Способ спектральной диагностики тяжёлой воды в кристаллических материалах

Использование: для спектральной диагностики тяжелой воды в кристаллических материалах. Сущность изобретения заключается в том, что для исследуемого кристалла снимают инфракрасные спектры пропускания и поглощения, при этом изучают ИК-спектры кристаллов, выращенных в растворах H2O, и кристаллов, содержащих D2О, в различных направлениях, по которым выделяют ряд спектральных линий и при сравнении величины коэффициента поглощения и положению этих линий производят диагностику молекул тяжелой воды в исследуемом кристаллическом материале. Технический результат: повышение точности, экспрессности и достоверности определения присутствия молекул тяжелой воды. 3 ил.

 

Изобретение относится к неразрушающим методам контроля качества лазерных и оптических кристаллов и может быть использовано при изготовлении и исследовании новых кристаллических материалов.

Известен «Способ определения положения оптической оси фазовой анизотропной кристаллической пластинки λ/4» (Патент РФ №2442972, заявка №2010123768/28, МПК G01N 021/21, Пикуль О.Ю.) Способ осуществляют с помощью оптической системы, содержащей установленные перпендикулярно ее оси системы поляризатор, исследуемую фазовую анизотропную кристаллическую пластинку λ/4, фазовый компенсатор, анализатор, скрещенный с поляризатором. Между исследуемой пластинкой и фазовым компенсатором устанавливают рассеиватель. Путем поворота исследуемой кристаллической пластинки вокруг оси оптической системы получают коноскопическую картину в виде светлого «мальтийского креста». Положение оптической оси в плоскости входной грани исследуемой фазовой анизотропной кристаллической пластинки λ/4 определяют по ее параллельности с линией, соединяющей две черные точки в коноскопической картине. Изобретение позволяет достаточно быстро определить точное положение оптической оси в плоскости входной грани фазовой анизотропной кристаллической пластинки λ/4 при массовом тестировании фазовых кристаллических пластинок произвольной толщины.

Однако этот способ не позволяет определять типы колебательных центров и определять наличие тяжелой воды, так как здесь берется заведомо анизотропный кристалл, размер которого кратен λ/4, и определяется только направление главной оптической оси в плоскости входной грани исследуемой фазовой анизотропной кристаллической пластинки.

Наиболее близким к изобретению по технической сущности и достигаемому результату является «Способ спектральной диагностики оптических осей и типов колебательных центров в кристаллах с водородными связями» (Патент РФ №2697425 Опубл. 14 августа 2019. Бюл. №23, авторы: Тимохин В.М., Гармаш В.М., Теджетов В.А.), в котором с целью повышения точности, экспрессности и достоверности спектральной диагностики оптических осей и типов колебательных центров в кристаллах с водородными связями тщательно отполированные образцы помещают в ИК-спектрометр, снимают инфракрасные спектры пропускания и поглощения в различных направлениях, по которым определяют ширину запрещенной зоны для каждого кристалла, выделяют протонную составляющую в колебательных центрах, а для каждой линии, соответствующей определенному колебательному центру, определяют энергию активации, длину волны и волновое число, по величине и наличию которых в данном направлении определяют типы колебательных центров и направление оптических осей. Однако в этом патенте не ставилась цель определения наличия тяжелой воды в кристаллических материалах.

Целью настоящего изобретения является исследование возможности спектральной диагностики тяжелой воды в кристаллических материалах, а также повышение точности, экспрессности и достоверности определения присутствия молекул тяжелой воды в результате исследования инфракрасных спектров.

Техническим результатом, достигаемом в данном изобретении, является разработка способа спектральной диагностики тяжелой воды в кристаллических материалах, а также повышение точности, экспрессности и достоверности определения присутствия молекул тяжелой воды в результате исследования инфракрасных спектров (ИК-спектров) пропускания и поглощения в кристаллических материалах.

Для достижения указанного технического результата в способе спектральной диагностики тяжелой воды в кристаллических материалах, заключающийся в том, что для исследуемого кристалла снимают инфракрасные спектры пропускания и поглощения, отличающийся тем, что изучают ИК-спектры кристаллов, выращенных в растворах Н2О, и кристаллов, содержащих D2O, в различных направлениях, по которым выделяют ряд спектральных линий и при сравнении величины коэффициента поглощения и положению этих линий производят диагностику молекул тяжелой воды в исследуемом кристаллическом материале.

Точность, экспрессность и достоверность достигаются за счет применения современного оборудования, тщательного приготовления и полировки образцов.

