Квантрон твердотельного лазера с термостабилизацией диодной накачки



Квантрон твердотельного лазера с термостабилизацией диодной накачки
Квантрон твердотельного лазера с термостабилизацией диодной накачки
Квантрон твердотельного лазера с термостабилизацией диодной накачки

 


Владельцы патента RU 2579188:

Федеральное государственное унитарное предприятие "РОССИЙСКИЙ ФЕДЕРАЛЬНЫЙ ЯДЕРНЫЙ ЦЕНТР-ВСЕРОССИЙСКИЙ НАУЧНО-ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ ИНСТИТУТ ТЕХНИЧЕСКОЙ ФИЗИКИ ИМЕНИ АКАДЕМИКА Е.И. ЗАБАБАХИНА" (RU)
Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" (Госкорпорация "Росатом") (RU)

Изобретение относится к лазерной технике. Квантрон твердотельного лазера с термостабилизацией диодной накачки содержит размещенные в корпусе в виде многогранника: активный элемент, матрицы лазерных диодов, расположенные вокруг и вдоль активного элемента равномерно, и систему охлаждения, выполненную в виде двух независимых контуров для охлаждения активного элемента и матриц, контур охлаждения активного элемента содержит трубку, охватывающую активный элемент с образованием кольцевого канала шириной δ, и входной, выходной коллекторы, из которых выходят каналы. Квантрон снабжен световодами, расположенными параллельно оси активного элемента, контур охлаждения матриц содержит термоинтерфейс, теплоотводы и элементы термостабилизации, размещенные в теплообменном модуле и теплообменниках. В качестве элементов термостабилизации используются нагреватели и элементы охлаждения. Технический результат заключается в обеспечении возможности упрощения системы охлаждения активного элемента. 2 ил.

 

Изобретение относится к твердотельным лазерам с диодной накачкой, в частности к элементам накачки и системам их охлаждения, и может быть использовано при изготовлении лазерной техники.

Известна оптическая усилительная головка (ОУГ) с диодной накачкой, состоящая из размещенных в корпусе в виде многогранника: активного элемента (АЭ) в виде стержня, элементов диодной накачки, расположенных вдоль активного элемента, и системы охлаждения, содержащей трубку, охватывающую активный элемент с образованием кольцевого канала, и каналы, расположенные в корпусе. Элементы диодной накачки выполнены в виде блоков линеек лазерных диодов и расположены под углом 90° к оси активного элемента на держателях. В элементах диодной накачки расположены каналы для охлаждающей жидкости. Устройство снабжено демпфирующими элементами, установленными на обоих торцах трубки, в качестве демпфирующих элементов использованы прокладки (патент США №6101208, H01S 3/0941, 1997 г.).

В этом устройстве охлаждение АЭ и элементов диодной накачки происходит за счет высокой скорости потока охлаждающей жидкости. Поддержание постоянной температуры теплоносителя позволяет обеспечить работоспособность и высокую эффективность оптической усилительной головки.

Однако неравномерное и неполное заполнение излучением накачки АЭ приводит к увеличению термомеханических напряжений внутри АЭ, что может привести к его выходу из строя. Неравномерность освещения АЭ приводит также к снижению эффективности накачки и качества выходного лазерного пучка. Расположение каналов в элементах диодной накачки не оптимально, так как расстояние от элементов накачки до каналов не минимально, как следствие этого, падает эффективность отвода тепла с нагретой поверхности элементов накачки. Это может привести к снижению качества охлаждения элементов накачки и падению мощности выходного лазерного пучка.

