Патенты автора Усанов Дмитрий Александрович (RU)

Изобретение относится к медицине. Способ бесконтактного измерения внутриглазного давления включает воздействие на глаз воздушным импульсом и освещение оптическим излучением, преобразование отражённого от глаза оптического излучения в напряжение, регистрацию зависимости напряжения от времени, вычисление прогиба оболочки глаза ΔZ при воздействии воздушного импульса, определение ускорения оболочки глаза, определение внутриглазного давления P из калибровочной кривой зависимости P от соотношения величины прогиба к ускорению ΔZ/a. При этом осуществляют регистрацию зависимости напряжения от времени за период времени от начала движения оболочки t0 и до возвращения в исходное положение t2. Фиксируют время t1, соответствующее максимальной величине прогиба. Далее выбирают нисходящий участок зависимости напряжения, соответствующий равноускоренному движению оболочки от максимальной величины прогиба до исходного положения. Аппроксимируют этот участок, определяют величину ускорения по формуле а = 2ΔZ/(t2- t1)2 . Причем регистрацию зависимости напряжения от времени осуществляют калиброванным фотопреобразователем. Применение изобретения позволит повысить точность проведения бесконтактного и безопасного измерения внутриглазного давления. 1 з.п. ф-лы, 3 ил., 1 табл.

Изобретение относится к области контрольно-измерительной техники и предназначено для одновременного определения относительной диэлектрической проницаемости и тангенса угла диэлектрических потерь диэлектрических структур в сверхвысокочастотном диапазоне, и может найти применение для неразрушающего контроля электрофизических параметров производимых диэлектрических подложек и структур для устройств СВЧ-электроники. Технический результат заключается в расширении функциональных возможностей одновременного определения относительной диэлектрической проницаемости и тангенса угла диэлектрических потерь диэлектрических структур, применяемых в качестве диэлектрического наполнения сверхвысокочастотных коаксиальных кабелей. Изобретение представляет собой способ определения относительной диэлектрической проницаемости и тангенса угла диэлектрических потерь диэлектрических структур, включающий размещение диэлектрической структуры в области нарушения периодичности СВЧ фотонного кристалла, облучение фотонного кристалла, содержащего измеряемую диэлектрическую структуру, электромагнитным излучением сверхвысокочастотного диапазона, измерение частотных зависимостей коэффициентов прохождения и отражения в запрещенной зоне в окрестности дефектной моды, расчет с помощью ЭВМ искомых значений, при которых теоретические частотные зависимости коэффициентов отражения и прохождения электромагнитного излучения наиболее близки к измеренным, при этом, в качестве фотонного кристалла используют коаксиальный сверхвысокочастотный фотонный кристалл, представляющий собой последовательно соединенные отрезки коаксиальной линии передачи, пространство между внешним и внутренним проводником каждого отрезка полностью заполнено диэлектриком, при этом относительная диэлектрическая проницаемость диэлектрического заполнения периодически изменяется вдоль направления распространения электромагнитной волны, подбирают значения длин и относительных диэлектрических проницаемостей диэлектрических заполнений чередующихся отрезков коаксиальной линии передачи таким образом, чтобы обеспечить кратность их электрических длин, приводящую к формированию фотонных запрещенных зон равной глубины на частотных зависимостях коэффициентов прохождения электромагнитного излучения, нарушение периодичности СВЧ фотонного кристалла создают в центральном отрезке коаксиального фотонного кристалла, что приводит к формированию дефектных мод в нескольких фотонных запрещенных зонах, рассчитывают распределение поля электромагнитной волны внутри коаксиального фотонного кристалла вдоль направления распространения электромагнитной волны на частотах, соответствующих дефектным модам в фотонных запрещенных зонах, фиксируют узлы и пучности стоячей электромагнитной волны внутри коаксиального фотонного кристалла, выбирают дефектную моду, на частоте которой в области расположения диэлектрической структуры в центральном отрезке коаксиального фотонного кристалла наблюдается пучность стоячей волны. 2 з.п. ф-лы, 1 табл., 11 ил.

Изобретение относится к медицине и может быть использовано для измерения и анализа состояния артериальной сосудистой системы по форме пульсовой волны, регистрируемой осциллометрическим методом, и проведения скрининговой диагностики состояния артериальной сосудистой системы человека. Проводят окклюзионный тест путем наложения манжеты на предплечье. Регистрируют диастолическое и систолическое давление. Измеряют зависимость амплитуды пульсовой волны от времени. Через 10 минут после регистрации диастолического и систолического давлений нагнетают давление воздуха до величины диастолического давления. Измеряют зависимость амлитуды пульсовой волны от времени в течение 10 секунд и определяют первый амплитудный показатель. Затем нагнетают давление на 30-40 мм рт.ст. выше систолического и поддерживают его в течение 2-3 минут, давление в манжете сбрасывают до диастолического и повторно производят измерение зависимости амлитуды пульсовой волны от времени в течение 10 секунд и определяют второй амплитудный показатель. Сравнивают значения амплитудных показателей и при снижении значения второго амплитудного показателя по отношению к первому судят о наличии эндотелиальной дисфункции артериальных сосудов. Амплитудный показатель П3 определяют по оригинальной расчетной формуле. Способ обеспечивает возможность оперативного определения эндотелиальной дисфункции артериальных сосудов неинвазивным методом на ранних стадиях заболевания за счет диагностики сосудов по форме пульсовой волны до и после проведения окклюзионного теста. 1 табл., 4 ил.

Использование: для создания СВЧ фотонного кристалла. Сущность изобретения заключается в том, что СВЧ фотонный кристалл выполнен в виде прямоугольного волновода, содержащего периодически чередующиеся в направлении распространения электромагнитного излучения металлические элементы, по крайней мере одну n–i–p–i–n диодную структуру в центральном элементе и источник питания, согласно решению металлические элементы выполнены в виде штырей, в количестве не менее пяти, расположенных вдоль продольной оси широкой стенки волновода, при этом центральный штырь гальванически соединен с обеими противоположными стенками волновода, имеет разрыв для размещения диодной n–i–p–i–n структуры, n-области которой соединены с противоположными концами центрального штыря, а p-область соединена с положительным полюсом источника питания, штыри, расположенные справа и слева от центрального, ближайшие к нему, имеют емкостные зазоры у одной из широких стенок волновода и выполнены с возможностью регулировки величины этих зазоров, последующие штыри, расположенные слева и справа от ближайших к центральному, имеют емкостные зазоры меньшей величины у противоположной широкой стенки, при этом диаметр центрального штыря меньше диаметров остальных штырей. Технический результат: обеспечение возможности достижения указанной величины диапазона регулировки мощности при уменьшении продольного размера СВЧ фотонного кристалла и сокращении, даже до одного, количества управляющих элементов в виде полупроводниковых n–i–p–i–n-диодов. 4 ил.

