Патент ссср 262861

 

ОПИСАН ИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советскиз

Социалистические

Республик

Зависимое от авт. свидетельства №

Кл, 12g, 17/08

21g, 11/02

Заявлено 10.XI.1967 (№ 1196189/26-25) с присоединением заявки ¹

Приоритет

Опубликовано 04.II.1970. Бюллетень № 7

МПК В Olj

Н Oll

УДК 621.315,592:546.28 (088.8) Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Иинистров

СССР

Дата опубликования описания 2Л1.1970

Авторы изобретения

В. H. Лозовский и В. П. Попов

Заявитель

Новочеркасский политехнический институт

СПОСОБ ЗОННОЙ ПЛАВКИ С ТЕМПЕРАТУРНЫМ ГРАДИЕНТОМ

Изобретение относится к полупроводниковой промышленности и может найти применение .при производстве полупроводниковых приборов и полупроводниковых схем.

В известных способах зонной плавки с градиентом темперагуры требуется монокристалличсская затравка на начальном этапе движения зоны. Для стабильного (без разрывов) движвнпя зоны необходимо однородное смачивание металлом-растворителем как поверхности образца, так и поверхности затравки.

Это требует строгой плоскостности поверхностей образца и затравки (особвнно для ТоНких зон) .

Кроме того,,нерастворимые включения, оказавшиеся в жидкой зоне, затрудняют транспортирование атомов полупроводника к кристаллизующейся .границе и могут при определенных усло виях вызвать разрывов зоны. Например, для плоских зон на основе алюминия, движущихся B кремнии или германии, та кими включениями будут чешуйки окиси алюминия А120з или частицы карбида кремния

SiC. Для зоны на основе золота, серебра, олова опасным включением является также двуокись:кремния ЯО2, от которой трудно избавитыся.

С целью повышения стабильности движения зоны предлагается плоакую зону получать в результате слияния ls объеме полупроводника ряда параллельных линейных зон, углубляющихся в полупроводник при повышении темпер атуры.

Способ, поясняется примером, в котором в

5 качестве полупроводника используют кремний п-типа, а в качестве металла-растворителя дл я з он — алюминий.

Пластины кремния необходимой толщины, ориентированные llo кристаллографичвской

10 плоскости (111), полируют механически или химически.

Мегодом термического распыления алюминия в вакууме через специальный трафарет или на всю пластину с последующей фотоли15 тографией полу1чают заданное число отараллельных линейных зон,необходимой ширины (30 — 200 мк) и толщины (не менее 10 мк).

Напыление алюминия сочетается с одновременным сплавлением с кремнием, для чего

20 тем пература,подложки поддерживается is интервале 577 †6 С.

Ш ирину зоны в зависимости от температуры определяют по формуле

l(T)=l, q/ с„<т) где l(T) — ширина жидкой зоны при тем пературе T С;

lp — ширина алюминиевой ленточной

30 (линейной) зоны на старте;

262861

Предмет изобретения

Составитель Г. Корнилова

Редактор Т. 3. Орловская Техред Л. В. Куклина Корректор С. А. Кузовенкова

Заказ 1312j15 Тираж 500 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Типография, пр. Сапуноьа, 2

Сл1 (т) — весовая концентрация алюминия la рас плаве прои температуре Т (определяют по ликвидусу диаграммы состояния системы Si — А1).

Расстояние между ленточными зонами на старте выбирают так, чгобы при заданной температуре Т они слились и:образовали плоскую зону. Число зон определяют с учетом получения заданной площади, плоской зоны.

Приготовленные таким образом пластины кремния с зонами помещают IB вакуумную (остаточное давление не более 10 4мм рт. ст.) градиентную печь с плоскородным тепло вым полем, углубляют зоны при температуре

800 — 1200 С на заданное расстояние, после чего повышают температуру та к, чтобы отдельные линейные зоны слились и образовали плоскую зону. Фронт зоны при этом благодаря стабилизирующему эффекту плоскости (111) получается ро вным. После этого продолжают движение плоской зоны при любой температуре в диапазоне 700 — 1300 С. Полученная таким образом плоская зона обладает большей стабильностью д вижен ия, так как нерастворимые шлаки, имеющиеся в жидких линейных зонах, остаются на старте и в далЬнейшем не InpBnHTствуют движению зоны.

Применяя серию концентрических линейных зон или сер ию линейных зон любой дру5 гой формы, можно получить легированные или очищенные (при иапользовании нейтрального металла-растворителя для зоны, на пример, золота, серебра, олова) области различных размеров и геометрии в пластилине полу10 проводника.

Кроме того, смачивание алюминием кремния при использавании линейных зон настолько воопроизводимо, что отпадает необходимость предварительного сплавления и кон15 троля.

Способ зонной плавки с температурным

20 градиентом путем образованиия и движения плоской зоны, отличающийся тем, что, с целью повышения стабильности движения зоны, предварительно создают ряд линейных зон, углубляют их, после чего павышают тем25 пературу до образавания,плоской зоны.

Патент ссср 262861 Патент ссср 262861 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области изготовления интегральных схем

Изобретение относится к оборудованию для сварки давлением с подогревом, в частности к установкам для диффузионной сварки полупроводников с диэлектриками, и может быть использовано в радиотехнической, электронной и приборостроительной промышленности

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых структур, точнее к изготовлению кремниевых структур, содержащих p-слой кремния над и под границей раздела, и может быть использовано для создания приборов сильноточной электроники и микроэлектроники

Изобретение относится к полупроводниковой технологии, может быть использовано в области создания современных материалов для микроэлектроники, в частности структур кремний-на-изоляторе (КНИ) для производства современных сверхбольших интегральных схем (СБИС) и других изделий микроэлектроники
Изобретение относится к области микроэлектроники, а именно к технологии изготовления интегральных схем (ИС)

Изобретение относится к оборудованию для сварки с подогревом и может быть использовано в радиотехнической, электронной и приборостроительной промышленности

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для интеграции электронных материалов в полупроводниковой, электронной, сверхпроводниковой, оптической и электротехнической технологиях, для создания современных материалов микроэлектроники, гетероструктур с кристаллическим слоем типа металл-металл, металл-полупроводник, полупроводник-полупроводник, полупроводник-металл, полупроводник-изолятор вне зависимости от структуры подложки, в частности структур кремний-на-изоляторе (КНИ) или полупроводник-на-кремнии (ПНК), для производства многофункциональных устройств микросистемной техники, устройств на основе сверхпроводящих материалов, спиновых транзисторов, современных сверхбольших интегральных схем (СБИС), систем на чипе и других изделий спинотроники, опто- и микроэлектроники
Наверх