Наиболее близким аналогом заявляемого изобретения, выбранным в качестве прототипа, является ОУГ с диодной накачкой, содержащая размещенные в корпусе в виде многогранника: АЭ в виде стержня, матрицы лазерных диодов (МЛД), расположенные вокруг и вдоль АЭ равномерно и обращенные излучающей областью к АЭ, и систему охлаждения, выполненную в виде двух независимых контуров для охлаждения АЭ и МЛД, контур охлаждения АЭ содержит трубку, охватывающую АЭ с образованием кольцевого канала шириной δ, и входной, выходной коллекторы, из которых выходят каналы, трубка выполнена из материала, прозрачного для излучения накачки (патент РФ №2498467, МПК H01S 3/0933, 3/042, опубл. 2013 г.). На обоих торцах трубки установлены демпфирующие элементы в виде сильфонов, МЛД расположены на держателях, размещенных на внешней поверхности каждой грани корпуса. ОУГ снабжена входным и выходным патрубками, соединенными с входным и выходным коллекторами, из которых выходят каналы, соединенные с каналами, выполненными в каждом держателе и МЛД. Контур охлаждения МЛД снабжен дополнительными входным и выходным патрубками.

Расположение МЛД равномерно вокруг АЭ позволяет равномерно заполнить АЭ излучением накачки, что уменьшает в нем термические напряжения, а также повышает эффективность накачки. Выполнение системы охлаждения из двух независимых контуров охлаждения позволяет независимо регулировать и поддерживать оптимальную температуру для МЛД и АЭ.

Однако ОУГ с двумя контурами охлаждения содержит большое число деталей, что существенно сказывается на массогабаритных характеристиках. Значительная часть излучения накачки не поглощается, т.к. диаметр АЭ меньше излучающей области МЛД, что снижает кпд доставки излучения накачки, а следовательно, и мощности лазерного излучения, а применение сильфонов в качестве демпфирующих элементов снижает прочность и устойчивость конструкции к ударным и вибрационным нагрузкам. А конструкция системы охлаждения не допускает эксплуатацию ОУГ в условиях климатических воздействий.

Задача, на решение которой направлено изобретение, - повышение эффективности накачки, оптимизация массогабаритных характеристик, системы охлаждения и термостабилизации, обеспечение жесткости конструкции, создание конструктивно обособленного и удобного при эксплуатации устройства, устойчивого к ударным, тепловым и вибрационным нагрузкам.

Технический результат, получаемый при использовании предлагаемого технического решения, - упрощение системы охлаждения активного элемента и термостабилизация элементов накачки, увеличение кпд и мощности излучения, обеспечение устойчивости конструкции к вибрационным, ударным и тепловым воздействиям.

Указанный технический результат достигается тем, что в квантроне твердотельного лазера с термостабилизацией диодной накачки, содержащем размещенные в корпусе в виде многогранника: активный элемент в виде стержня, матрицы лазерных диодов, расположенные вокруг и вдоль активного элемента равномерно и обращенные излучающей областью к активному элементу, и систему охлаждения, выполненную в виде двух независимых контуров для охлаждения активного элемента и матриц, контур охлаждения активного элемента содержит трубку, охватывающую активный элемент с образованием кольцевого канала шириной δ, и входной, выходной коллекторы, из которых выходят каналы, трубка выполнена из материала, прозрачного для излучения накачки, особенность заключается в том, что квантрон снабжен световодами, расположенными параллельно оси активного элемента на каждой грани выступов, размещенных на внутренней поверхности корпуса, торцы активного элемента закреплены в прижимах, установленных в корпусе, входной, выходной коллекторы расположены в прижимах и соединены с кольцевым каналом, контур охлаждения матриц содержит термоинтерфейс, теплоотводы и элементы термостабилизации, размещенные в теплообменном модуле и теплообменниках, каждый выступ содержит отражающую диаметральную поверхность, обращенную к активному элементу и расположенную напротив каждой матрицы, одна из которых расположена на переходнике, а остальные - на теплообменниках, установленных на внешней поверхности корпуса, переходник закреплен на теплообменном модуле, установленном на внешней поверхности корпуса, теплообменники и теплообменный модуль связаны с помощью теплоотводов, термоинтерфейс размещен в местах соединения теплоотводов с теплообменниками и теплообменным модулем, в соединении переходника с теплообменным модулем и с матрицей, а также в соединении матриц с теплообменниками, в качестве элементов термостабилизации используются нагреватели и элементы охлаждения, при этом элементы охлаждения установлены только в теплообменном модуле, а теплообменники, теплоотводы, интерфейс и теплообменный модуль выполнены из материалов с большим коэффициентом теплопроводности.