Изобретение относится к измерительной технике, может быть использовано для определения локальной подвижности носителей заряда в локальной области полупроводниковых структур в процессе изготовления и испытания полупроводниковых приборов. Изобретение обеспечивает расширение функциональных возможностей неразрушающего способа измерения подвижности носителей заряда за счёт обеспечения возможности построения профиля подвижности носителей заряда при сканировании полупроводниковых структур и возможности неразрушающего измерения усредненной подвижности носителей заряда во внутренних слоях полупроводниковых структур с высокопроводящими внешними слоями. Технический результат достигается тем, что в неразрушающем способе измерения подвижности носителей заряда в полупроводниковой структуре, заключающемся в помещении структуры в квазиоднородное магнитное поле, подаче на него СВЧ излучения через линию передачи и измерении затухания СВЧ мощности в полупроводниковой структуре в отсутствии магнитного поля и при одном из направлений вектора магнитной индукции, определении СВЧ потерь, вычислении по ней подвижности заряда, согласно изобретению, подачу СВЧ излучения осуществляют с помощью, по крайне мере, двух зондов для создания ближнего поля, расстояние между концами зондов выбирают не превышающим 1/104 длины волны СВЧ излучения, исследуемую структуру помещают в область действия ближнего поля на расстоянии от источника СВЧ-излучения, не превышающем 1/10 длины волны в используемой линии передачи, таким образом, чтобы плоскость, в которой они расположены, была перпендикулярна вектору магнитной индукции, дополнительно измеряют затухание СВЧ мощности при противоположном первому направлении вектора индукции, при этом дополнительно рассчитывают потери при противоположном направлении вектора индукции, вычисляют значение подвижности для противоположного направления вектора индукции и определяют подвижность носителей заряда по формуле: где µ+ и µ- - подвижность носителей заряда для двух противоположных направлений вектора магнитной индукции. 4 ил.

Использование: для детектирования малых концентраций различных газов и летучих соединений. Сущность изобретения заключается в том, что газовый СВЧ-сенсор содержит микрополосковую линию с заземляющим металлическим слоем и резонатор со слоем газоактивного материала на его поверхности, резонатор выполнен в виде микрополоскового гребенчатого конденсатора, встроенного в разрыв микрополосковой линии между её входом и выходом, и петлевого элемента, СВЧ-сенсор содержит цепь управления, которая состоит из p–i–n-диода, электрического фильтрующего элемента и источника управляющего напряжения, СВЧ-сенсор содержит металлическое основание, на котором размещены микрополосковая линия, p–i–n-диод и электрический фильтрующий элемент, при этом один конец петлевого элемента соединен с выходом микрополосковой линии, а второй конец петлевого элемента соединен с металлическим основанием, отрицательный полюс p–i–n-диода соединен с металлическим основанием, а положительный полюс p–i–n-диода подключен к источнику управляющего напряжения через фильтрующий элемент, причем петлевой элемент одним или более витками огибает p–i–n-диод, а заземляющий металлический слой микрополосковой линии гальванически соединен с металлическим основанием. Технический результат: обеспечение возможности повышения чувствительности газового СВЧ сенсора в широком диапазоне концентраций исследуемого газа. 8 ил.

Изобретение относится к измерительной технике и может найти применение в различных отраслях промышленности. Cпособ определения параметров магнитной жидкости заключается в воздействии СВЧ-излучения и магнитного поля на магнитную жидкость, помещённую в волновод, измерении коэффициента отражения СВЧ-излучения от магнитной жидкости, определении диаметра частиц твердой фазы, диэлектрической проницаемости и объемной доли твердой фазы магнитной жидкости, согласно изобретению, дополнительно выявляют в магнитной жидкости наличие агломератов путём получения изображения жидкости на плоской поверхности при воздействии магнитного поля, измеряют концентрацию агломератов, расстояние между ними, толщину, осуществляют распределение агломератов по длинам, определяют разницу диэлектрической проницаемости между частицами твердой фазы и магнитной жидкостью, определяют значения постоянной распространения СВЧ излучения на участке волновода, заполненного магнитной жидкостью, причём одно из значений определяют на участке с агломератами, а другое – на участке без них, определяют распределение агломератов по объему магнитной жидкости вдоль направления распространения СВЧ-излучения путём выявления в магнитной жидкости слоёв с агломератами и без них, определяют эффективную постоянную распространения и дополнительно определяют тангенс угла диэлектрических потерь. Изобретение обеспечивает повышение точности измерения параметров магнитной жидкости за счёт исключения погрешности, обусловленной наличием агломератов. 1 табл., 5 ил.

Изобретение относится к области медицинской техники и может быть использовано в офтальмологии для дистанционного измерения внутриглазного давления. Техническая проблема заключается в повышении эффективности бесконтактного метода измерений внутриглазного давления за счёт повышения точности и быстроты измерительных действий. Техническая проблема изобретения решается тем, что в способе дистанционного измерения внутриглазного давления, заключающемся в воздействии на глаз пневмоимпульсом с одновременным воздействием электромагнитного излучения, преобразовании отражённого от глаза сигнала в автодинный сигнал, регистрации его мощности, оцифровке сигнала, определении функции движения участка глаза, величины деформации глаза и ускорения движения оболочки, получении калибровочной кривой, описывающей зависимость давления внутри модели глаза от отношения величины деформации глаза к ускорению, определении по калибровочной кривой внутриглазного давления, согласно изобретению, в качестве электромагнитного излучения используют СВЧ-излучение, создают с помощью линии передачи зону действия ближнего поля СВЧ-излучения, значение потока которого не превышает 100 мкВт/см2, а глаз располагают в зоне действия ближнего поля на расстоянии от источника СВЧ-излучения, не превышающем 1/10 длины волны линии передачи, воздействие пневмоимпульса осуществляют перпендикулярно поверхности глаза в зону действия ближнего поля, при этом функцию движения участка глаза Z(t) определяют из соотношения: ,где U(t) – цифровой автодинный сигнал; t – интервал времени; – коэффициент, который определяют как отношение: , где – изменение уровня автодинного сигнала при изменении расстояния от источника СВЧ-излучения до объекта. 1 з.п. ф-лы, 4 ил.

Изобретение относится к медицине, а именно к области психиатрии, и может быть использовано для диагностики шизофрении. Способ включает в себя определение временной зависимости положения зрачка A(t) при слежении за перемещающимся на экране компьютера по горизонтали по гармоническому закону B(t) тест-объектом в течение времени, за которое тест-объект совершит как минимум 10 полных колебаний. Определяют временные промежутки τi, в которых d2A(t)/dt2 отличается знаком от d2B(t)/dt2, где i∈[1; N], N - количество вышеуказанных временных промежутков, при N>3 определяют время τi между моментами начал вышеуказанных временных промежутков τi, рассчитывают величину S=(ΣiTi/τi)/N, при S>5 считают диагноз шизофрении установленным. Изобретение позволяет определить параметры специфических движений глаз, характерных для шизофрении, а также повысить точность диагностики. 8 ил.,1 табл.

