Способ преобразования энергии ионизирующего излучения радиоактивно загрязненной местности в электроэнергию радиационно-защитными экранами

Изобретение относится к способу преобразования энергии ионизирующего излучения радиоактивно загрязненной местности в электроэнергию радиационно-защитными экранами. В способе используется преобразующий модуль, состоящий из двух полупроводниковых фотоэлементов с размещенным между ними сцинтиллятором. Модуль имеет двойное назначение, одновременно выступая в качестве источника электроэнергии (выработка электрического тока осуществляется одновременно прямым и косвенным преобразованием энергии ионизирующих излучений) и элемента радиационной защиты (функцию радиационно-защитного материала в нем преимущественно выполняет сцинтиллятор). Множество модулей, объединенных в единую электрическую цепь, подключаются к потребителю (накопителю электроэнергии) и размещаются в несколько слоев на внешней поверхности технических средств, предназначенных для работы в условиях радиоактивного загрязнения, образуя радиационно-защитный экран, одновременно являясь источником электропитания. Техническим результатом является расширение функций радиационно-защитных экранов за счет использования в их составе системы преобразования энергии ионизирующего излучения в электроэнергию, основой которой является преобразующий модуль. 2 з.п. ф-лы, 4 ил.

 

Изобретение относится к области энергетики, в частности к радиоизотопным источникам энергии, которые могут быть использованы в элементах радиационной защиты для электропитания технических средств, функционирующих в условиях воздействия высоких доз ионизирующего излучения.

Целью изобретения является создание условий для использования энергии полей ИИ, поглощенной защитными экранами (далее по тексту - экраны), для дополнительного (резервного) электропитания технических средств, применяемых в условиях радиоактивного загрязнения.

Одним из основных способов защиты от ионизирующего излучения является экранирование персонала и технических средств.

Ионизирующее излучение (ИИ) - это любое излучение, взаимодействие которого со средой приводит к образованию электрических зарядов разных знаков. Различают:

- непосредственно ионизирующее излучение;

- косвенно ионизующее излучение.

Непосредственно ионизирующее излучение состоит из заряженных частиц, имеющих кинетическую энергию, достаточную для ионизации при столкновении (альфа, бета-излучение и др.).

Косвенно ионизирующее излучение состоит из незаряженных частиц, взаимодействие которых со средой приводит к возникновению заряженных частиц, способных непосредственно вызвать ионизацию (нейтронное излучение, гамма-излучение и др.) [1].

Защитные экраны, как правило, используют для защиты персонала и технических средств от нейтронного и гамма-излучения, так как они обладают наибольшей проникающей способностью среди всех видов ИИ и представляют основную опасность [2, 3].

Носителями функциональных свойств радиационно-защитного материала, использующегося в экранах, являются: по отношению к гамма-излучению - элементы с атомными номерами не менее 47 (как правило, свинец и железо), по отношению к потоку тепловых нейтронов - ряд с атомными номерами 10-20, по отношению к потоку быстрых нейтронов - легкие элементы (водород, литий, углерод) [3].

Очевидно, что в результате экранирования ИИ значительная часть его энергии должна остаться в материале защиты. Использование энергии ИИ, поглощенной экранами для выработки электричества в настоящее время не применяется. Решение подобной задачи, позволит открыть новые возможности по эксплуатации технических средств в условиях высокого радиационного фона.

Известно, что с помощью полупроводниковых элементов энергию ИИ можно преобразовать в электрическую (GB 1356341, опубл. 1974 г.) [4]. Радиоактивное излучение, попадая на полупроводниковый элемент, индуцирует в нем электродвижущую силу (ЭДС), которая при присоединении элемента к нагрузке приводит к возникновению в цепи электрического тока [4].

