Способ тестирования гис свч

Использование: для тестирования ГИС СВЧ. Сущность изобретения заключается в том, что способ тестирования гибридной интегральной схемы (ГИС) СВЧ, имеющей контактные площадки, образованные, по меньшей мере, торцевой металлизацией, включает фиксацию ГИС СВЧ, последующее соединение ее заземляющей поверхности с экраном коаксиального СВЧ тракта, а каждой из упомянутых контактных площадок - с центральным проводником коаксиального СВЧ тракта посредством соответствующего щупа, ось которого параллельна поверхности подложки ГИС СВЧ, в котором осуществляют подведение и снятие СВЧ сигнала с коаксиального СВЧ тракта, а также подведение сигналов управления и питания к ГИС СВЧ посредством контактных элементов. Технический результат: обеспечение возможности тестирования ГИС СВЧ с высокой точностью, а также в обеспечении возможности тестирования ГИС СВЧ различных типоразмеров. 1 з.п. ф-лы, 6 ил.

 

Изобретение относится к контрольно-измерительной технике и может быть использовано при тестировании гибридных интегральных схем (ГИС) СВЧ, в частности, интегральных функциональных устройств.

Известен способ тестирования печатных плат, включающий соединение проводящих элементов платы с внешней цепью контрольно-измерительного прибора посредством щупов в виде игл, оси которых расположены перпендикулярно поверхности платы (см. описание к авторскому свидетельству SU 1665553, опубл. 23.07.1991).

Недостатком известного способа является недостаточная точность тестирования, в частности, в случае использования известного способа для тестирования ГИС СВЧ, вследствие искажения СВЧ сигнала из-за описанного выше соединения проводящих элементов платы с внешней цепью контрольно-измерительного прибора.

Технической проблемой, решаемой настоящим изобретением, является создание способа тестирования ГИС СВЧ, лишенного указанных недостатков.

В результате достигается технический результат, состоящий в обеспечении тестирования ГИС СВЧ с высокой точностью, а также в обеспечении возможности тестирования ГИС СВЧ различных типоразмеров.

Конкретно, указанный технический результат достигается путем осуществления способа тестирования ГИС СВЧ, имеющей контактные площадки, образованные, по меньшей мере, торцевой металлизацией, включающий фиксацию ГИС СВЧ, последующее соединение ее заземляющей поверхности с экраном коаксиального СВЧ, а каждой из упомянутых контактных площадок - с центральным проводником коаксиального СВЧ тракта посредством соответствующего щупа, ось которого параллельна поверхности подложки ГИС СВЧ, в котором осуществляют подведение и снятие СВЧ сигнала с коаксиального СВЧ тракта, а также подведение сигналов управления и питания к тестируемой ГИС СВЧ посредством контактных элементов.

В частном варианте осуществления оси контактных элементов перпендикулярны поверхности подложки ГИС СВЧ.

На фиг. 1 показан общий вид устройства для реализации заявленного способа.

На фиг. 2а, 2б, 2в показана ГИС СВЧ, каждая из контактных площадок которой соединена с соответствующим щупом.

На фиг. 3 показана структурная схема стенда для проведения тестирования ГИС СВЧ.

На фиг. 4 показана тестируемая ГИС СВЧ.

Устройство для реализации заявленного способа, показанное на фиг. 1-3, включает в себя сменный ложемент 1, предназначенный для размещения ГИС СВЧ 2 (размер которого выбирается в соответствии с размером тестируемой ГИС СВЧ 2).

ГИС СВЧ, изображенная на фиг 4, состоит из подложки, включающей в себя плату 2а' и металлическое основание 2а'', и размещенных на плате 2а' проводников и радиоэлектронных элементов (не показаны).

ГИС СВЧ 2 содержит контактные площадки 3а, образованные торцевой металлизацией, заземляющую поверхность 3б, образованную, как торцевой металлизацией, так и металлизацией, образованной на противоположной стороне платы 2а' (относительно стороны, на которой размещены проводники и радиоэлектронные элементы). С противоположных сторон ложемента 1 расположены контактирующие прижимы 4а и 4б.

Упомянутые контактирующие прижимы 4а и 4б, обеспечивают фиксацию ГИС СВЧ 2 и соединение заземляющей поверхности 3б ГИС СВЧ 2 с экраном (условно не показан), а каждой из контактных площадок 3а, образованных торцевой металлизацией - с центральным проводником коаксиального СВЧ тракта 5. Ложемент 1 выполнен с возможностью вертикального перемещения. Контактирующие прижимы 4а и 4б выполнены с возможностью перемещения вдоль поверхности подложки ГИС СВЧ 2, (посредством вращения рукояток 6а и 6б) и содержат щупы 7а и 7б, соответственно, обеспечивающие соединение каждой из контактных площадок 3а ГИС СВЧ 2 с соответствующим центральным проводником коаксиального СВЧ тракта 5. Фиксация и соединение заземляющей поверхности 3б ГИС СВЧ 2 с экраном коаксиального СВЧ тракта 5 осуществляется при помощи прижимов 8а и 8б, прижимаемых, например, плоскими пружинами (не показаны) и регулируемых с помощью рукояток 9а и 9б, соединенных, например, с кулачками (8в и 8 г).

Дополнительно устройство содержит рамку 10, закрепленную на направляющих 11а и 11б с возможностью перемещения в направлении, перпендикулярном поверхности подложки ГИС СВЧ. На рамке 10 закреплена сменная переходная плата 12 с установленными на ней контактными элементами 13. Коаксиальный СВЧ тракт 5 соединен с анализатором цепей 14, а контактные элементы 13 - с источником питания (не показан) и системой управления и контроля 15. Контактные элементы 13 устанавливают на сменной переходной плате 12 в местах, соответствующих топологии ГИС СВЧ 2 и обеспечивающих подведение сигналов управления и питания к соответствующим низкочастотным контактным площадками ГИС СВЧ 2.