Совмещение в конструкции выступов корпуса функции контротражателя диодной накачки и световода, обеспечение контура охлаждения матриц элементами термостабилизации с теплоотводами, позволяющими охлаждать МЛД только одним теплообменным модулем, а также применение прижимов для уплотнения и центрирования АЭ в корпусе, позволяет упростить систему охлаждения АЭ и термостабилизации МЛД, а также увеличить кпд и мощность излучения, обеспечивая при этом устойчивость конструкции квантрона к вибрационным, ударным и тепловым воздействиям. Таким образом решили задачу повышения эффективности накачки, оптимизировали массогабаритные характеристики и систему охлаждения и термостабилизации, обеспечили жесткость конструкции квантрона и создали конструктивно обособленное и удобное при эксплуатации устройство, устойчивое к ударным, тепловым и вибрационным нагрузкам.

При проведении анализа уровня техники, включающего поиск по патентным и научно-техническим источникам информации, и выявлении источников, содержащих сведения об аналогах заявленного изобретения, не обнаружено аналогов, характеризующихся признаками, тождественными всем существенным признакам данного изобретения. Определение из перечня выявленных аналогов прототипа как наиболее близкого по совокупности существенных признаков аналога позволило выявить совокупность существенных отличительных признаков от прототипа, изложенных в формуле изобретения.

Следовательно, заявленное изобретение соответствует условию «новизна».

Для проверки соответствия заявленного изобретения условию «изобретательский уровень» заявитель провел дополнительный поиск известных решений, чтобы выявить признаки, совпадающие с отличительными от прототипа признаками заявленного устройства. В результате поиска не выявлены технические решения с этими признаками. На этом основании можно сделать вывод о соответствии заявляемого изобретения условию «изобретательский уровень».

На фиг. 1 представлен продольный разрез квантрона.

На фиг. 2 - поперечный разрез квантрона.

Квантрон твердотельного лазера с термостабилизацией диодной накачки (фиг. 1, 2) содержит выполненный в виде многогранника (например, в виде шестигранника) корпус 1, в котором установлен активный элемент (АЭ) 2 в виде стержня, торцы которого закреплены в прижимах 3, 4, установленных в корпусе. Квантрон также содержит матрицы лазерных диодов (МЛД) 5, световоды 6 и систему охлаждения. МЛД 5 расположены вокруг и вдоль АЭ равномерно и обращены к АЭ излучающей областью.

На внутренней поверхности корпуса размещены выступы 7, на каждой грани которых параллельно оси АЭ расположены световоды 6 в виде плоских полированных металлических поверхностей. Угол β наклона металлических поверхностей световода 6 получается расчетным путем. Каждый выступ 7 содержит контротражатель 9 - отражающую диаметральную поверхность, обращенную к АЭ и расположенную напротив каждой матрицы.

Система охлаждения выполнена в виде двух независимых контуров для охлаждения АЭ и МЛД. Контур охлаждения АЭ содержит трубку 10, охватывающую АЭ с образованием кольцевого канала шириной δ, и размещенные в прижимах 3 входной и выходной коллекторы 11, из которых выходят каналы a. Входной и выходной коллекторы 11 соединены с кольцевым каналом δ, который формирует слой охлаждающей жидкости (ОЖ), охлаждающий АЭ и образован стенкой трубки 10 и АЭ 2.

Трубка 10 выполнена из материала, оптически прозрачного для излучения накачки (например, стекло, плавленый кварц, лейкосапфир и т.д.). Диаметр и толщина трубки 10 рассчитываются, исходя из требуемой фокусировки излучения накачки. Прижимы 3 применены - для герметизации трубки 10, а прижимы 4 для герметизации АЭ и центрирования его в корпусе квантрона относительно трубки 10.