В тоже время, радиационно-стимулированная генерация тока в полупроводниковых элементах с использованием альфа-излучения практически не применяется, поскольку приводит к быстрому разрушению материала и выходу из строя элемента питания [5]. Полупроводниковые элементы также малочувствительны к гамма- и нейтронному-излучению, ввиду их высокой проникающей способности [6, 7]. В типичных ячейках для преобразования энергии ИИ на основе полупроводников, используется бета-вольтаический эффект - генерация электронно-дырочных пар в различных полупроводниковых структурах под действием бета-излучения, принцип работы которых основан на том, что бета-частица, попадая в область р-n перехода полупроводниковой пластины, генерирует там электронно-дырочную пару, которая затем разделяется областью пространственного заряда. Вследствие этого на n- и р-поверхностях полупроводниковой пластины возникает разность электрических потенциалов и в замкнутой цепи возникает ток [8]. Однако, у всех известных прямых бета-преобразователей низкий КПД <5%, малые напряжение (порядка ширины запрещенной зоны) и токи (прядка единиц нА), кроме того, они обладают низкой радиационной стойкостью полупроводниковых структур [8], чего явно недостаточно для практических нужд.

Практическое использование описанного выше решения на радиоактивно загрязненной местности (РЗМ) предлагается в известном способе превращения энергии радиоактивного излучения в электроэнергию (RU 2130657, опубл. 1999 г.) [9], который состоит в размещении батарей из полупроводниковых фотоэлементов (далее - фотоэлементов) на загрязненных радионуклидами поверхностях водных объектов, грунта, зданий и сооружений. Достигаемый технический результат заключается в полезном использовании поверхностей, загрязненных радионуклидами, для производства электроэнергии, а также защите окружающей среды от ИИ указанных поверхностей. Однако ввиду низкого КПД фотоэлементов по преобразованию энергии гамма- и нейтронного-излучению, вклад этих излучений в генерируемый ими ток будет крайне мал.

В описанном выше способе подразумевается необходимость непосредственного контакта, либо малое удаление рабочей области фотоэлементов от поверхности, загрязненной радионуклидами. Это обусловлено необходимостью увеличения КПД преобразования за счет использования ИИ с малой проникающей способностью (преимущественно бета-излучения). Однако, воздействие альфа- и бета-излучений приводит к быстрой деградации фотоэлементов [4, 10], что потребует их частой замены.

К недостаткам устройств на основе описанного выше способа превращения энергии радиоактивного излучения в электроэнергию следует отнести:

- их малую мобильность. Установка фотоэлементов предполагается только на стационарных (с использованием понтонов) и подвижных объектах, имеющих большие площади внешней поверхности (морские и речные суда);

- их недостаточную защиту от гамма-излучения. Наиболее распространенные материалы, на основе которых изготавливаются фотоэлементы в промышленных масштабах (преимущественно кремний (Si) и арсенид галлия (GaAs)), в своем составе имеют элементы только с атомными номерами менее 47, которые не обеспечивают эффективного поглощения гамма-излучения. Следовательно, по своим свойствам такие средства не соответствуют требованиям, предъявляемым к радиационно-защитным материалам от гамма-излучения.

Задача настоящего изобретения заключается в разработке экранов, одновременно работающих в качестве радиоизотопных источников энергии, предназначенных для дополнительного электроснабжения технических средств, работающих в условиях РЗМ. Так, предлагаемые экраны можно использовать либо для поддержания емкости основного источника питания, либо в качестве резервного электрического источника питания, для поддержания функционирования наиболее важных узлов и агрегатов (контрольно-измерительных приборов, аварийных радиомаяков, систем навигации или освещения и др.) в районах с высоким радиационным фоном.

Для решения поставленной задачи предлагается использовать преобразующие модули, которые состоят из двух солнечных элементов, объединенных в единую электрическую цепь, направленных рабочей поверхностью в сторону размещенного между ними сцинтиллятора (Фиг. 1). Эти модули одновременно являются основой системы преобразования энергии ИИ и экранирования. Система представляет собой совокупность нескольких слоев преобразующих модулей (поз. 1, Фиг. 2), подключенных к единой электрической цепи (поз. 2, Фиг. 2).

В качестве варианта исполнения преобразующего модуля предлагается использовать солнечные элементы на основе кремния совместно с сцинтилляционным кристаллом CsI(Tl). Кристаллы, выращенные из CsI(Tl), обладают высоким световыходом и довольно длительным временем высвечивания. При этом, максимальная длина волны генерируемых ими фотонов света близка к максимуму спектральной чувствительности солнечных элементов на основе кремния. Кроме того, указанный сцинтиллятор обладает высокой поглощающей способностью к гамма-излучению (атомные номера основных элементов более 47), что обуславливает возможность его использования в качестве радиационно-защитного материала.