Изобретение относится к медицине, а именно к офтальмологии, и может быть использовано для измерения угла косоглазия. Получают снимок косящего глаза при съемке камерой в анфас и освещении точечным источником света, расположенным за камерой. Измеряют на снимке расстояние х между центром зрачка и бликом от источника света, а также – расстояние а между вертикальными линиями, проходящими через внешний и внутренний углы косящего глаза. Дополнительно получают снимок в профиль при отведении косящего глаза в сторону от камеры. Измеряют на снимке расстояние b между вертикальной линией, проходящей через край склеры, и вертикальной линией, проходящей через внешний угол глаза. Определяют радиус кривизны склеры r по формуле r=(b2+а2)/(2⋅а) и рассчитывают угол косоглазия α по формуле α=arcsin(x/r). Способ обеспечивает увеличение точности измерения угла косоглазия за счет более точного определения радиуса кривизны склеры. 5 ил., 1 пр.

Использование: для измерений с использованием СВЧ техники. Сущность изобретения заключается в том, что СВЧ фотонный кристалл выполнен в виде прямоугольного волновода, содержащего четные и нечетные элементы, периодически чередующиеся в направлении распространения электромагнитного излучения, нечетные элементы фотонного кристалла выполнены в виде прямоугольных металлических резонансных диафрагм с прямоугольными отверстиями, длинные стороны которых параллельны широкой стенке волновода, полностью перекрывающими волновод по поперечному сечению, четные элементы фотонного кристалла представляют собой отрезки прямоугольного волновода между диафрагмами, причем две диафрагмы являются крайними элементами фотонного кристалла, а одна центральной, при этом СВЧ фотонный кристалл дополнительно содержит согласованную нагрузку, соединенную с одним концом фотонного кристалла, Y-циркулятор, один из выходов которого соединен с противоположным концом фотонного кристалла, источник постоянного напряжения, в отверстии центральной диафрагмы размещена, по крайней мере, одна n–i–p–i–n диодная структура, n-области которой гальванически соединены с длинными сторонами отверстия заземленной диафрагмы, p-область n–i–p–i–n диодной структуры соединена с положительным полюсом источника постоянного напряжения, размеры отверстий резонансных диафрагм, кроме центральной диафрагмы, составляют: длина a0=20⋅a/23 и ширина b0=b/5, толщина диафрагм составляет 0,0005⋅b<d<0,003⋅b, длина четных элементов L составляет 1,8⋅b<L<2,5⋅b, при этом a и b – размеры широкой и узкой стенок волновода, соответственно. Технический результат: достижение частотной независимости коэффициента прохождения электромагнитной волны в разрешенной зоне СВЧ фотонного кристалла при обеспечении возможности электрического управления характеристиками примесной моды затухания колебаний. 3 з.п. ф-лы, 8 ил.

Изобретение относится к области прецизионной контрольно-измерительной техники. Способ измерения наноперемещений заключается в том, что облучают объект лазерным излучением, регистрируют отраженное от объекта излучение, интерферирующее в лазере, встроенным фотодетектором. Преобразуют лазерное излучение в электрический автодинный сигнал. Длину волны лазерного излучения модулируют током питания заданной частоты и амплитуды. Амплитуду изменяют по гармоническому закону. Продетектированный сигнал раскладывают в спектральный ряд Фурье и ряд по функциям Бесселя. Измеряют амплитуду 2n-й (S2n) и 2n+2-й (S2n+2) гармоник спектра или 2n+1-й (S2n+1) и 2n+3-й (S2n+3) гармоник спектра автодинного сигнала, по отношению или , соответственно, вычисляют значение параметра амплитуды фазы токовой модуляции σ. Определяют величину стационарной фазы автодинного сигнала по формуле , наноперемещение отражателя находят по формуле: , где ω0 - частота лазерного излучения, c - скорость света, J2n, J2n+2, J2n+1 и J2n+3 – функции Бесселя. Технический результат заключается в обеспечении возможности повышения точности измерения перемещений микро- и нанометрового диапазона. 4 ил.

Изобретение относится к области медицинской техники и может быть использовано для дистанционного контроля движения поверхности объекта. Осуществляют генерирование электромагнитного СВЧ-сигнала и его излучение. Принимают интерференционный сигнал, являющийся суммой падающего и отраженного электромагнитного излучения. Определяют форму движения поверхности исследуемого объекта. Сгенерированный СВЧ-сигнал разделяют на два канала. В одном из каналов изменяют фазу относительно другого канала на π/2. Излучают сгенерированный СВЧ–сигнал поочередно из каждого канала. Для каждого канала записывают принятый интерференционный сигнал и представляют в виде и , где t - время, θ - начальная фаза сигнала, λ - длина волны излучаемого электромагнитного СВЧ-сигнала, f(t) – функция, описывающая движение поверхности исследуемого объекта. Полученные сигналы интерполируют, очищают от шумов, составляют дифференциальное уравнение где и производные по времени от сигналов в первом и втором каналах. Решают составленное дифференциальное уравнение относительно , где - полная фаза, и определяют форму движения поверхности объекта Способ обеспечивает бесконтактное определение параметров движения выбранного участка организма. 7 ил.

Изобретение относится к сельскохозяйственному производству. Предложен способ предпосевной обработки семян, включающий воздействие на семена электромагнитным излучением и магнитным полем. При этом воздействие осуществляют последовательно электромагнитным излучением на частоте линии спектра поглощения кислорода 129 ГГц в течение 30 минут и затем переменным магнитным полем с индукцией 25 мТл с частотой 2 Гц в течение от одного часа. Способ обеспечивает увеличение эффективности стимуляции всхожести семян. 1 з.п. ф-лы, 5 табл.

Изобретение относится к способу получения увеличения октанового числа бензина на 2,5-3 пункта, заключающемуся в пропускании бензина через пористую основу. Способ характеризуется тем, что данная основа содержит в себе адсорбирующий материал из многослойных углеродных нанотрубок, при этом для достижения требуемого результата достаточно однократной очистки. Использование настоящего изобретения предоставляет способ повышения октанового числа бензина не менее чем на 2,5-3 пункта, при этом полученный в результате очистки бензин должен соответствовать экологическим нормам (EURO-3, EURO-4, EURO-5). 4 з.п. ф–лы, 1 ил., 2 пр.