Это позволяет (посредством изготовления сменной переходной платы 12 с нужным количеством и расположением контактных элементов 13) производить тестирование различных ГИС СВЧ.

В одном из возможных частных вариантов заявленный способ реализуют следующим образом.

Тестируемую ГИС СВЧ 2, имеющую контактные площадки 3а, образованные торцевой металлизацией и заземляющую поверхность 3б, фиксируют в контактирующем устройстве следующим образом. Устанавливают ГИС СВЧ 2 на ложемент 1 и рукояткой 17 регулируют положение ложемента 1 с установленной на нем ГИС СВЧ 2 по высоте таким образом, чтобы контактные площадки 3а, образованные торцевой металлизацией, располагались напротив щупов 7а и 7б, и фиксируют положение фиксатором 18. Далее, вращая рукоятки 6а и 6б, сводят контактирующие прижимы 4а и 4б до контакта щупов 7а и 7б с соответствующими контактными площадками 3а, образованными торцевой металлизацией, и фиксируют ее посредством прижимов 8а и 8б. Тем самым обеспечивается соединение заземляющей поверхности 3б ГИС СВЧ 2 с экраном, а каждой из контактных площадок 3а - с центральным проводником коаксиального СВЧ тракта (посредством щупов 7а и 7б).

Далее с помощью рычага кривошипно-шатунного механизма 19 опускают рамку до контакта контактных элементов 13 и соответствующих контактных площадок ГИС СВЧ 2, обеспечивая подведение сигналов управления и питания к ГИС СВЧ 2.

Кроме этого, подводят и снимают СВЧ сигнал с коаксиального СВЧ тракта.

1. Способ тестирования гибридной интегральной схемы (ГИС) СВЧ, имеющей контактные площадки, образованные, по меньшей мере, торцевой металлизацией, включающий фиксацию ГИС СВЧ, последующее соединение ее заземляющей поверхности с экраном коаксиального СВЧ тракта, а каждой из упомянутых контактных площадок - с центральным проводником коаксиального СВЧ тракта посредством соответствующего щупа, ось которого параллельна поверхности подложки ГИС СВЧ, в котором осуществляют подведение и снятие СВЧ сигнала с коаксиального СВЧ тракта, а также подведение сигналов управления и питания к ГИС СВЧ посредством контактных элементов.

2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что оси контактных элементов перпендикулярны поверхности подложки ГИС СВЧ.



 

Похожие патенты:

Использование: для измерения их электрических параметров. Сущность изобретения заключается в том, что контактное устройство для подключения интегральной микросхемы содержит основание с контактами, поворотную раму и фиксатор поворотной рамы, при этом поворотная рама шарнирно установлена на основании и содержит два роликовых элемента, которые взаимодействуют с интегральной микросхемой, причем точки касания роликовых элементов интегральной микросхемы расположены симметрично относительно контактов основания.

Изобретение относится к способу повышения надежности полупроводниковых монолитных и гибридных интегральных схем (ИС) в заданных условиях эксплуатации. Сущность: определяют скорость деградации информативных параметров ИС в результате искусственного старения.

Изобретение относится к способам проведения испытаний на надежность и устройствам для их реализации. В изобретении предложен способ проведения неразрушающих испытаний на отказоустойчивость, при котором имитируются отказы элементов, а схема сохраняет работоспособность.

Изобретение относится к области испытаний радиоэлектронной аппаратуры. Технический результат: сокращение времени испытаний на гамма-процентный ресурс невосстанавливаемых резервированных радиоэлектронных устройств.

Изобретение относится к способам испытаний полупроводниковых приборов на стойкость к воздействию тяжелых заряженных частиц различных энергий космического пространства (КП).

Изобретение относится к области электронного бытового оборудования. Технический результат заключается в уменьшении электропотребления оборудованием.

Изобретение относится к области электронного бытового оборудования. Технический результат заключается в уменьшении электропотребления оборудованием.

Устройство для определения нагрузочной способности микросхем относится к области микроминиатюризации и технологии радиоэлектронной аппаратуры и может быть использовано для контроля параметров микросхем при их производстве.

Изобретение относится к технике измерения параметров интегральных микросхем и может быть использовано для контроля качества цифровых интегральных микросхем и определения их температурных запасов.

Тест-купон погрешностей совмещения слоев многослойной печатной платы состоит из 2n пар печатных проводников, ориентированных вдоль стороны МПП. Причём каждую пару проводников располагают на соседних слоях металлизации МПП один под другим со смещением в направлении.

Использование: для тестирования ГИС СВЧ. Сущность изобретения заключается в том, что способ тестирования гибридной интегральной схемы СВЧ, имеющей контактные площадки, образованные, по меньшей мере, торцевой металлизацией, включает фиксацию ГИС СВЧ, последующее соединение ее заземляющей поверхности с экраном коаксиального СВЧ тракта, а каждой из упомянутых контактных площадок - с центральным проводником коаксиального СВЧ тракта посредством соответствующего щупа, ось которого параллельна поверхности подложки ГИС СВЧ, в котором осуществляют подведение и снятие СВЧ сигнала с коаксиального СВЧ тракта, а также подведение сигналов управления и питания к ГИС СВЧ посредством контактных элементов. Технический результат: обеспечение возможности тестирования ГИС СВЧ с высокой точностью, а также в обеспечении возможности тестирования ГИС СВЧ различных типоразмеров. 1 з.п. ф-лы, 6 ил.

Наверх