Панорамный измеритель параметров свч-трактов

 

ОП Ы АффЕ

ЫЗОБРЕТЕНЫЯ

266870

Союз Советских

Социалистических

Республик

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Зависимое от авт. свидетельства №

Заявлено 14.Х1,1968 (№ 1281597/26-9) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 01.1Ч.1970. Бюллетень № 12

Дата опубликования описания 15Л"11,1970

Кл. 21а, 71

МПК G Olr

УДК 621.317.789(088.8) Комитет но делам изобретений и открытий лри Совете Министров

СССР

Авторы изобретения

П. A. Свешников и К. И. Рекевичус

Заявитель

ПАНОРАМНЫЙ ИЗМЕРИТЕЛЬ ПАРАМЕТРОВ СВЧ-ТРАКТОВ

Изобретение относится к радиоизмерительной технике и может быть использовано в панорамных измерителях параметров СВЧ-трактов.

Существующие панорамные измерители параметров СВЧ-трактов (измерители КСВ полного сопротивления и др,), как правило, построены по принципу выделения падающей и отражающей волн с помощью направленных ответвителей. В таких измерителях существенную долю в общей погрешности измерения составляет систематическая погрешность, обусловленная неидентичностью амплитудно-частотных характеристик СВЧ-элементов канала отраженной и падающей волн (ответвители, детекторные или смесительные головки). Изготовление элементов с идентичными параметрами в диапазоне частот ограничено технологическими трудностями производства и разбросом параметров СВЧ-детекторов, Известны схемы компенсации систематических погрешностей, осуществляющие дискретную коррекцию путем регулирования усиления в индикаторном блоке с помощью ступенчатого напряжения, по форме приближающегося к характеру систематических погрешностей.

Это ступенчатое напряжение сложной формы образуется программным устройством, которое запускается синхроимпульсом в момент начала перестройки частоты свин-генератора. Корректирующее устройство осуществляет компенсацию по заданной программе в установленной полосе частот свип-генератора.

Однако в панорамных измерителях с такими

5 корректирующими системами при изменении начальной частоты свин-генератора необходимо изменить программу корректирующего устройства, так как величина систематической погрешности связана однозначно с частотой

10 свип-генератора.

Предлагаемый панорамный измеритель отличается от известных тем, что в программном устройстве ко входам фантастрона подключены выходы генератора тактовых импульсов и

15 модулятора СВ -1-генератора; вход блокинг-генератора подключен к выходу фантасгрона и выходу генератора тактовых импульсов; выход блокинг-генератора соединен с декатроном, катоды которого подключены к общей нагруз20 ке, соединенной со входом усилителя индикатора.

Это позволяет повысить точность изображения характеристики на электроннолучевых трубках (ЭЛТ), уменьшить погрешность изме25 рения и исключить необходимость подбора элементов СВЧ-тракта с идентичными частотными характеристиками в каналах отраженной и падающей волн.

На чертеже показана блок-схема предлагае30 мого панорамного измерителя.

266870

3

Сигнал со свин-генератора 1, проходя через направленные ответвители 2 и 8, поступает на исследуемый объект 4. Ответвитель 2 выдает . сигнал, пропорциональный падающей волне, а ответвитель 8 — пропорциоыальный отраженной. Усилителем б напряжение на выходе детектора б поддерживается постоянной амплитуды, а напряжение с детектора 7 усиливается усилителем 8 и регистрируется на экране

ЭЛТ 9.

Систематическая погрешность измерения может быть обнаружена на экране ЭЛТ 9 в процессе калибровки в виде неравномерности уровня калибровки, когда ответвители 2 и 8 ориентированы на падающую волну, а тракт нагружен на согласованную нагрузку.

Для компенсации систематических погрешностей регулируется коэффициент усиления усилителя 8. Причем изменение величины регулирующего напряжения в полосе частот свипгенератора должно происходить по такому же закону, что и изменение систематических погрешностей, только с противоположным знаком.

Для этого в схему панорамного измерителя вводится программирующее устройство, состоящее из генератора 10 тактовых импульсов, фантастрона 11, блокинг-генератора 12 и декатрона 18.

Выдача регулирующего (корректирующего) напряжения на усилитель 8 определенной величины в определенных участках диапазона частот происходит следующим образом.

Генератор 10 тактовых импульсов, синхронизируемый импульсами со свип-генератора, соответствующими началу перестройки частоты, запускает схему фантастрона 11, которая вырабатывает прямоугольные импульсы.