Изобретение относится к области электроники и микропроцессорной техники и может найти обширное применение при отладке, ремонте и эксплуатации широкого спектра микропроцессорных систем и устройств, как уже существующих, так и вновь разрабатываемых, а также при изучении и исследовании принципов работы подобных систем и устройств в практических разделах дисциплин учебных заведений, имеющих соответствующую направленность подготовки специалистов. Технический результат – повышение производительности и снижение трудоемкости процесса отладки цифровых микропроцессорных систем и устройств. В конструкцию отладочного устройства, использующего часть памяти внешнего инструментального компьютера для хранения программы целевой отлаживаемой микропроцессорной системы и имеющего в своем составе интерфейс LPT–порта принтера для передачи программ и данных в отлаживаемую микропроцессорную систему через тристабильный восьмиразрядный буферный шинный формирователь, а также устройство синхронизации, представляющее собой бистабильный RS-триггер с подключенными к его входам формирователями коротких импульсов, согласно изобретению, в зависимости от разрядности N микропроцессора отлаживаемой системы, введены дополнительно N/8 восьмиразрядных регистров-защелок с тристабильным выходом, входы которых объединяются поразрядно и подключаются через тристабильный восьмиразрядный буферный шинный формирователь соответственно к линиям данных интерфейса принтера, а выходы посредством многоштырьковых вилок соединяются через панельки ПЗУ отлаживаемого устройства с его шиной данных, а также двоичный счетчик и дешифратор, образующие демультиплексор–распределитель сигнала стробирования, направляющий каждый следующий сигнал подтверждения истинности выданных инструментальным компьютером данных на вход записи соответствующего регистра-защелки. Дополнительно введенные узлы формирования сигналов занятости и подтверждения приёма байта дают возможность устройству осуществлять взаимодействие с инструментальным компьютером через порт принтера по стандарту интерфейса ‘Centronics’. 2 ил.

Изобретение относится к области контрольно–измерительной техники. Способ измерения расстояния до объекта заключается в том, что объект освещают лазерным излучением, отраженное от объекта излучение, интерферирующее в лазере, преобразуют в электрический автодинный сигнал. Лазерное излучение частотой ω0 модулируют по гармоническому закону с частотой ν посредством модуляции тока питания лазера. Длину волны излучения изменяют на величину Δλ, фильтруют амплитудную составляющую автодинного сигнала на частоте ν. Сигнал раскладывают в спектральный ряд, измеряют амплитуду 2n-й (C2n) и 2n+2-й (C2n+2) гармоник спектра или 2n+1-й (C2n+1) и 2n+3-й (C2n+3) гармоник спектра автодинного сигнала. Значение аргумента функции Бесселя первого рода σ вычисляют по отношению или соответственно. Расстояние до объекта L находят по формуле . Технический результат заключается в значительном повышении точности измерения амплитуды нановибраций объекта. 5 ил.

Изобретение относится к радиоэлектронике, в частности к СВЧ-умножителям частоты высокой кратности, применяемым для получения сигнала высокой частоты с низким уровнем фазового шума в выходном сигнале. Технический результат заключается в расширении арсенала средств. Умножитель частоты включает согласующую цепь входного сигнала, на входе которой стоит первый конденсатор, параллельно которому на землю включен второй конденсатор, последовательно включена первая катушка индуктивности, выход которой подключен к параллельно включенным третьему конденсатору и резистору, а также к входу второй катушки индуктивности, выход которой соединен с анодом первого диода и катодом второго диода, катод и анод которых соответственно соединены с земляной шиной, выход второй катушки индуктивности гальванически соединен с входным элементом узкополосного пропускающего фильтра, выполненного в микрополосковом исполнении в виде встречных шпильковых резонаторов, последовательно расположенных между входным и выходным элементами фильтра, согласно решению содержит n–i–p–i–n-диод, одна n-область которого гальванически соединена с входным элементом микрополоскового фильтра, другая n-область n–i–p–i–n-диода гальванически соединена с первым шпильковым резонатором полосно-пропускающего фильтра, p-область n–i–p–i–n-диода через нагрузочное сопротивление соединена с положительным полюсом источника постоянного напряжения. 2 з.п. ф-лы, 3 ил.

Использование: для одновременного определения толщины полуизолирующей подложки, толщины и удельной электропроводности нанесенного на нее сильнолегированного слоя и подвижности свободных носителей заряда в этом слое. Сущность изобретения заключается в том, что способ определения параметров полупроводниковой структуры, состоящей из полуизолирующей подложки с нанесенным на нее сильнолегированным слоем, включает размещение полупроводниковой структуры на границе нарушенного центрального слоя одномерного волноводного СВЧ фотонного кристалла, полностью заполняющего прямоугольный волновод по поперечному сечению, облучение фотонного кристалла электромагнитным излучением СВЧ-диапазона, измерение частотной зависимости коэффициентов отражения и прохождения электромагнитного излучения СВЧ-диапазона, измерение проводят при двух различных ориентациях полупроводниковой структуры относительно направления распространения электромагнитной волны: «сильнолегированный слой–полуизолирующая подложка» и «полуизолирующая подложка–сильнолегированный слой», рассчитывают значения толщины полуизолирующей подложки, толщины и удельной электропроводности нанесенного на нее сильнолегированного слоя, при которых измеренные частотные зависимости коэффициентов отражения и прохождения электромагнитного излучения при двух различных ориентациях полупроводниковой структуры наиболее близки к теоретическим частотным зависимостям, затем размещают полупроводниковую структуру после фотонного кристалла перпендикулярно широкой стенке волновода в центре его поперечного сечения, облучают фотонный кристалл электромагнитным излучением СВЧ-диапазона, измеряют частотные зависимости коэффициентов отражения и прохождения электромагнитного излучения СВЧ-диапазона, подвергают полупроводниковую структуру воздействию внешнего магнитного поля, вектор магнитной индукции которого направлен перпендикулярно узкой стенке волновода, облучают фотонный кристалл электромагнитным излучением СВЧ-диапазона, измеряют частотные зависимости коэффициентов отражения и прохождения электромагнитного излучения СВЧ-диапазона при воздействии магнитного поля, рассчитывают значение подвижности свободных носителей заряда в сильнолегированном слое, при котором измеренные частотные зависимости коэффициентов отражения и прохождения электромагнитного излучения в отсутствие внешнего магнитного поля и при воздействии магнитного поля с индукцией наиболее близки к теоретическим частотным зависимостям, полученным с учетом рассчитанных значений толщины полуизолирующей подложки, толщины и удельной электропроводности нанесенного на нее сильнолегированного слоя. Технический результат - обеспечение возможности определения четырех параметров полупроводниковых структур. 12 ил.