Поскольку КПД солнечных элементов сильно зависит от длины волны сцинтилляционного выхода, эффективность генерации электроэнергии может быть повышена благодаря использованию альтернативных материалов, как для фотоэлемента, так и для сцинтиллятора [7].

Для увеличения количества собираемых солнечными элементами света, генерируемого сцинтиллятором, на внешнюю поверхность системы преобразования энергии ИИ (и/или преобразующего модуля) наносится светоотражающее покрытие (поз. 3, Фиг. 2). Для защиты системы от механических повреждений и влаги целесообразно использование внешнего корпуса (поз. 4, Фиг. 2).

При нахождении системы преобразования энергии (экрана) в поле ИИ происходит генерация электрического тока, электрические контакты (поз. 5, Фиг. 2) при этом присоединяются к потребителю или аккумуляторной батарее.

Генерация электроэнергии достигается путем комбинирования прямого и косвенного способов преобразования энергии ИИ.

Прямое преобразование происходит за счет образования свободных носителей заряда в материале солнечного элемента в результате воздействия на него ИИ (поз. 6, Фиг. 3).

Косвенное преобразование осуществляется за счет использования сцинтилляционного материала и включает два этапа (поз. 7, Фиг. 3).

1. Преобразование энергии ИИ в световое излучение посредством сцинтилляции;

2. Фотоэлектрическое преобразование.

Использование эффекта сцинтилляции позволяет значительно повысить вклад гамма- и нейтронного-излучения в генерируемый ток, который будет зависеть о того, как подобраны максимумы спектральной характеристики полупроводникового преобразователя к эмиссионным максимумам люминесцентного материала.

Дополнительный слой сцинтиллятора снижает радиационную нагрузку, выступая в качестве экрана от гамма-излучения.

Использование системы преобразования энергии ИИ и экранирования, состоящей из нескольких слоев, позволяет повысить количество поглощаемой энергии гамма-излучения и, следовательно, увеличить энергетический выход системы [10]. Многослойность экрана дает возможность варьирования габаритными размерами и эффективностью защиты.

Для рационального использования способа, устройства на его основе целесообразно изготавливать, в виде отдельных рабочих блоков, количество слоев преобразующих модулей в которых и массогабаритные характеристики самих блоков могут регулироваться в зависимости от имеющейся потребности. Размещать блоки в качестве элементов противорадиационной защиты следует на внешней поверхности технических средств, предназначенных для использования в условиях РЗМ.

Устройства преобразования энергии ИИ в электроэнергию с одновременной противорадиационной защитой, основанные на предлагаемом способе, позволяют:

- обеспечить дополнительное (резервное) электропитание технических средств, функционирующих на РЗМ, с их одновременной радиационной защитой экранированием;

- при подключении системы преобразования энергии ИИ и экранирования к средствам индикации (световой, звуковой и т.п.) она может выступить в качестве автономного сигнализатора повышенного радиационного фона (Фиг. 4).

Изобретение может найти применение в средствах, предназначенных для ликвидации последствий радиоактивного загрязнения, в качестве устройств электропитания мобильных роботов и иных технических средств, работающих в условиях высокого радиационного фона.

Список используемых источников

1. РМГ 78-2005 ГСИ. Излучения ионизирующие и их измерения. Термины и определения: рекомендации по межгосударственной стандартизации. Государственная система обеспечения единства измерений: издание официальное: приняты Межгосударственным советом по стандартизации, метрологии (протокол №28 от 9 декабря 2005 г.) и сертификации, введены в действие Приказом Федерального агентства по техническому регулированию и метрологии от 1 марта 2006 г. №17-ст: введены впервые: дата введения 2006-07-01 / разработаны Федеральным государственным унитарным предприятием «Всероссийский научно-исследовательский институт метрологии им. Д.И. Менделеева» Федерального агентства по техническому регулированию и метрологии - Москва: Стандартинформ, 2006. - URL: http://docs.cntd.ru/document/1200043551 (дата обращения: 20.10.2020) - Текст: электронный.