Контур охлаждения матриц содержит термоинтерфейс 12, теплоотводы 13 и элементы термостабилизации 14, размещенные в отверстиях b и с теплообменного модуля 15 и теплообменников 16. В качестве элементов термостабилизации 14 используются нагреватели (в отверстиях b) и элементы охлаждения (в отверстиях с), при этом элементы охлаждения установлены только в теплообменном модуле 15. Теплоотводы 13 при необходимости могут быть заменены контурными либо пластинчатыми тепловыми трубами.

Одна из матриц расположена на переходнике 17, а остальные на теплообменниках 16, установленных на внешней поверхности корпуса. Переходник 17 закреплен на теплообменном модуле 15, который установлен на внешней поверхности корпуса, а теплообменники 16 и теплообменный модуль 15 связаны с помощью тееплоотводов 13. Термоинтерфейс 12 размещен в местах соединения теплоотводов 13 с теплообменниками 16 и теплообменным модулем 15, а также в соединении переходника 17 и теплообменного модуля 15. Термоинтерфейс 12 может быть выполнен, например из галия или галистана. Также термоинтерфейс 12 размещен в соединении переходника 17 с матрицей и в соединении матриц с теплообменниками 16 и может быть выполнен из низкотемпературного припоя (например, сплава Розе или Вуда).

В качестве материала для деталей, участвующих в теплообмене (теплообменники, теплоотводы, термоинтерфейс, теплообменный модуль), применены материалы с большим коэффициентом теплопроводности.

Устройство работает следующим образом. На МЛД 5 (фиг. 1, 2) подается ток накачки с заданной амплитудой, при этом возникает излучение накачки, проходящее сквозь трубку 10 и ОЖ кольцевого канала δ, при этом большая часть излучения поглощается АЭ 2, часть поглощенной энергии накачки идет на тепловые потери. Оставшаяся доля излучения, не поглотившаяся в АЭ на первом проходе, отражается от контротражателей 9 и вновь направляется в АЭ 2. Одновременно боковые лучи МЛД падают на световоды 8 и, многократно отразившись, направляются к АЭ 2.

Охлаждение АЭ 2 происходит либо прокачкой теплоносителя, либо стационарно следующим образом. ОЖ закачивается по каналу а прижима 3 (фиг. 1), поступает во входной коллектор 11, затем попадает в кольцевой канал шириной δ охлаждения АЭ 2. Поток ОЖ протекает вдоль всей поверхности АЭ и контактирует с ней. Таким образом происходит охлаждение кристалла АЭ. На выходе из кольцевого канала δ противоположного конца АЭ ОЖ в обратном порядке собирается в выходной коллектор 11, затем через каналы а прижима 3 выводится из квантрона либо герметизируется в нем.

Для обеспечения заданных режимов работы квантрона в заданных условиях эксплуатации может возникнуть необходимость термостабилизации МЛД. При этом обеспечение выхода на температурный рабочий режим элементов накачки обеспечивается следующим образом. Нагреватели, установленные в отверстиях b теплообменного модуля 15 и теплообменников 16 (фиг. 1. 2), повышают температуру МЛД 5 от исходной до температуры выхода на рабочий режим. Теплоотводы 13 обеспечивают сброс тепла, образованного внешними климатическими условиями эксплуатации и в процессе работы элементов накачки, с теплообменников 16 на корпус теплообменного модуля 15. Элементы охлаждения, установленные в отверстии с, обеспечивают отвод тепла на любую теплоотводящую поверхность, при этом термоинтерфейс 12 обеспечивает высокую теплопроводность между элементами конструкции, участвующими в теплообмене. Таким образом снижается температура матриц до рабочей и происходит термостабилизация элементов накачки.

Таким образом, представленные данные свидетельствуют о выполнении при использовании заявляемого изобретения следующей совокупности условии:

- средство, воплощающее заявленное устройство при его осуществлении, предназначено для использования в электронной и оптико-механической промышленности при изготовлении лазерных устройств с повышенной мощностью;

- для заявляемого устройства в том виде, в котором оно охарактеризовано в формуле изобретения, подтверждена возможность его осуществления.

Следовательно, заявляемое изобретение соответствует условию «промышленная применимость».