Изобретение относится к измерительной технике, может быть использовано для определения электрофизических параметров слоя полупроводника на поверхности диэлектрика и может найти применение в различных отраслях промышленности при контроле свойств полупроводниковых слоев. Технический результат изобретения заключается в снижение трудоемкости и времени определения параметров полупроводника за счет уменьшения количества проводимых измерений. Cпособ определения параметров полупроводникового слоя в измеряемой структуре диэлектрик-полупроводниковый слой включает облучение структуры электромагнитным излучением СВЧ-диапазона, измерение спектра отражения излучения от структуры в выбранном частотном диапазоне при ряде различных значений температур, определение толщины dnn и электропроводности σ полупроводникового слоя при температуре Т3, для которой характерно преимущественное рассеяние носителей заряда на фононах, в результате решения обратной задачи, согласно решению при известном dnn определяют σ в диапазоне температур от значения T1, для которого характерно изменение электропроводности за счет ионизации примеси, до значения, для которого характерно преимущественное рассеяние носителей заряда на фононах, определяют температуру Т0 полной ионизации примесей, при которой σ принимает максимальное значение, для определения искомых параметров определяют диапазон физически значимых температур, серединой которого является значение температуры Т0, а минимальным значением – Т1, затем по зависимости σ(T) в диапазоне физически значимых температур, решая обратную задачу с использованием теоретической зависимости σ(T, ΔW, m*, N, b1), находят энергию активации ΔW, эффективную массу носителей заряда m*, концентрацию примесных центров N, параметр b1, определяющий коэффициент рассеяния на ионах примеси, затем при известных ΔW, m*, N, b1 вычисляют зависимость коэффициента рассеяния носителей заряда на фононах a(T) и коэффициент рассеяния носителей заряда на ионах b. 3 ил.

Изобретение относится к медицине и нефрологии и может быть использовано для определения наполненности мочевого пузыря. Накладывают электроды на кожу в области нахождения мочевого пузыря. Подключают их к усилителю биопотенциалов для получения двух отведений, с помощью которых измеряют сигналы биоэлектрической активности стенок мочевого пузыря. Одновременно производят регистрацию электрокардиограммы для фильтрации сигнала. Математически обрабатывают полученные сигналы путем нормировки и построения спектров сигналов мочевого пузыря и электрокардиограммы методом Фурье. Осуществляют фильтрацию сигнала мочевого пузыря от сигнала электрокардиограммы путем деления спектра сигнала мочевого пузыря на спектр сигнала электрокардиограммы. Выделяют характерные частоты спектров из диапазона наибольшей активности 0,7 Гц, 1,5 Гц, 1,7 Гц. Указанные измерения осуществляют дважды - до и после водно-питьевой нагрузки. Сравнивают амплитуды характерных частот и по их увеличению судят о степени наполненности мочевого пузыря. Способ позволяет точно, просто и неинвазивно определить наполненность мочевого пузыря за счет одновременной регистрации биоэлектрической активности стенок мочевого пузыря и электрокардиограммы с последующей фильтрацией сигнала мочевого пузыря от сигнала электрокардиограммы. 3 ил.

Изобретение относится к измерительной технике, может быть использовано для определения диаметра ферромагнитных частиц и объемной доли твердой фазы магнитной жидкости. Способ определения диаметра частиц и объемной доли твердой фазы магнитной жидкости, включающий в себя этапы, на которых осуществляют измерения при различных значениях внешнего магнитного поля, при этом измеряют вязкое трение, а диаметр частиц и объемную долю твердой фазы магнитной жидкости рассчитывают путем нахождения минимума функционала где Нi– значения напряженности магнитного поля, – значения вязкого трения, определенные экспериментально, – зависимость вязкого трения от параметров магнитной жидкости и напряженности магнитного поля; d –диаметр частиц, φ – объемная доля твёрдой фазы; α и β – числовые коэффициенты. Технический результат – сокращение времени измерений. 2 ил.

Изобретение относится к области радиотехники и радиоэлектроники и может быть использовано для поглощения электромагнитного излучения на выходе сверхвысокочастного волноведущего тракта, а также входить в состав сложных сверхвысокочастотных функциональных узлов и устройств. Волноводная согласованная нагрузка включает размещенные в короткозамкнутом отрезке волновода первый и второй относительно направления распространения электромагнитной волны основные диэлектрические слои и расположенный между ними металлический слой нанометровой толщины, причем плоскости слоев ориентированы перпендикулярно направлению распространения электромагнитной волны, при этом волноводная согласованная нагрузка согласно изобретению содержит дополнительный диэлектрический слой, расположенный перед первым основным диэлектрическим слоем и обладающий величиной относительной диэлектрической проницаемости, меньшей величины относительной диэлектрической проницаемости первого основного диэлектрического слоя, а также содержит по крайней мере один согласующий диэлектрический слой, расположенный между дополнительным диэлектрическим слоем и первым основным диэлектрическим слоем и/или между металлическим слоем и вторым основным диэлектрическим слоем, при этом величина относительной диэлектрической проницаемости согласующих диэлектрических слоев меньше величины диэлектрической проницаемости первого основного диэлектрического слоя и увеличивается по направлению к металлическому слою, а величина относительной диэлектрической проницаемости согласующих диэлектрических слоев, расположенных между металлическим слоем и вторым основным диэлектрическим слоем, меньше величины диэлектрической проницаемости второго основного диэлектрического слоя и увеличивается по направлению от металлического слоя. Изобретение обеспечивает возможность создания широкополосной волноводной нагрузки для поглощения СВЧ-излучения с расширенным рабочим диапазоном частот, технологически простой в изготовлении и с малыми продольными габаритами. 4 з.п. ф-лы, 10 ил., 8 табл., 8 пр.

Изобретение относится к медицине, а именно к офтальмологии, и предназначено для лечения косоглазия. Пациента просят следить за объектом, колеблющимся с постоянной частотой, выбранной из диапазона от 0,2 до 0,5 Гц, в начале и в конце упражнений в течение 10-40 с, в зависимости от выбранной частоты. Производят регистрацию видеоокулограммы, траектории колебательных движений левого и правого глаза в горизонтальной плоскости при фронтальном взгляде пациента подвергают Фурье-анализу, далее отдельно для левого и правого глаза вычисляют параметр , где означает суммирование по всем не равным , - амплитуда -й гармоники, - значение максимальной амплитуды в спектре, - номер гармоники с максимальной амплитудой; сравнивают параметры в начале и в конце тренировки, ели параметр О уменьшился, говорят об эффективности лечения косоглазия, в противном случае повторяют зрительные упражнения, увеличивая частоту колебания объекта до 1 Гц с шагом 0,1 Гц и повторяя процедуру диагностики до тех пор, пока параметр О не уменьшится. Упражнения повторяют в течение 10 дней. Способ позволяет повысить эффективность лечения, своевременно и точно определяя реакцию на воздействие. 2 з.п. ф-лы, 4 ил., 2 пр.

Изобретение относится к технике СВЧ и может быть использовано в устройствах измерительной техники. Технический результат - уменьшение продольного размера фотонного кристалла вдоль направления распространения электромагнитной волны до величины, меньшей длины волны основного типа. Для этого в качестве элементов волноводного СВЧ фотонного кристалла, образующих периодическую последовательность, используют диэлектрические слои, полностью заполняющие волновод по перечному сечению, и тонкие металлические пластины, частично перекрывающие сечение волновода и образующие зазор между пластиной и широкой стенкой волновода по всей ее длине, при этом зазоры между нечетными металлическими пластинами и волноводом расположены у верхней широкой стенки волновода, а зазоры между четными металлическими пластинами и волноводом - у нижней широкой стенки волновода. 4 ил.

