Запоминающий элемеит
ОПИСАНИЕ
ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
267ll9
Союз Советскин
Социалистическиз
Республин
Зависимое от авт. свидетельства №
Заявлено 12.111.1969 (№ 1311523/18-24) с присоединением заявки №вЂ”
Приоритет
Опубликовано 01.IV.1970. Бюллетень № 12
Дата опубликования описания 20Х11.1970
Кл. 42h, 38
42m<, 9/00
МПК 6 11с 11/06
G Обд 9!00
УДК 681,327.2(088.8) Комитет по делам изобретеиий и открытий при Совете Мииистров
СССР
Юеесоеэнаа
ЮТЕнтно-техничесйаЮ
Фвблюотекя МБА
Авторы изобретения
Б. П. Горанский и А. К. Звездин
Заявитель
ЗАПОМИНАЮЩИЙ ЭЛЕМЕНТ
Изобретение относится к области вычислительной техники и может быть использовано в тонкопленочных магнитооптических за поминающих устройствах.
Известно выполнение запоминающего элемента (ЗЭ) магнитооптического запоминающего устройства (ЗУ) в виде прозрачной подложки и нанесенной на нее прозрачной пленки, изготовленной из ферромагнитного материала, обладающего температурой компенсации (T,) ..
Для работы магнитооптического ЗУ на указанных элементах необходимо, чтобы их Т„ были близки друг другу (допускаемый разорос от элемента к элементу меньше 0,5 ).
Это предъявляет жесткие требования к технологии изготовления магнитной пленки запоминающих элементов, так как небольшие изменения состава материала и наличие дефектов и неоднородностей .приводят к изменению
Т„. При работе такого ЗУ необходимо поддерживать температуру подложки при Т, с точностью менее 0,5, что с трудом реализуется.
Для уменьшения требований к точности термостатирования и идентичности, пороговой температуры Т, у всех элементов ЗУ предлагается пленку ЗЭ выполнять из ферромагнетика, изменяющего направление легкой оси намагничивания в зависимости от температуРы.
На чертеже представлены петли гистерезиса предлагаемого за поминающего элемента для двух случаев: а) при температуре Ть меньшей температуры начала переориентации легкой оси намагничивания (пороговой температуры Т,);
o) при температуре Те, большей пороговой температуры.
Предлагаемый запоминающий элемент
10 представляет собой монокристаллическую пленку из магнитного материала, изменяющего направление легкой оси намагничивания в зависимости от температуры, на пример, из ортоферрита редкоземельных элементов.
Пленка выращена таким образом, что при температуре, меньшей температуры начала переориентации легкой оси Т,, легкая ось направлена перпендикулярно к подложке.
При работе элементов температура подложки поддерживается постоянной и меньшей То.
Состоянию «О» элемента соответствует одно из направлений магнитного момента, перпендикулярное к .подложке (например, внутрь подложки). Запоминающие элементы помещают в магнитное поле Н>, которое направлено от подложки и перпендикулярно ей, а величина его меньше коэрцитивной силы, пленки гт, при Т То.
Запись состояния «1» в выбранном ЗЭ про30 изводится лучом света, интенсивность котора267119
Составитель 10. Розенталь
Техред Л. В. Куклина Корректор Л. И. Гаврилова
Редактор С. Лазарева
Заказ 1889, 3 Тираж 480 Подписное
Ш1ИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий прп Совете Министров СССР
Москва, 7К-35, Раушская наб., д. 4,5
Типография, пр. Сапунова, 2
ro выбирается так, чтобы поглощенная в элементе энергия была достаточна для того, чтобы нагреть ЗЭ до температуры, при которой коэрцитивная сила будет меньше, но при этой температуре ЗЭ перемагнитится и при остывании до температуры T (TO перейдет в состояние «1». Магнитный момент запоминающего элемента направлен .по магнитному полю от подложки. Перемагничивание осуществляется локально, именно одного ЗЭ, на который воздействует световой импульс, а магнитное поле является единым для всех элементов. Считывание производится как и в известном магнитооптическом запоминающем элементе, т. е. при помощи эффектов Фарадея или Керра.
Предмет изобретения
Запоминающий элемент магнитооптического запоминающего устройства, состоящий из прозрачной подложки и нанесенной на нее прозрачной магнитной пленки, отличающийся тем, что, с целью уменьшения требований к точности термостатирования и идентичности пороговой температуры у всех элементов запоминающего устройства, пленка изготовлена из ферромагнетика, изменяющего направление легкой оси намагничивания в зависимости
15 от температуры.
