от плоскости диафрагмы. Полупроводниковая n-i-p-i-n-структура механически зажималась между контактными площадками (см. фиг.4). Подключение источника питания к n-i-p-i-n-структуре осуществлялось с помощью тонкого проволочного вывода через отверстие в узкой стенке волновода.

Высокочастотные характеристики исследуемого СВЧ-элемента на основе диафрагмы и системы связанных рамочных элементов исследовались с помощью векторного анализатора цепей Agilent PNA-L Network Analyzer N5230A.

Реализованная конструкция обеспечивает возникновение разрешенной зоны в диапазоне частот 8.67-11.12 ГГц.

На фиг. 5 представлены амплитудно-частотные характеристики коэффициента прохождения вблизи пика запирания разрешенной зоны исследуемого СВЧ-элемента для различных значений тока, протекающего через n-i-p-i-n-структуру.

На вставке фиг. 5 представлены амплитудно-частотные характеристики коэффициента прохождения исследуемого СВЧ-элемента в диапазоне частот 8-12 ГГц.

Как следует из полученных результатов, изменение величины протекающего тока от 0.0 до 300.0 мА при изменении напряжения смещения от 0.0 В до 0.9 В n-i-p-i-n-структуры приводит к изменению коэффициента прохождения от -25,0 дБ до -1,5 дБ на частоте 9.644 ГГц, при этом положение пика запирания изменялось от 10.079 ГГц до 9.644 ГГц.

Таким образом, из полученных результатов следует, что динамический диапазон изменения коэффициента пропускания на резонансной частоте составляет 23.5 дБ. Рассматриваемый диапазон изменения удельной электропроводности соответствует электрическим характеристикам n-i-p-i-n-структуры (типа 2А505), используемой в эксперименте.


Волноводная структура с разрешенными и запрещенными зонами, содержащая диафрагму с рамочными элементами связи, расположенными по обе стороны диафрагмы, и полупроводниковый элемент с электрически управляемой проводимостью, отличающаяся тем, что по крайней мере в один рамочный элемент введена по крайней мере одна неоднородность типа «штырь с зазором», в зазор одной из которых помещен полупроводниковый элемент с электрически управляемой проводимостью.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к микроволновой технике и предназначено для применения в бортовой аппаратуре радиолокационных, коммуникационных и измерительных систем, подверженных воздействию внешних факторов.

Изобретение относится к технике СВЧ. Технический результат - повышение надежности и скорости переключения, увеличение уровня выходной мощности и уровня радиационной стойкости.

Изобретение относится к области полупроводниковых изделий. Технический результат - повышение надежности устройства путем снижения влияния DX центров, повышения плотности электронов и устранения деградации в гетероструктуре.

Изобретение относится к области полупроводниковых изделий, Технический результат - повышение надежности устройства путем снижения влияния DX центров, повышения плотности электронов и устранения деградации в гетероструктуре.

Изобретение относится к области полупроводниковых изделий. Технический результат - повышение надежности устройства путем снижения влияния DX центров, повышения плотности электронов и устранения деградации в гетероструктуре.

Использование: изобретение относится к устройствам, обеспечивающим постоянный фазовый сдвиг между компенсирующей линией и фазосдвигающим каналом (ФК) в широкой полосе частот.

Изобретение относится к электронной и ускорительной технике, а именно к вакуумноплотным волноводным окнам ввода-вывода энергии длинноволновой части СВЧ диапазона.

Изобретение относится к области радиотехники, в частности к развязывающим устройствам дециметрового и сантиметрового диапазонов длин волн, и может быть использовано в качестве функционального узла в приемопередающих трактах радиотехнических систем как коммутирующее устройство, а также для развязки источника сигнала от нагрузки.

Устройство формирования нано- и субнаносекундных СВЧ-импульсов относится к радиотехнике и может быть использовано для формирования мощных СВЧ-импульсов наносекундной длительности с частотой следования входного микросекундного СВЧ-импульса, а также серии СВЧ-импульсов субнаносекундной длительности в пределах входного импульса, генерируемого в частотно-периодическом режиме.

Изобретение относится к области радиотехники и может быть использовано в приемо-передающих трактах радиотехнических систем для обеспечения развязки и коммутации сигналов.

Изобретение относится к волноводам мультиплексоров, встроенных в космическое оборудование для спутников. Технический результат состоит в создании малогабаритного и простого во внедрении термоэластичного воздействующего устройства, позволяющего обеспечить фазовую стабильность волновода. Для этого компактное термоэластичное воздействующее устройство (15) содержит, по меньшей мере, две идентичные усилительные детали (10a, 10b, 10c, 10d) и удерживающую деталь (11), при этом удерживающая деталь имеет коэффициент теплового расширения, меньший коэффициента теплового расширения усилительных деталей. Усилительные детали (10a, 10b, 10c, 10d) установлены обращенными в противоположные стороны одна возле другой параллельно продольной оси Y и линейно смещены одна относительно другой вдоль продольной оси Y. Удерживающая деталь (11) содержит два конца, соответственно соединенных с внешними концами каждой усилительной детали, а внутренние концы каждой усилительной детали расположены под средней зоной (14) удерживающей детали (11). 3 н. и 10 з.п. ф-лы, 12 ил.