ОБРАЗЦЫ И МЕТОДЫ ИССЛЕДОВАНИЯ

В качестве объектов исследований использовались кристаллы иодата лития α - LiIO3 (гексагональной сингонии, точечная группа С6), выращенные методом открытого испарения в растворах Н2О и D2O. Кристаллы иодата лития обладают уникальными оптическими, электрическими и пьезоэлектрическими свойствами и применяются в качестве удвоителя частоты коротковолнового излучения ряда полупроводниковых лазеров и в оптоэлектронике. Спектры пропускания исследовались на спектрофотометре UV-ViS-NiR Cary 5000, что позволило определить ширину запрещенной зоны кристаллов иодата лития [2], поэтому все колебательные центры связаны с протонами (в Н2О) и дейтронами (в D2O). Инфракрасные (ИК)-спектры поглощения исследовались на ИК-Фурье спектрометре IFS 66v/S (фирмы BRUKER, Германия).

Изобретение иллюстрируется следующими примерами:

Фиг. 1. ИК - спектр поглощения кристаллов α - LiIO3, выращенных в Н2О, вдоль оси Z(C6) с увеличенным фрагментом спектра;

Фиг. 2. ИК - спектр поглощения кристаллов α - LiIO3, выращенных в Н2О, вдоль оси X с увеличенным фрагментом спектра;

Фиг. 3. ИК - спектр поглощения кристаллов α - LiIO3, выращенных в D2O, вдоль оси Z с увеличенным фрагментом спектра;

Таблица 1 ИК-спектр поглощения кристаллов α - LiIO3.

В таблице 1 обозначено: Н и D - кристаллы, выращенные в легкой (Н2О) и тяжелой (D2O) воде, Z - направление вдоль оси С6, X - направление, перпендикулярное оси С6.

Рассмотрим применение предлагаемого изобретения на примере монокристаллов иодата лития гексагональной модификации α - LiIO3. Оптическая ось шестого порядка С6 иодата лития гексагональной модификации является осью [0001], тогда как грань, параллельная оси С6 является - гранью. Для исследований из центральной части пирамиды роста α - LiIO3 выпиливают, шлифуют и полируют несколько образцов толщиной 1-5 мм. Результаты иллюстрируются фигурами 1-3 и таблицей 1.

Расчет ширины запрещенной зоны производился по краю собственного поглощения методом линейной аппроксимации оптических спектров пропускания и для монокристаллов α - LiIO3 дал в среднем значения 4.37 эВ вдоль оси Z и 4.46 эВ вдоль оси X [2], что уже позволяет выделить направления осей. Следовательно, для широкозонных кристаллов иодата лития можно исключить переходы электронов из валентной зоны в зону проводимости. Для этого потребуется температура несколько тысяч градусов. Это подтверждает, что туннельный эффект и трансляционная диффузия с образованием колебательных центров возможны только для протонов (в Н2О) и дейтронов (в D2O).

Значения коэффициента поглощения максимальны в направлении главной оптической оси Z(C6) или [0001] и минимальны в направлении оси X, перпендикулярной к ней.

Как видно из таблицы 1, в кристаллах иодата лития присутствуют центры поглощения, связанные с протонами, ионами Н3О+, ОН- и молекулами воды, что подтверждает выводы, сделанные по спектрам ТСТД в работах:

- В.М. Тимохин. Известия вузов. Физика. ТГУ, Томск. 3, 46, 2009;

- Патент РФ №2347216. Способ определения температуры появления туннельного эффекта в диэлектриках и электроизоляционных материалах; опубл. 20.02.2009, Бюл. №5 / Тимохин В.М./.

- Патент РФ №2566389. Термостимулированный способ диагностики анизотропии оптических осей кристаллов; Опубл. 27.10.2015, Бюл. №30 / Тимохин В.М./.

В этих работах исследован механизм протонно-ионной проводимости и диэлектрической релаксации, который показал возможность транспорта и трансляционной диффузии протонов через кристаллическую решетку кристаллов с водородными связями в широком диапазоне температур с образованием различных колебательных центров.

Для осуществления спектральной диагностики тяжелой воды и типов колебательных центров в кристаллических материалах, в которых предполагается наличие тяжелой воды, тщательно отполированные образцы помещаются в ИК-спектрометр. Затем снимаются инфракрасные спектры поглощения, по которым выделяется спектральная полоса в районе 1580 см-1 и спектральные линии в области 2000-3000 см-1 и по величине и наличию полос поглощения в данном направлении определяют наличие молекул тяжелой воды в кристаллическом материале.

