Способ юстировки номиналов пленочных резисторов

Авторы патента:

H01C17/26 - преобразованием резистивного материала

26152!

О П И С A Н ИИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт, свидетельства №

Кл. 21с, 54/05

Заявлено 08.IV.1968 (№ 1232396/26 -9) с присоединением заявки №

Комитет по делам иаобретений и открытий при Совете Министров

СССР

ИПК Н 01с

УДК 521.316.849:53. .072.5 (088.8 ) Приоритет

Опубликовано 26,VI!1.1970. Бюллетень № 27

Дата опубликования описания 25.XI.I970

Лв горы изобретения

И. Н. Важенин, Н. М. Егорова, П. E. Кандыба и П. А. Фоменко

Заявитель

СПОСОБ ЮСТИРОВКИ НОМИНАЛОВ ПЛЕНОЧНЫХ

РЕЗИСТОРОВ

Если не все резисторы микросхемы требуют подгонки под номинал, микросхему можно временно покрыть защитным слоем лака, оставив открытыми те резисторы, которые тре5 буют подгонки.

После подгонки величины сопротивления резисторов лак удаляется.

При к>стировке резисторов, изготовленных на основе металлосилицидного сплава, можно

10 применять раствор следующего состава, подогретый до температуры бурного выделения атомарного кислорода: 2 части аммиака, 80 частей перекиси водорода, 500 частей дистиллированной воды. Температура раствора долж15 на составлять 60 вЂ” 70 С.

Способ юстировки номиналов пленочных

20 резисторов, основанный на уменьшении толщины резнстивного слоя оксидированием, отличающийся тем, что, с целью увеличения процента выхода годной продукции, резисторы обрабатывают в слабом растворе вЂ” окис25 лителе (например, водном растворе перекиси водорода аммиака), подогретом до температуры бурного выделения атомарного кислорода.

Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть применено в производстве резисторов.

Известен способ юстировки, основанный на увеличении сопротивления резисторов посредством уменьшения толщины резистивного слоя, например оксидированием.

Однако в известном способе наблюдается изменение электрофизических характеристик ,резистивиого слоя в процессе юстировки, что приводит к снижению выхода годной продукции.

Предлагаемый способ юстировки отличается от известного тем, что резисторы подвергают химической обработке в растворах, выделяющих при нагреве их до определенной температуры атомарный кислород. Присутствие в растворе свободного атомарного кислорода ведет к окислению поверхностных слоев обрабатываемых резистивных пленок. Процесс окисления увеличивает сопротивление такой пленки, так как уменьшается эффективная толщина проводящего слоя, что повышает процент выхода годной продукции.

Время выдержки в растворе определяется требуемым процентом изменения величины сопротивления обрабатываемых резисторов и может составлять от I до 20 вЂ” 25 мин.

Предмет изобретения