Изобретение предназначено для формирования задающих цепей генераторов, устройств частотной селекции и др. Техническим результатом изобретения является увеличение отношения первых двух резонансных частот полоскового резонатора при сохранении высокой добротности и миниатюрности и позволяет расширить протяженность полосы заграждения полосно-пропускающих фильтров на его основе. Резонатор содержит подвешенную между экранами диэлектрическую подложку, на одну поверхность которой нанесены полосковые металлические проводники, идентичные по форме и разделенные тонкими диэлектрическими слоями, причем проводники с нечетными номерами одним концом короткозамкнуты с одной стороны подложки, а с четными номерами - с противоположной стороны подложки, причем разомкнутые концы проводников с четными номерами гальванически соединены друг с другом через диэлектрические слои посредством металлических перемычек с одного края подложки, а с нечетными номерами - с противоположного края подложки. 3 ил.

Изобретения относятся к областям радиосвязи, радиолокации, радионавигации и радиоэлектронной борьбы и могут быть использованы для создания устройств усиления и частотной демодуляции. Техническим результатом изобретения является увеличение динамического диапазона и квазилинейного участка частотной демодуляционной характеристики благодаря наличию резистивного четырехполюсника и согласования с помощью сложного комплексного двухполюсника, используемого в качестве высокочастотной нагрузки, по критерию формирования квазилинейного участка левого склона АЧХ, совпадающего с диапазоном изменения частоты входного ЧМС. Для достижения технического результата предложены способ усиления и демодуляции частотно-модулированных сигналов и устройство для реализации способа. Устройство усиления и демодуляции частотно-модулированных сигналов выполнено из источника постоянного напряжения, цепи прямой передачи в виде трехполюсного нелинейного элемента, четырехполюсника, цепи внешней обратной связи, фильтра нижних частот, разделительной емкости и низкочастотной нагрузки, при этом четырехполюсник выполнен резистивным, в качестве цепи внешней обратной связи использован произвольный комплексный четырехполюсник, подключенный к трехполюсному нелинейному элементу по параллельно-последовательной схеме, трехполюсный нелинейный элемент и цепь обратной связи как единый узел каскадно включены между источником частотно-модулированного сигнала с комплексным сопротивлением и входом резистивного четырехполюсника, между выходом резистивного четырехполюсника и фильтром нижних частот включена высокочастотная нагрузка в виде сложного двухполюсника с комплексным сопротивлением zн, который сформирован из последовательно соединенных первого резистивного двухполюсника с сопротивлением R1, конденсатора с емкостью С, произвольного комплексного двухполюсника с сопротивлением Z0=R0+jX0 и параллельно соединенных между собой второго резистивного двухполюсника с сопротивлением R2 и катушки с индуктивностью L, параметры R1, R2, L, С выбраны из условия согласования по критерию одновременного обеспечения усиления и частотной демодуляции в соответствии с приведенными математическими выражениями. 2 н.п. ф-лы, 3 ил.

Изобретение относится к технике СВЧ и представляет собой волноводный переключатель. Переключатель содержит концентрично расположенные статор и ротор с выполненными в них волноводными каналами, узел управления, устройство фиксации ротора относительно статора и исполнительное устройство. Исполнительное устройство представляет собой концентрично расположенные магнитопровод в виде кольца и ротор. Магнитопровод имеет на внутренней поверхности четное количество зубьев не менее четырех, располагающихся симметрично относительно оси симметрии магнитопровода в каждой паре зубьев. На каждый зубец намотана катушка индуктивности. Катушки, находящиеся на зубцах каждой пары, электрически соединены между собой так, что начало намотки первой катушки соединено с концом намотки второй катушки, а незадействованные выводы катушек подключаются к узлу управления. Ротор исполнительного устройства представляет собой магнит в форме цилиндра и механически закреплен на оси ротора волноводного переключателя, магнитные полюса расположены параллельно оси, один из полюсов (S или N) перекрывает торцы зубцов одной половины катушек, а другой полюс (N или S) перекрывает один или более торцов зубцов другой половины катушек. Техническим результатом является обеспечение непосредственного переключения между любыми позициями. 2 ил.

Использование: для использования аттенюатор с фиксированным затуханием при измерениях в волноводных трактах с высоким уровнем мощности. Сущность изобретения заключается в том, что СВЧ-аттенюатор содержит металлический прямоугольный волновод, поглотитель и экран, при этом волновод выполнен с высотой b узкой стенки и шириной а широкой стенки, в котором образованы два сопряженных друг с другом идентичных плавных перехода длиной L переменной высоты, уменьшающейся до b2, поглощающая поверхность каждого перехода совмещена с поглощающей поверхностью поглотителя шириной s, расположенной на одной из широких стенок волновода, а отражающая поверхность перехода расположена на противоположной широкой стенке, при условии s<a, α=arctg((b-b2)/L), где α - угол наклона перехода. Технический результат: обеспечение возможности уменьшения КСВН и неравномерности коэффициента передачи в полосе частот волновода, плавного изменения электрической прочности и настройки затухания в небольших пределах при конструктивном и технологическом упрощении. 2 з.п. ф-лы, 6 ил.