В работе (Orlovsky V.М., Panarin V.A. Dynamics of changes in the IR spectrum of distilled water and heavy water when irradiated with an electron stream of nanosecond duration. In Letters to JETP. 2017. Vol.43. Vol.23. P. 11-16) показано, что свободная молекула HDO дает спектральную линию 1476 см-1 в диапазоне 1550-1390 см-1, соответствующая деформационным колебаниям молекул полутяжелой воды HDO. Полоса 1580 см-1 в кристаллах иодата лития имеет диапазон 1650-1450 см-1, то есть диапазоны перекрываются. Поэтому очевидно, что в кристалле иодата лития, выращенном в D2O, эта полоса соответствует колебаниям связанных молекул HDO, что согласуется с результатами работы (Lee С., Lee P., Kim Y., Kanda Н. Mechanistic study of proton transfer and H/D exchange in ice films at low temperatures (100-140K) // J. Chem. Physics. 2007. No. 127. P. 084701) о транспорте протонов в H/D-обмене во льду.

Большинство спектральных линий идентифицированы в патенте «Способ спектральной диагностики оптических осей и типов колебательных центров в кристаллах с водородными связями» (Патент РФ №2697425 Опубл. 14 августа 2019. Бюл. №23), однако ряд полос, в том числе полоса с волновым числом 1580 см-1 в кристалле иодата лития, выращенного в тяжелой воде, не были идентифицированы. Для кристаллов, выращенных в D2O коэффициент поглощения для этой полосы практически в два раза больше (Фиг. 3), чем для кристаллов, выращенных в Н2О как вдоль оси Z, так и вдоль оси X (Фиг. 1, 2), что указывает на наличие молекул тяжелой воды в исследуемом кристалле.

При комбинации обычной воды с тяжелой водой происходит быстрый изотопный обмен, в результате чего формируется полутяжелая вода: D2O+Н2О=2HDO. Поэтому тяжелая вода в растворах и кристаллах с водородными связями обычно находится в виде HDO. Молекула HDO может образоваться в результате трансляционной диффузии и туннелирования протонов вдоль водородной связи. В кристаллах иодата лития, выращенных в Н2О, эта полоса соответствует колебаниям гидроксильных ионов ОН-.

Из фигуры 1 видно, что в кристалле, выращенном в Н2О, присутствуют полосы с волновыми числами 2170 см-1 (гидроксоний Н3О+) как вдоль оси Z (Фиг. 1), так и вдоль оси X (Фиг. 2)) с энергией 0.27 эВ, полоса 2941 см-1 (протий Н+) с энергией 0.365 эВ и полос 3055 см-1 и 3170 см-1 (ионы ОН-) с энергией 0.38 эВ и 0.40 эВ (как в работе (Fillaux Fr. Proton transport in KHCO3 and acid crystals: a quantum view // journal of molecular structure (Netherlands). 2007. V. 844. P. 308-312) для кристаллов KHCO3). В кристаллах, выращенных в D2O (фиг. 3), эти полосы отсутствуют, что также является признаком наличия молекул тяжелой воды. Следовательно, в этом кристалле практически отсутствуют ионы Н3О+, Н+ и ОН-, а дефекты D3O+ не образуются в виду малой подвижности дейтронов. Всплеск поглощения в районе 2339 см-1 (0,29 эВ) видимо обусловлен азотом, применяемым в спектрометре для очистки измерительной камеры от атмосферного воздуха и паров воды, так как он повторяется у всех образцов.

Интересной представляется полоса с колебаниями 970 см-1, о которой в литературе нет информации. Она присутствует в силикатах и в кристаллах иодата лития, выращенных в легкой воде. В кристаллах иодата лития, выращенных в тяжелой воде эта полоса отсутствует. Это еще раз подтверждает тот факт, что в изученных кристаллах присутствуют протоны в подвижной фазе, образующие центры поглощения, а дейтроны таких центров не образуют в виду своей малой подвижности.

Выводы, полученные по результатам исследования ИК-спектров, хорошо согласуются с исследованием спектров термостимулированных токов деполяризации (ТСТД) [5] и спектров ядерно-магнитного резонанса (ЯМР) [6], что позволяет применять ИК-спектры самостоятельно для диагностики молекул тяжелой воды и типов колебательных центров большинства кристаллических материалов. В спектроскопии принято обозначать спектральные полосы волновыми числами в см-1, однако это не дает возможности сравнивать ИК-спектры с другими видами спектров, например, ТСТД и ЯМР спектров, где энергия выражается в эВ. Соотношение между волновым числом и энергией определяется из формулы Планка Е=hc/λ, что дает связь 1 см-1=1.24⋅10-4 эВ.