2. Новый политехнический словарь / Под ред. А.Ю. Ишлинский, В.А. Дубровский. - Москва: научное издательство «Большая Российская энциклопедия», 2000. - 672 с.

3. Круглова, А.Н. Элементные свойства радиационно-защитных материалов / Круглова А.Н. - Текст: электронный // Состояние и перспективы разработки радиационно-защитных полимерных композитов. - 2013. - С. 1/3-3/3 - URL: http://rusnauka.com/17_APSN_2013/Stroitelstvo/4_140856.doc.htm (дата обращения: 26.09.2018)

4. Патент № RU 2388087 С2 Российская Федерация, МПК G21H 1/12 (2006/01). Способ преобразования энергии излучения радиоактивных отходов в электрическую энергию: 2008114630/06: заявл. 14.04.2008: опубл. 27.04.2010 / Чолах С.О, Карелин А.В., Новоселов Ю.Н. - 6 с.: ил. - Текст: непосредственный

5. Нагорнов, Ю.С., Современные аспекты применения батевольтаического эффекта: монография / Ю.С. Нагорнов; Министерство образования и науки Российской Федерации, Ульяновский государственный педагогический университет им. И.Н. Ульянова. - Ульяновск: УлГПУ, 2012. - 1 CD-ROM. - Систем, требования: Intel Pentium 1,6 GHz и более; 256 Мб (RAM); Microsoft Windows ХР и выше; Firefox (3.0 и выше) или IE (7 и выше) или Opera (10.00 и выше), Flash Player, Adobe Reader. - Загл. с титул. экрана. - Текст: электронный.

6. Horiuchi, N. Proposal of utilization of nuclear spent fuels for gamma cells / N. Horiuchi, N. Iijimaa, S. Hayashi, I. Yoda - DOI 10.1016/j.solmat.2004.07.029 - Текст: электронный // Solar Energy Materials & Solar Cells. - 2005. - №87 - C. 287-297 - URL: https://researhgate.net/publication/248520246_Proposal_of_utilization_of_nuclear_spent_fuels_for_gamma_cells (дата обращения: 18.10.2019).

7. Lee, H. Examination of spent fuel radiation energy conversion for electricity generation / H. Lee, M-S. Yim - DOI 10.1016/j.nucengdes.2016.02.003 - Текст: электронный // Nuclear Engineering and Design. - 2016. - №300 - С. 384-392 - URL: https://doi.org/10.1016/j.nucengdes.2016.02.003 (дата обращения: 23.10.2019).

8. Баранов, H.H. Принципиально новый источник электрического питания многофункционального назначения с рекордной длительностью непрерывной работы / Н.Н. Баранов, А.А. Мандругин - DOI: 10.1134/S0002331019010060 - Текст: электронный // Известия РАН. Энергетика. - 2019. - №1 - С. 82-99 (дата обращения: 18.02.2020)

9. Патент № RU 2130657 С1 Российская Федерация, МПК G21H 1/06 (2006/01). Способ превращения энергии радиоактивного излучения в электрическую энергию: №97109493/25: заявл. 11.06.1997: опубл. 20.05.1999 / Криворотов А.С. - 4 с.: ил.. - Текст: непосредственный.

10. Jin, Z. Design and performance study of four-layer radio-voltaic and dual-effect nuclear batteries based on γ-ray/, Z. Jin, X. Tang, X. Guo [и. др] - DOI 10.1016/j.nimb.2018.05.026 - Текст: электронный // Nuclear Inst, and Methods in Physics Research. - 2018. - № В 428 - С. 47-55. - URL: https://doi.org/10.1016/j.nimb.2018.05.026 (дата обращения: 25.11.2019)

1. Способ преобразования энергии ионизирующего излучения радиоактивно загрязненной местности в электроэнергию радиационно-защитными экранами, отличающийся тем, что выработка электроэнергии осуществляется одновременно прямым (радиационно-стимулированная генерация тока в полупроводниковых фотоэлементах) и косвенным (последовательное преобразование энергии ионизирующего излучения в световую энергию в результате радиационно-стимулированной люминесценции, затем световой энергии в электроэнергию с использованием полупроводниковых фотоэлементов) преобразованием энергии ионизирующих излучений в электрический ток с помощью преобразующих модулей, состоящих из двух полупроводниковых фотоэлементов с размещенным между ними сцинтиллятором.