Изобретение относится к устройствам обработки и коммутации СВЧ-сигналов на полупроводниковых приборах и предназначено для использования в телекоммуникационных системах, электрически управляемых устройствах СВЧ-электроники, таких как полосовые или селективные фильтры, антенны, перестраиваемые генераторы. Техническим результатом является создание волноводной СВЧ-структуры с электрически управляемыми характеристиками разрешенных и запрещенных зон при уменьшенных прямых потерях. Для этого в волноводную структуру с разрешенными и запрещенными зонами, содержащую диафрагму с рамочными элементами связи, расположенными по обе стороны диафрагмы, и полупроводниковый элемент с электрически управляемой проводимостью, введена по крайней мере в один рамочный элемент по крайней мере одна неоднородность типа «штырь с зазором», в зазор одной из которых помещен полупроводниковый элемент с электрически управляемой проводимостью. 5 ил.

Изобретение относится к медицине, в частности акушерству и перинатологии, и может быть использовано для диагностики содержания мекония в амниотической жидкости. Регистрируют интенсивность отраженной ультразвуковой волны. Выделяют изображение в области визуализации амниотической жидкости. Усредняют интенсивность пикселей на выделенном участке изображения амниотической жидкости. По среднему на выделенном участке значению интенсивности по 8-битной шкале серого регистрируют наличие мекония в амниотической жидкости. При интенсивности до 50 диагностируют прозрачный тип амниотической жидкости. При интенсивности от 50 до 80 - зеленый тип амниотической жидкости. При интенсивности более 80 - темно-зеленый тип амниотической жидкости. Способ позволяет упростить определение содержания мекония в амниотической жидкости, проводить его на разных сроках беременности за счет использования ультразвукового исследования. 13 ил., 1 табл., 3 пр.

Изобретение относится к медицине, а именно - к нефрологии. Способ включает воздействие электрическим током через электроды. Один электрод располагают в области лобковой кости, остальные - паравертебрально по внешнему краю мышцы, выпрямляющей позвоночник, в области между XII ребром и крестцовым отделом. Затем на ближайшие к XII ребрам паравертебрально расположенные электроды подают сигнал с частотой в интервале 5-32 кГц, амплитудой не более 3 В, силой тока не более 20 мА, сформированный в импульс длительностью 0,1-0,2 мсек. Импульсы формируют в пачки длительностью 0,5-1 сек, время между импульсами в пачке 0,01-0,8 сек. Воздействуют последовательно на каждые паравертебрально расположенные электроды в направлении к крестцовому отделу с задержкой 5 сек. Через 5 сек повторяют последовательную подачу пачек импульсов на паравертебрально расположенные электроды от XII ребра до крестцового отдела. Воздействие осуществляют в течение 5-10 минут, 1 раз в день, на протяжении 5-20 дней. Способ повышает эффективность лечения за счет восстановления тонуса верхних мочевых путей. 3 ил., 3 пр.

Изобретение относится к области медицины, а именно к кардиологии. Осуществляют выбор точек, между которыми необходимо определить скорость пульсовой волны. Определяют форму движения тканей в выбранных точках путем излучения электромагнитного сигнала, приема отраженного от точки сигнала, когерентного сложения отраженного сигнала с излучаемым электромагнитным сигналом и восстановления формы движения тканей в выбранных точках по суммарному сигналу. Причем в случае, если амплитуда движения в точке менее 50 мкм, используют лазерное излучение. Если амплитуда движения в точке более 50 мкм, используют СВЧ-излучение. Определяют временную задержку (Δt). На основании Δt и расстоянии между выбранными точками определяют скорость пульсовой волны. Способ позволяет повысить точность измерения за счет использования двух видов излучения. 5 ил.

Изобретение относится к области медицинской техники и может быть использовано для дистанционного контроля параметров сердечной деятельности организма. Способ заключается в излучении электромагнитного СВЧ-сигнала, приеме интерференционного сигнала, являющегося суммой падающего и отраженного электромагнитного излучения, определении параметров жизнедеятельности организма. При этом излучаемый электромагнитный СВЧ-сигнал направляют на область расположения плечевой артерии, интерференционный сигнал представляют в виде U(t)=cos(θ+(4π/λ)f(t)), где t - время, θ - начальная фаза сигнала, λ - длина волны излучаемого электромагнитного СВЧ-сигнала, f(t) - функция движения плечевой артерии, после чего вводят функцию S(t) - такую, что ее спектр с точностью до постоянного множителя соответствует спектру функции движения плечевой артерии: S ( t ) = ( d U / d t ) / 1 − U 2 ( t ) = ( 4 π / λ ) ∫ − ∞ ∞ ∫ − ∞ ∞ ( 1 / a ) C ( a , b ) ψ 2 ( ( t − b ) / a ) ( d a d b / a 2 ) , где C(a,b) - коэффициенты вейвлет-разложения функции f(t) по базису ψ1, определяемые с помощью соотношения: C ( a , b ) = ( 1 / a ) ∫ − ∞ ∞ S ( t ) ψ 2 ( ( t − b ) / a ) d t , a - коэффициент масштабирования, b - коэффициент сдвига, ψ2 - производная от базисной вейвлет-функции ψ1, затем восстанавливают функцию движения плечевой артерии: f ( t ) = ∫ − ∞ ∞ ∫ − ∞ ∞ ( 1 / a ) C ( a , b ) ψ 1 ( ( t − b ) / a ) ( d a d b / a 2 ) , и по функции движения плечевой артерии рассчитывают параметры вариабельности сердечного ритма: Мо - наиболее часто встречаемое значение R-R-интервалов, АМо - доля кардиоинтервалов соответствующих значению Мо, dx - разность между длительностью наибольшего и наименьшего кардиоинтервалов, ИН=АМо/(2∗Мо∗dx) - индекс напряжения регуляторный систем, ИВР=Амо/dx - индекс вегетативного равновесия, ВПР=1/(Мо∗dx) - вегетативный показатель ритма, ПАПР=Амо/Мо - показатель адекватности процессов регуляции. Использование изобретения позволяет снизить погрешности измерения за счет исключения из регистрируемого сигнала влияния дыхания. 2 ил., 1 табл.