Информация по спектрам пропускания и поглощения особенно важна при изготовлении лазерных кристаллов, применяемых как в оптоэлектронике, так и в навигационных целях в лазерных створах для проводки судов и в лазерных маяках.

СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

[1] Lee С., Lee P., Kim Y., Kanda Н. Mechanistic study of proton transfer and H/D exchange in ice films at low temperatures (100-140K) // J. Chem. Phys. 2007. №127. P. 084701.

[2] Тимохин B.M., Гармаш B.M., Теджетов B.A. Инфракрасная спектроскопия и туннелирование протонов в кристаллах с водородными связями. // Оптика и спектроскопия. Изд-во «Наука» Москва. 2017. - Т. 122. - №6. - С.925-932; Timokhin V.M., Garmash V.M., Tedzhetov V.A. Infrared spectroscopy and tunneling of protons in crystals with hydrogen bonds // Optics and Spectroscopy, Pleiades Publishing, Ltd. 2017. V. 122. №6. P. 889-895. DOI: 10.1134/S0030400X17060224.

[3] Орловский B.M., Панарин B.A. Динамика изменения ИК-спектра дистиллированной и тяжелой воды при облучении электронным потоком наносекундной длительности. // Письма в ЖЭТФ. 2017. Т. 43. Вып. 23. С.11-16.

[4] Fillaux Fr. Proton transfer in the KHCO3 and acid crystals: a quantum view // Journal of Molecular Structure (Netherlands). 2007. V. 844. P. 308-312.

[5] Timokhin V.M. The mechanism of dielectric relaxation and proton conductivity in a-LiIO3 nanostructure // Russian Physics Journal, Springer New York Consultants Bureau. 2009. V. 52. N 3. P.269-274.

[6] Тимохин B.M., Гармаш B.M., Тарасов М.П. ЯМР-спектры и трансляционная диффузия протонов в кристаллах с водородными связями // Физика твердого тела. Москва. Т.57. вып.7. 2015.С.1290-1293; Timokhin V.M., Garmash V.M., Tarasov V.P. NMR Spectra and Translational Diffusion of Protons in Crystals with Hydrogen Bonds // Physics of the Solid State, Pleiades Publishing, Ltd. 2015. V.57. №7. P. 1314-1317. DOI: 10.1134/S1063783415070331.

Способ спектральной диагностики тяжелой воды в кристаллических материалах, заключающийся в том, что для исследуемого кристалла снимают инфракрасные спектры пропускания и поглощения, отличающийся тем, что изучают ИК-спектры кристаллов, выращенных в растворах H2O, и кристаллов, содержащих D2О, в различных направлениях, по которым выделяют ряд спектральных линий и при сравнении величины коэффициента поглощения и положению этих линий производят диагностику молекул тяжелой воды в исследуемом кристаллическом материале.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к медицинской технике, а именно к области медицинского анализа, для определения скорости оседания эритроцитов, а также других связанных параметров. Заявленное устройство содержит: пробозаборный элемент (11) для забора подлежащей анализу пробы крови, находящейся в пробирках (22); трубку (12) с возможностью ввода в нее пробы крови, прозрачную для электромагнитных излучений в области от 100 до 2000 нм; контур (13), соединяющий указанный пробозаборный элемент (11) с указанной трубкой (12), внутри которого циркулирует проба крови; насос (14), связанный с указанным контуром (13) и взаимодействующий со средствами создания воздушного пузыря между двумя следующими друг за другом пробами крови; сливную трубку (15) для слива пробы крови после анализа; измерительный прибор, содержащий излучающее устройство (16), связанное с соответствующим ему детекторным устройством (17) и совместно с ним образующий зону измерения; блок (20) управления и обработки, выполненный с возможностью управления функционированием указанного устройства, и интерфейсный блок (18), посредством которого указанные устройства (16 и 17) соединены с указанным блоком (20) управления и обработки, причем указанный насос (14) выполнен с возможностью забора, в каждом цикле измерения, количества крови в диапазоне от 30 мкл до 180 мкл, причем указанный измерительный прибор выполнен с возможностью осуществления измерения количества, равного приблизительно 1 конечному мкл из указанного количества исходной пробы, при этом устройство также содержит средства (23) приведения пробирок (22) во вращение или качание перед забором проб для выполнения запрограммированных циклов перемешивания крови, содержащейся в пробирках (22), причем указанный пробозаборный элемент содержит средства (11, 11а) забора пробы крови из пробирок (22), при этом оба средства ориентированы так, что пробка может быть обращена как вверх, так и вниз.