Квантрон твердотельного лазера с термостабилизацией диодной накачки, содержащий размещенные в корпусе в виде многогранника: активный элемент в виде стержня, матрицы лазерных диодов, расположенные вокруг и вдоль активного элемента равномерно и обращенные излучающей областью к активному элементу, и систему охлаждения, выполненную в виде двух независимых контуров для охлаждения активного элемента и матриц, контур охлаждения активного элемента содержит трубку, охватывающую активный элемент с образованием кольцевого канала шириной δ, и входной, выходной коллекторы, из которых выходят каналы, трубка выполнена из материала, прозрачного для излучения накачки, отличающийся тем, что снабжен световодами, расположенными параллельно оси активного элемента на каждой грани выступов, размещенных на внутренней поверхности корпуса, торцы активного элемента закреплены в прижимах, установленных в корпусе, входной, выходной коллекторы расположены в прижимах и соединены с кольцевым каналом, контур охлаждения матриц содержит термоинтерфейс, теплоотводы и элементы термостабилизации, размещенные в теплообменном модуле и теплообменниках, каждый выступ содержит отражающую диаметральную поверхность, обращенную к активному элементу и расположенную напротив каждой матрицы, одна из которых расположена на переходнике, а остальные - на теплообменниках, установленных на внешней поверхности корпуса, переходник закреплен на теплообменном модуле, установленном на внешней поверхности корпуса, теплообменники и теплообменный модуль связаны с помощью теплоотводов, термоинтерфейс размещен в местах соединения теплоотводов с теплообменниками и теплообменным модулем, в соединении переходника с теплообменным модулем и с матрицей, а также в соединении матриц с теплообменниками, в качестве элементов термостабилизации используются нагреватели и элементы охлаждения, при этом элементы охлаждения установлены только в теплообменном модуле, а теплообменники, теплоотводы, интерфейс и теплообменный модуль выполнены из материалов с большим коэффициентом теплопроводности.



 

Похожие патенты:

Способ создания активной среды KrF лазера включает в себя зажигание объемного разряда в лазерной смеси после подачи импульсного напряжения на разрядный промежуток, включение искровой предыонизации, создающей предварительную ионизацию газа в разрядном промежутке, и пробой разрядного промежутка.

Изобретение может быть использовано в производстве водородсодержащих наночастиц. Способ получения наночастиц металлов, насыщенных водородом, включает лазерную абляцию массивной металлической мишени, помещенной в жидкость с протонным типом проводимости.

Изобретение относится к лазерной технике. Импульсный твердотельный лазер содержит активный элемент, осветитель, включающий лампу накачки и отражатель, а также резонатор, включающий призму-крышу и плоское зеркало, установленные с противоположных торцов активного элемента таким образом, что ребро призмы-крыши и грань плоского зеркала перпендикулярны оптической оси активного элемента, размещенного рядом с лампой накачки в отражателе.

Предлагаемое изобретение относится к вертикально-излучающим лазерам с брэгговскими отражателями на основе наногетероструктур, работающим в видимом, инфракрасном и ультрафиолетовом диапазоне. Задачей, решаемой настоящим изобретением, является создание вертикально излучающих лазеров с однородными слоистыми металлическими контактами, находящимися внутри резонатора, с повышенным коэффициентом полезного действия и улучшенными параметрами лазерного излучения. Техническим результатом, позволяющим выполнить поставленную задачу, является снижение электрического сопротивления структуры, обеспечение однородности электрического тока накачки, а также подавление поглощения света металлическими слоями. Результат достигается за счет того, что внутрь резонатора вертикально излучающего лазера с брэгговскими зеркалами и внутрирезонатрными металлическими контактами, между брэгговским отражателем и активной областью вводятся металлические слои, которые одновременно являются контактами и элементами резонатора, формирующими собственную моду электромагнитного поля, причем толщина слоев брэгговского отражателя, примыкающего к металлическому слою, отличается от остальных слоев брэгговского отражателя, что обеспечивает такую пространственную структуру собственной моды электромагнитного поля, используемой для лазерной генерации, что узлы электрического поля совпадают по положению с металлическими слоями, что значительно уменьшает поглощение света металлическими слоями, при этом обеспечивается максимальное перекрытие электрического поля собственной моды лазера и активной области.