Изобретение относится к области радиотехники и электроники и может быть использовано, в частности, для поглощения электромагнитной волны на выходе СВЧ-волноводного тракта. Технический результат - расширение рабочей полосы частот и уменьшение продольных размеров согласованной нагрузки. Для этого микрополосковая согласованная нагрузка, состоящая из последовательно соединенных отрезков микрополосковой линий передачи, содержит не менее семи чередующихся отрезков микрополосковой линии передачи с различным поверхностным сопротивлением, крайними из которых являются отрезки с малым поверхностным сопротивлением, и не менее двух пар разомкнутых шлейфов, расположенных симметрично по разные стороны от микрополосковой линии, каждый из которых выполнен в виде двух последовательно соединенных отрезков микрополосковой линии передачи с большим и малым поверхностным сопротивлением. Поглощающие свойства согласованной нагрузки определяются совокупностью как поглощающих свойств отрезков микрополосковой линии и шлейфов с большим поверхностным сопротивлением, так и топологией структуры. Количество отрезков полосковых линий, их топология и электрические параметры выбираются таким образом, чтобы в выбранном частотном диапазоне величины коэффициентов стоячей волны и прохождения были меньше заданных значений. 19 ил.

Изобретение относится к медицине, а именно к функциональной диагностике, и может быть использовано для определения колебаний кожного кровотока в конечностях. С помощью тепловизионной камеры определяют распределение температуры кожи и ее динамику во времени. Колебания температуры, определенные в каждой точке термограммы конечности, раскладывают на спектральные составляющие с использованием математического вейвлет-преобразования. Выполняют смещение каждой спектральной составляющей частоты f к предыдущему моменту времени на интервал Δt, определяемый формулой Δ t PHASE ( f i , z ) = z / ( 2 ⋅ π ⋅ λ c ⋅ ρ ⋅ f i ) , где z - толщина слоя биоткани, λ - коэффициент теплопроводности кожи, с - удельная теплоемкость кожи, ρ - плотность кожи, fi - частота i-й спектральной составляющей. Амплитуду каждой спектральной составляющей умножают на коэффициент, определяемый формулой C AMP ( f i , z ) = exp ( z ⋅ π ⋅ c ⋅ ρ λ ⋅ f i ) . Выполняют обратное вейвлет-преобразование спектральных составляющих в каждой точке термограммы и получают результирующий массив данных, представляющий собой распределение колебаний кожного кровотока. Способ обеспечивает увеличение исследуемой площади поверхности объекта и повышение точности определения параметров периферического кровотока температурными методами за счет использования новой модели распространения температурного сигнала в биологической ткани и визуализации пространственных изменений колебаний кровотока. 1 з.п. ф-лы, 6 ил., 1 табл.

Изобретение относится к измерительной технике, может быть использовано для измерения диэлектрической проницаемости и толщин нанометровых проводящих пленок, нанесенных на подложку из диэлектрического материала. Технический результат заключается в повышении чувствительности и расширении функциональных возможностей. Устройство для определения параметров металлодиэлектрических структур, содержащее волноведущую систему, соединенную с цилиндрическим резонатором, в отверстии корпуса которого размещен элемент связи, отличающееся тем, что элемент связи является измерительным и изготовлен в виде регулируемой четвертьволновой рамки, один конец которой соединен с корпусом цилиндрического резонатора, а другой - выполнен в виде острия, помещенного в диэлектрическую вставку, размещенную в отверстии корпуса цилиндрического резонатора, и выступающего за внешние границы резонатора на величину, много меньшую длины стоячей электромагнитной волны основного типа цилиндрического резонатора; устройство содержит дополнительный элемент связи, предназначенный для ввода/вывода электромагнитного излучения СВЧ-диапазона, выполненный в виде двух соединенных между собой одним концом металлических четвертьволновых рамок, помещенных в диэлектрическую вставку, расположенную в отверстии между волноведущей системой и корпусом цилиндрического резонатора, причем первая рамка выполнена с возможностью поворота ее плоскости и находится во внутренней полости цилиндрического резонатора, а вторая - в волноведущей системе, другие концы рамок соединены с корпусом цилиндрического резонатора и волноведущей системой соответственно; в волноведущей системе размещен одномерный волноводный СВЧ фотонный кристалл, представляющий собой периодически чередующиеся слои двух типов, слои первого типа имеют постоянное значение величины относительной диэлектрической проницаемости намного большее единицы, слои второго типа - близкое к единице, общее число слоев и число слоев второго типа - нечетное, крайними в структуре фотонного кристалла являются слои первого типа, толщина слоев первого типа намного меньше толщины слоев второго типа, при этом сумма электрических длин слоев первого и второго типа равна половине длины электромагнитной волны, соответствующей середине используемого частотного диапазона, толщина центрального слоя фотонного кристалла составляет одну четвертую толщины слоя второго типа. 4 ил.

Изобретение относится к области электроники и микропроцессорной техники и может быть использовано в конструкциях современных, высокопроизводительных RISC-микропроцессоров и микроконтроллеров. Технический результат заявленного изобретения заключается в повышении быстродействия процессора, его производительности и упрощении его конструкции за счет создания конструкции узла программного счетчика, работающего по принципу стека и позволяющего выполнять операции перехода к подпрограмме или процедуре обслуживания прерывания. Технический результат достигается за счет того, что аппаратный стек процессора с указателем стека и логикой управления стека включает программный счетчик с тристабильными выходными каскадами, который дополнительно содержит, по крайней мере N программных счетчиков с тристабильными выходными каскадами, при этом входы параллельной загрузки всех программных счетчиков соединены поразрядно вместе, выходы всех программных счетчиков соединены поразрядно вместе, входы инкремента всех программных счетчиков соединены вместе так, что в каждый отдельный момент времени только один из программных счетчиков, выбранный указателем стека, может находиться в активном состоянии и выполнять свои функции независимо от остальных. 2 ил.

Изобретение относится к области радиотехники и электроники и может быть использовано для измерения электрофизических параметров материалов. Технический результат заключается в повышении разрешающей способности до порядка 1 микрометра, а также повышении чувствительности до уровня, достаточного для определения параметров материалов с диэлектрической проницаемостью в диапазоне 1.5÷400 и проводимостью в диапазоне 2·10-2 Oм-1·м-1÷107 Ом-1·м-1.Заявленное устройство содержит СВЧ-генератор с подключенным к нему прямоугольным волноводом, имеющим измерительное устройство с волноводной резонансной системой в качестве оконечного устройства, причем оконечное устройство содержит емкостную металлическую диафрагму, согласно решению на емкостную металлическую диафрагму наложен плоскопараллельный образец диэлектрика с площадью, равной площади фланца волновода, а на образец диэлектрика наложен зонд в виде металлической проволоки с длиной от 12 до 20 мм и диаметром от 0,1 до 0,5 мм с заостренным концом, изогнутым под прямым углом, отрезок зонда большей длины расположен на диэлектрической пластине перпендикулярно щели в диафрагме, отрезок зонда с заостренным концом меньшей длины перпендикулярен плоскости образца диэлектрика, при этом толщина плоскопараллельного образца диэлектрика t выбрана из условия t ε 〈 〈 λ в , где λв - длина волны основного типа в волноводе, ε - диэлектрическая проницаемость пластины. 3 ил., 1 прим. .