Изобретение относится к области экологии, сельского хозяйства, биоиндикации и может быть использовано для относительной оценки степени воздействия факторов естественной или искусственной окружающей среды на стабильность развития растения. Проводят предварительное определение набора вегетационных индексов, отбирают здоровый лист (листья) гармонично развитого растения, создают файл изображения листа растения с помощью гиперспектральной камеры.

Способ может быть использован в исследованиях технологических процессов и в нефтеперерабатывающей, нефтехимической и химической отраслях промышленности. Способ включает отбор проб образцов тестируемого нефтепродукта и кондиционного нефтепродукта того же вида.

Изобретение, раскрытое в данном документе, относится к способу измерения концентрации газа в контейнере, имеющем стенку с, по меньшей мере, одной деформируемой частью. Предложен способ 100 измерения концентрации газа в контейнере 20, имеющем стенку с, по меньшей мере, одной деформируемой частью, при этом газ поглощает электромагнитное излучение, по меньшей мере, в определенном спектральном диапазоне.

Изобретение относится к способу и устройству для оптического анализа фруктов или овощей. Различные источники (7a, 7b) света выполнены с возможностью подачи светового излучения в различных спектральных диапазонах селективно на каждый объект в соответствии с заданной последовательностью освещения, а изображения формируются посредством по меньшей мере одной цветной камеры (4), чувствительной к инфракрасному излучению.

Изобретение относится к устройству спектрального анализа, способу спектрального анализа, способу производства стальной полосы и способу обеспечения качества стальной полосы, предназначенным для использования для анализа состава и/или соотношения компонентов состава поверхности объекта измерения. Модуль 3 приема света включает в себя: модуль 32 разделения поляризованного света, выполненный с возможностью разделять отраженный свет на s-поляризованный и p-поляризованный свет; модуль 34 детектирования s-поляризованного света, выполненный с возможностью детектировать s-поляризованный свет, полученный посредством разделения модулем 32 разделения поляризованного света, и выдавать на модуль 4 вывода электрический сигнал, указывающий интенсивность детектированного s-поляризованного света; и модуль 33 детектирования p-поляризованного света, выполненный с возможностью детектировать p-поляризованный свет, полученный посредством разделения модулем 32 разделения поляризованного света, и выдавать на модуль 4 вывода электрический сигнал, указывающий интенсивность детектированного p-поляризованного света.

Изобретение относится к области технологии производства силовых полупроводниковых приборов и касается способа входного контроля монокристаллических кремниевых пластин. Способ включает в себя облучение пластин инфракрасным излучением, определение коэффициента пропускания, установление корреляционной зависимости между коэффициентом пропускания и количеством годных пластин и оценку пригодности пластин по этой характеристике.

Изобретение относится к области технологии производства силовых полупроводниковых приборов и касается способа входного контроля монокристаллических кремниевых пластин. Способ включает в себя облучение пластин инфракрасным излучением, определение коэффициента пропускания, установление корреляционной зависимости между коэффициентом пропускания и количеством годных пластин и оценку пригодности пластин по этой характеристике.

Изобретение относится к области материаловедения и касается способа оценки стехиометрии монокристалла ниобата лития. Способ включает в себя воздействие на исследуемый монокристалл в вакууме неполяризованным инфракрасным излучением с непрерывным спектром и анализ полученного спектра с учетом параметров спектральных характеристик.

Изобретение относится к области материаловедения и касается способа оценки стехиометрии монокристалла ниобата лития. Способ включает в себя воздействие на исследуемый монокристалл в вакууме неполяризованным инфракрасным излучением с непрерывным спектром и анализ полученного спектра с учетом параметров спектральных характеристик.

В способе для измерения излучения излучение временно и/или пространственно отделяется посредством модулятора, чтобы направлять, по меньшей мере, N различных комбинаций излучения, падающего на каждую область, по меньшей мере, в двух и меньше N различающихся направлений. Полная интенсивность излучения в каждом направлении измеряется с помощью детектора для каждой конфигурации модулятора, и выводы детектора анализируются статистически, чтобы получать информацию, связанную со спектральными свойствами излучения. Таким образом, практически вся энергия, принимаемая на входной апертуре измерительного устройства, кодируется в несколько выводов и мультиплексированный вывод принимается посредством небольшого числа детекторов. 32 з.п. ф-лы, 20 ил.
Наверх