Изобретение относится к радиотехнике и может быть использовано в системах электропитания, связи, управления, телеметрии. Технический результат состоит в увеличении энергии взаимодействия электронов в пучке, а следовательно, мощности СВЧ-генерации и кпд системы электропитания.

Изобретение относится к лазерной технике. Импульсный двухрежимный твердотельный лазер содержит поворотную двухгранную прямоугольную призму для излома оси резонатора, активный элемент (АЭ), выполненный с ВКР-преобразованием, клиновый компенсатор, вторую двухгранную прямоугольную призму, составляющую с выходным зеркалом единый концевой элемент резонатора и лампу накачки.

Изобретение относится к области лазерных технологий. Способ получения оптического разряда в газе состоит в оптическом пробое газа с образованием поглощающей плазменной области и ее поддержании в луче лазера в течение длительности его воздействия.

Изобретение относится к области лазерной физики и технике формирования мощных импульсов СО2 лазера. Оно обеспечивает генерацию коротких импульсов большой энергии, имеющих минимальную угловую расходимость, что позволяет получать высокоинтенсивные пучки СО2 лазера, предназначенные, в частности, для создания лазерно-плазменного источника ионов. Устройство состоит из одномодового задающего генератора, работающего на линии Р(20) 10-мкм полосы СО2, оптической системы согласования и трехпроходового СО2-усилителя, образованного широкоапертурной активной средой СО2 лазера и резонансно-поглощающей ячейкой SF6+N2 (воздух) атмосферного давления, которые последовательно размещены внутри и на оси конфокального телескопа, включающего большое вогнутое и малое выпуклое зеркала.

Использование: для создания лазеров пикосекундного диапазона (от УФ до ИК области спектра) в устройствах оптоэлектроники, оптической связи, при исследовании быстропротекающих процессов в биологических тканях и в регистрирующих приборах.

Изобретение относится к области генерирования СВЧ колебаний и может использоваться в системе электропитания, связи, телеметрии. Достигаемый технический результат - повышение качества информации, передаваемой по СВЧ трафику, за счет повышения отношения сигнал/шум, увеличение КПД.

Изобретение относится к лазерной технике. Оптическая усилительная головка с контротражателем диодной накачки состоит из размещенных в корпусе активного элемента в виде стержня, элементов диодной накачки, расположенных равномерно вокруг и вдоль активного элемента на держателях, и системы охлаждения, содержащей трубку, охватывающую активный элемент с образованием кольцевого канала шириной δ, каналы в корпусе, каждом держателе и элементах накачки и входной и выходной коллекторы.
Изобретение относится к лазерной технике, а конкретнее к жидкостным охлаждающим средам (теплоносителям) (ЖТС) твердотельных лазеров (например, неодимовых или гольмиевых), являющимся одновременно светофильтром для ультрафиолетового (УФ) излучения лампы накачки лазера.

Изобретение относится к твердотельным лазерам с диодной накачкой, в частности к элементам накачки и системам их охлаждения. Оптическая усилительная головка с диодной накачкой состоит из размещенных в корпусе активного элемента в виде стержня, матриц лазерных диодов, расположенных на держателях вдоль активного элемента, и системы охлаждения, содержащей стеклянную трубку, охватывающую активный элемент с образованием радиального канала δ.

Изобретение относится к конструкции оптической накачки для оптического квантового генератора, которая содержит активную среду в виде цилиндрического стержня (1), имеющего круглое сечение, причем концы стержня введены в два кольца (11), выполненные из теплопроводного материала, по меньшей мере, три пакета (21, 22) небольших стержней диодов накачки, расположенных звездой вокруг стержня, опору (5) с регулировкой температуры посредством модуля (8) на основе эффекта Пельтье, причем кольца (11) находятся в контакте с опорой (5).

Изобретение относится к лазерной технике, а именно к импульсно-периодическим твердотельным лазерам. .

Изобретение относится к твердотельным оптическим квантовым генераторам, в частности к системам их охлаждения, и может быть использовано при изготовлении лазерной техники.