Использование: для определения амплитуды нановибраций. Сущность изобретения заключается в том, что освещают вибрирующий на частоте Ω объект лазерным излучением, преобразуют отраженное от объекта излучение в электрический автодинный сигнал, раскладывают сигнал в спектральный ряд, при этом лазерное излучение частотой ω0 модулируют с частотой Ω, равной частоте колебаний объекта, добиваются совпадения начальных фаз колебаний объекта и частотной модуляции лазера, измеряют амплитуду второй C2 и четвертой C4 гармоник спектра автодинного сигнала, по зависимости С2/С4(σ) вычисляют значение аргумента функции Бесселя первого рода σ, затем модулированным лазерным излучением освещают невибрирующий объект, измеряют значение амплитуд второй C2cal и четвертой C4cal гармоник спектра отраженного автодинного сигнала, по зависимости C2cal/C4cal(σM) вычисляют значение аргумента функции Бесселя первого рода σM, амлитуду нановибраций ξ находят по определенному математическому выражению. Технический результат: повышение точности при определении амплитуды нановибраций. 9 ил.

Изобретение относится к контрольно-измерительной технике. Технический результат - расширение функциональных возможностей одновременного определения электропроводности и толщины полупроводниковых пластин и электропроводности и толщины тонких полупроводниковых эпитаксиальных слоев в структурах «полупроводниковый слой - полупроводниковая подложка». Способ определения электропроводности и толщины полупроводникового слоя включает облучение слоя электромагнитным излучением СВЧ-диапазона, измерение частотной зависимости коэффициента отражения электромагнитного излучения СВЧ-диапазона, согласно решению, используют одномерный волноводный СВЧ фотонный кристалл, в котором создают нарушение периодичности в виде измененной толщины центрального воздушного слоя. Предварительно помещают измеряемый полупроводниковый слой внутрь центрального слоя на заданном расстоянии от его границы, дополнительно измеряют частотную зависимость коэффициента прохождения электромагнитного излучения СВЧ-диапазона, затем помещают измеряемый полупроводниковый слой внутри центрального слоя на новом расстоянии от его границы или изменяют толщину центрального слоя, измеряют частотные зависимости коэффициента отражения и прохождения электромагнитного излучения СВЧ-диапазона, взаимодействующего с фотонным кристаллом, при новом положении исследуемой полупроводниковой структуры или при новом значении толщины центрального слоя, рассчитывают с помощью ЭВМ значения толщины и электропроводности, при которых теоретические частотные зависимости коэффициентов отражения и прохождения электромагнитного излучения, полученные при двух расстояниях от границы центрального слоя до исследуемой полупроводниковой структуры или при двух значениях толщины центрального слоя, наиболее близки к измеренным в этих положениях из решения системы уравнений. 8 ил.

Изобретение относится к измерительной технике, а именно к способу определения электропроводности и толщины слоя полупроводника на поверхности диэлектрика, и может найти применение в различных отраслях промышленности при контроле свойств полупроводниковых слоев. Предложенный способ включает облучение структуры электромагнитным излучением СВЧ-диапазона, измерение спектра отражения излучения от структуры в выбранном частотном диапазоне при двух различных значениях температуры T1 и T2, далее по полученным зависимостям определяют электропроводность σ1 и σ2 полупроводникового слоя при двух значениях температуры T1 и T2 соответственно, далее выбирают значения температур из диапазона, в котором изменение концентрации носителей заряда связано с ионизацией примесных центров, затем определяют энергию активации примесных центров ΔW, используя соотношение: ΔW=2kT1T2[ln(σ1/σ2)]/(T1-T2), где k - постоянная Больцмана. Одновременное определение электропроводности при пониженных температурах, например 180-190 К, и соответственно энергии активации примесных центров позволяет определить параметры полупроводникового слоя в измеряемой структуре диэлектрик-полупроводник, что является техническим результатом. 2 ил.

Изобретение относится к измерительной технике и предназначено для измерений вибраций. Способ измерения амплитуды нановибраций ξ заключается в том, что освещают объект лазерным излучением, преобразуют отраженное от него излучение в электрический (автодинный) сигнал, раскладывают сигнал в спектральный ряд и измеряют значение амплитуды гармоники Sx на частоте колебания объекта Ω. При этом на объект накладывают дополнительные механические колебания на частоте Ω1 с минимальной амплитудой, измеряют максимальное значение гармоники S1max, на частоте Ω1 при увеличении амплитуды дополнительных механических колебаний, увеличивают амплитуду дополнительных механических колебаний до появления на автодинном сигнале интерференционных максимумов и минимумов на выделенном участке времени между точками, соответствующими крайним положениям смещения объекта, вычисляют отношение времени убывания tdec автодинного сигнала ко времени его нарастания tinc на выделенном участке времени. В том случае, если значение tdec/tinc больше 1, то вычисляют tinc/tdec, по зависимости tdec/tinc(C) или tinc/tdec(C) определяют уровень внешней оптической обратной связи С, вычисляют Sx/S1max, по зависимости S1/S1max(ξ, S) при определенном ранее С находят ξ. Технический результат изобретения - повышение точности измерения амплитуд нановибраций. 17 ил., 1 табл.

Изобретение относится к области медицины, в частности к области офтальмологии для измерений внутриглазного давления
Изобретение относится к медицине, в частности к офтальмологии, и может быть использовано для оценки стадии прогрессирования первичной открытоугольной глаукомы

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано в ближнеполевой сканирующей СВЧ и оптической микроскопии

Изобретение относится к медицине, в частности к офтальмологии, и может быть использовано для оценки стадии прогрессирования первичной открытоугольной глаукомы

Изобретение относится к области радиотехники и может быть использовано в современных, помехозащищенных и конфиденциальных системах связи, в системах защиты информации для создания шумового сигнала, в контрольно-измерительных системах для измерения частотных характеристик, а также в системах кодирования для генерации случайных чисел и последовательностей

Изобретение относится к области медицины и может быть использовано для измерения внутриглазного давления

Изобретение относится к контрольно-измерительной технике с применением видеотехнологий и может быть использовано для определения межэлектродного расстояния в системе расположенных на малом расстоянии один над другим по вертикали и полностью перекрывающихся электродов сложной геометрической формы для электронных ламп в случае отсутствия возможности наблюдения межэлектродного расстояния сбоку перпендикулярно нормали к плоскостям электродов

Изобретение относится к области биологии, химии, медицины, фармакологии, пищевой промышленности, сельского хозяйства, может быть использовано для регулирования концентрации водных растворов органических и неорганических веществ

Изобретение относится к электронно-измерительной технике и нанотехнологиям и предназначено в том числе для использования со сканирующим зондовым микроскопом (СЗМ) при исследовании микро- и нанорельефа поверхности

Изобретение относится к области медицины и биофизики, может быть использовано в офтальмологии

 


© Патентный поиск, поиск патентов на изобретения - FindPatent.RU 2012-2024
Политика конфиденциальности
Наверх