Длительность импульсов, вырабатываемых фантастроном, зависит от величины напряжения перестройки генераторной лампы, которое также подается на фантастрон. Так как определенному значению напряжений перестройки соответствует определенное значение частоты свин-генератора 1, то длительность импульсов фантастрона 11 будет пропорциональна частоте генератора.

Импульсом фантастрона 11 включается блокинг-генератор 12, который в зависимости от

30 длительности поступающего импульса выдает пачку импульсов количеством от 1 до 10. Эти импульсы поступают на декатрон, в катодах которого включены потенциометры, позволяющие устанавливать требуемые величины составных частей напряжения, которые после суммирования образуют напряжение ступенчатой формы. Это напряжение и используется для регулирования усиления усилителя 8.

Каждый импульс тактового генератора осуществляет сброс декатрона 18. При неизменном напряжении перестройки на входе фантастрона 11, т. е. при неизменной частоте свипгенератора 1, в интервале между тактовыми импульсами будет включен определенный катод декатрона, соответствующий по номеру числу импульсов, поступающих с блокинг-генератора. При изменении напряжения перестройки на входе фантастрона 11, т. е. при изменении частоты свип-генератора 1, будет изменяться длительность импульса фантастрона, изменяться число импульсов, выдаваемых блокинг-генератором в интервале между тактовыми импульсами, и соответственно изменяться номер включенного катода декатрона.

Таким образом, за период перестройки свип генератора на выходе схемы коррекции будет формироваться ступенчатое напряжение, амплитуду ступенек которого оператор может устанавливать потенциометрами в катодах декатрона, изменяя ее от 0 до требуемого значения.

Предмет,изобр етения

Панорамный измеритель параметров СВЧтрактов, состоящий из свип-генератора, СВЧузлов, индикатора и программного устроиства, отличсиощийся тем, что, с целью повышения точности измерений, в программном устройстве ко входам фантастрона подключены выходы генератора тактовых импульсов и модулятора

СВЧ-генератора; вход блокинг-генератора подключен к выходу фантастрона и выходу генератора тактовых импульсов; выход блокинг-генератора соединен с декатроном, катоды которого подключены к общей нагрузке, соединенной со входом усилителя индикатора.

266870

Составитель Э. Гилянская

Редактор Т. Иванова Техред Т. П. Курнлко Корректор Н. С. Сударенкова

Заказ 1821/17 Тираж 480 Подписное

Ц11ИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совегс Министров СССР

Москва Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2

Панорамный измеритель параметров свч-трактов Панорамный измеритель параметров свч-трактов Панорамный измеритель параметров свч-трактов 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к системе и процессу для определения композиционного состава многокомпонентных смесей, которые являются либо неподвижными, либо текущими в трубах или трубопроводах, где компоненты имеют различные свойства полного электрического сопротивления и могут, или не могут, присутствовать в различных состояниях

Изобретение относится к электроизмерительной технике, а конкретно к мостовым методам измерения на переменном токе параметров трехэлементных двухполюсников

Изобретение относится к расчету переходных процессов, в сложных электрических цепях с распределенными параметрами

Изобретение относится к способам измерения диэлектрической проницаемости и удельной проводимости жидких дисперсных систем и может быть использовано для контроля и регулирования величин диэлектрической проницаемости и удельной проводимости преимущественно пожаро-взрывоопасных и агрессивных жидких сред в процессе производства в химической и других областях промышленности

Изобретение относится к радиоизмерениям параметров поглощающих диэлектрических материалов на СВЧ, в частности к измерению комплексной диэлектрической проницаемости и тангенса угла диэлектрических потерь композиционных материалов типа углепластиков

Изобретение относится к измерению электрических величин и может быть использовано в производстве существующих и новых поглощающих материалов типа углепластиков, применяется в СВЧ диапазоне, а также для контроля электрических параметров диэлектрической проницаемости и тангенса угла диэлектрических потерь

Изобретение относится к электронной технике

Изобретение относится к измерительной технике - к области измерения и контроля электрофизических свойств жидких технологических сред

Изобретение относится к области радиоизмерений параметров поглощающих диэлектрических материалов на СВЧ, в частности к измерению комплексной относительной диэлектрической проницаемости композиционных материалов типа углепластиков, характеризующихся большими значениями комплексной относительной диэлектрической проницаемости, имеющих шероховатую поверхность

Изобретение относится к области систем обработки информации и может быть использовано при управлении линией электропередачи (ЛЭП), на основе ее Г-образной адаптивной модели, перестраиваемой по текущей информации о параметрах электрического режима ЛЭП
Наверх