Многослойный полосно-пропускающий фильтр, относящийся к микроволновой и оптической технике, содержит параллельные слои диэлектрика резонансной толщины, каждый из которых отделен один от другого и от окружающего пространства прилегающими зеркалами. При этом каждое его зеркало выполнено в виде плоской решетки полосковых проводников. Техническим результатом изобретения является улучшение селективных свойств фильтра, выражающееся в расширении полос заграждения выше и ниже полосы пропускания за счет значительного сужения паразитных полос пропускания. 3 ил.

Изобретение относится к технике СВЧ и может быть использовано как оконечная нагрузка в волноводных трактах с высоким уровнем мощности и в качестве эталонной измерительной согласованной нагрузки. Техническим результатом является уменьшение коэффициента стоячей волны по напряжению (КСВН) и длины СВЧ-нагрузки при конструктивном и технологическом упрощении. Для этого СВЧ-нагрузка содержит металлический волновод, поглотитель и экран. Волновод выполнен прямоугольным с высотой b узкой стенки и шириной а широкой стенки, в котором образован плавный переход переменной высоты, уменьшающейся до нуля на длине L. Поглощающая поверхность перехода совмещена с поглощающей поверхностью поглотителя шириной s, расположенной на одной из широких стенок волновода, а отражающая поверхность перехода - на противоположной широкой стенке, при условии s<a, α=arctg(b/L), где α - угол наклона перехода. 2 з.п. ф-лы, 3 ил.

Изобретение относится к СВЧ-технике. Невзаимный схемный элемент содержит: ферримагнетик, который размещен поверх схемной платы, проводящую крышку, которая закрывает верхнюю поверхность ферримагнетика и выполнена как единое целое, множество соединительных частей, которые электрически соединяют проводящую крышку с множеством соответствующих линий передачи сигналов поверх схемной платы; и магнит, который прикладывает магнитное поле к ферримагнетику. При этом упомянутое множество соединительных частей выполнено снаружи проводящей крышки. Технический результат заключается в упрощении конструкции невзаимного схемного элемента. 3 н. и 7 з.п. ф-лы, 19 ил.

Изобретение относится к антенно-фидерным устройствам. Соединение между антенным устройством и устройством радиосвязи содержит фланцевые участки, включающие в себя неконтактные противостоящие поверхности и участки волновода, проходящие через неконтактные противостоящие поверхности, каждый из которых выполнен для антенного устройства и устройства радиосвязи; дроссельную канавку, сформированную вне упомянутого участка волновода на любой одной или на обеих неконтактных противостоящих поверхностях антенного устройства и устройства радиосвязи, и волновод, сформированный из упомянутых участков волновода, противостоящих один другому, с просветом между ними в состоянии, в котором антенное устройство и устройство радиосвязи прикреплены один к другому, и неконтактные противостоящие поверхности непосредственно противостоят друг другу с просветом между ними и помещаются параллельно друг другу, и при этом фланцевые участки противостоят друг другу с промежутком между ними. Технический результат заключается в устранении несимметричности контакта. 3 н. и 8 з.п. ф-лы, 4 ил.

Изобретение относится к области радиотехники. Технический результат - расширение полосы пропускания при уменьшении габаритов трансформатора. Для этого используется ступенчатый трансформатор СВЧ, состоящий из каскадно включенных ступеней с параллельно включенными четвертьволновыми отрезками связанных полосковых линий с различными волновыми сопротивлениями, в котором электромагнитная связь между вышеуказанными ступенями осуществляется вышеуказанными четвертьволновыми отрезками, посредством того, что их электрическое соединение производится каскадно параллельным соединением вышеуказанных линий с помощью перемычек, в результате чего линия, представляющая первую высокоомную ступень, имеет электромагнитную связь с двумя линиями, включенными с ней параллельно с помощью первой и второй параллельных перемычек, причем эти две линии представляют собой вторую ступень и имеют электромагнитную связь с двумя другими линиями, также включенными параллельно с помощью первой и третьей параллельных перемычек, причем эти две другие линии представляют собой третью низкоомную ступень. 1 ил.

Изобретение относится к устройствам обработки и коммутации СВЧ-сигналов на полупроводниковых приборах и предназначено для использования в телекоммуникационных системах, электрически управляемых устройствах СВЧ-электроники, таких как полосовые или селективные фильтры, антенны, перестраиваемые генераторы. Техническим результатом является создание волноводной СВЧ-структуры с электрически управляемыми характеристиками разрешенных и запрещенных зон при уменьшенных прямых потерях. Для этого в волноводную структуру с разрешенными и запрещенными зонами, содержащую диафрагму с рамочными элементами связи, расположенными по обе стороны диафрагмы, и полупроводниковый элемент с электрически управляемой проводимостью, введена по крайней мере в один рамочный элемент по крайней мере одна неоднородность типа «штырь с зазором», в зазор одной из которых помещен полупроводниковый элемент с электрически управляемой проводимостью. 5 ил.

Наверх