Изобретение относится к лазерной технике. Излучатель твердотельного лазера без жидкостного охлаждения с термостабилизацией диодной накачки содержит активный элемент, установленный в кольцах, термоинтерфейс и блок диодной накачки, состоящий из теплораспределителя с выступами, установленного жестко на посадочной поверхности, термоэлектрического модуля, расположенного между теплораспределителем и посадочной поверхностью, и линеек лазерных диодов, размещенных на выступах теплораспределителя равномерно относительно активного элемента и обращенных к нему излучающей частью. Излучатель снабжен жестко закрепленным на посадочной поверхности резонатором, в корпусе несущей части которого расположен активный элемент. Блок диодной накачки снабжен нагревателем, расположенным в теплораспределителе, и ограничительной рамкой, в которой установлен термоэлектрический модуль с воздушным зазором по периметру. Резонатор и блок диодной накачки не имеют контактов. Технический результат заключается в обеспечении возможности увеличения КПД лазера. 6 ил.

Изобретение относится к лазерной технике. Универсальный излучатель твердотельного лазера с безжидкостным охлаждением содержит резонатор, установленный жестко на основание, устройство накачки и теплообменный блок, содержащий термоэлектрические модули и теплообменники. Устройство накачки выполнено в виде квантрона, жестко закрепленного на основании, теплообменный блок снабжен нагревательным элементом, контурной тепловой трубой с пластиной конденсатора, термоинтерфейсом и термодатчиками, установленными в теплообменниках пластине конденсатора. Конструкция резонатора выполнена деформационно-устойчивой, при этом оптическая схема выполнена на базе неустойчивого резонатора. Технический результат заключается в обеспечении возможности повышения устойчивости конструкции к внешним воздействующим факторам. 4 ил.

Устройство для совмещения нескольких лучей включает в себя: секцию сдвига фаз, секцию наложения, секцию регистрации и секцию регулирования фазы. Секция сдвига фаз формирует группу лазерных лучей со сдвигом фаз за счет выполнения сдвига фаз для каждого луча из группы лазерных лучей. Секция наложения формирует группу лазерных лучей, полученных наложением, за счет выполнения наложения опорного лазерного луча и каждого луча из группы лазерных лучей со сдвигом фаз. Секция регистрации формирует данные интерференционной картины для пространственной интерференционной картины, которая появляется при регистрации каждого луча из группы лазерных лучей, полученных наложением. Секция регулирования фазы выполняет регулирование сдвига фаз на основе обратной связи в указанной секции сдвига фаз на основе данных интерференционной картины, полученных от каждого луча из группы лазерных лучей, полученных наложением, и приведения группы лазерных лучей со сдвигом фаз в требуемые состояния. Технический результат заключается в упрощении конструкции. 6 з.п. ф-лы, 1 ил.

Способ когерентного сложения включает в себя разделенное на каналы лазерное излучение, направленное на соответствующие каналам фазовые модуляторы. После прохождения фазовых модуляторов все каналы выставляют параллельно друг другу, при этом волновой фронт в каждом канале делают плоским. Часть многоканального излучения отводят и фокусируют на фотоприемник для регистрации сигнала. Подачу управляющих напряжений на фазовые модуляторы производят в два этапа, один пробный и один корректирующий. Причем значения управляющих напряжений, подаваемых на корректирующем этапе, пропорциональны параметру, контролирующему скорость сходимости, изменению сигнала с фотоприемника на пробном этапе и управляющим напряжениям, подаваемым на фазовые модуляторы на пробном этапе. При этом параметр, контролирующий скорость сходимости, обратно пропорционален значению сигнала с фотоприемника на пробном этапе, а коэффициент пропорциональности обратно пропорционален квадрату амплитуды фазовых сдвигов на пробном этапе. Технический результат заключается в получении когерентного оптического сигнала путем сложения нескольких лазерных пучков без измерения абсолютных и относительных фаз в каналах при уменьшении времени когерентного сложения лазерных пучков. 4 ил.
Наверх