2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что использующиеся в нем преобразующие модули имеют двойное назначение, выступая в качестве источника электропитания и элемента радиационной защиты, за счет использования в их составе сцинтилляторов, обладающих свойствами радиационно-защитного материала.

3. Способ по п. 1, отличающийся тем, что в целях повышения эффективности радиационной защиты и увеличения выхода вырабатываемой электроэнергии может использоваться несколько слоев преобразующих модулей, размещаемых на внешней поверхности технических средств, предназначенных для работы в условиях радиоактивного загрязнения, в качестве радиационно-защитного экрана.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к способу получения активированных частиц, содержащих изотопы 188Re и/или изотопы 186Re, облучением нейтронами нелетучих и нерастворимых в воде исходных частиц, содержащих соединение рения. Кроме того, изобретение относится к получению соответствующих нелетучих и нерастворимых в воде исходных частиц и активированных частиц, а также композиции, содержащей множество активированных частиц.
Использование: для питания микроэлектронной аппаратуры. Сущность изобретения заключается в том, что радиоизотопный элемент электрического питания включает источник излучения, выполненный в виде содержащей радиоактивный изотоп фольги, и по крайней мере один полупроводниковый преобразователь, при этом полупроводниковый преобразователь совмещен с источником излучения, для чего на поверхность содержащей радиоактивный изотоп фольги нанесено полупроводниковое покрытие, пропускающее электрический ток только в одном направлении.

Изобретение относится к способу изготовления сверхтонких полупроводниковых структур с потенциальным барьером, способных генерировать полезную электрическую энергию под действием ионизирующего излучения. Из алмаза типа IIb изготавливают подложку толщиной от 100 до 1000 мкм, на одной из сторон алмазной подложки формируют жертвенный слой и остаточный слой посредством имплантации ионов с энергией не менее 100 кэВ с последующим отжигом подложки в вакууме или атмосфере инертного газа при температуре от 700 до 2000°С.

Изобретение относится к области преобразователей энергии ионизирующих излучений изотопных источников в электрическую энергию Э.Д.С. Такие источники отличаются от конденсаторов и аккумуляторов много большей энергией, приходящейся на единицу объема, но малой выделяемой мощностью в единицу времени.

Изобретение относится к технике безотходной ядерной технологии. Компактный бетавольтаический источник тока длительного пользования с бета-эмиттером, представляющий собой сборку «сэндвичевой» структуры в виде стопки чередующихся между собой единичных или комплектных микроисточников тока, где каждый из микроисточников тока содержит кремнийсодержащую n+ легированную пластинку с р+ эпитаксиальным слоем, и источник бета-частиц в виде содержащего радиоизотоп никеля-63 металлического электропроводного слоя, контактирующего с одной или с двух сторон с полупроводниковым преобразователем, и систему токосъемных электродов для подключения к нагрузке, при этом в качестве полупроводникового преобразователя энергии бета-частиц в электрическую энергию - матрицу монокристаллического р-кремния, а в качестве источника бета-частиц - соразмерную с пластинкой полупроводника токопроводящую металлическую пластинку, в качестве системы токосъемных электродов - комбинацию системы внутренних встроенных с обеих сторон кремниевой пластинки по всей площади поверх слоя нитрида кремния серебряных линейных электродов.

Изобретение относится к источникам питания на основе полупроводниковых преобразователей с использованием бета-вольтаического эффекта. Сущность: бета-вольтаическая батарея содержит корпус, крышку, полупроводниковые преобразователи, изолирующие и радиоизотопные элементы и токопроводящие контакты, конфигурируемые в один или несколько комплектов, соединяемых параллельно и (или) последовательно до достижения требуемой выходной мощности.

Изобретение относится к средствам прямого преобразования энергии радиоактивного распада в электрическую и может быть использовано для питания микроэлектронной аппаратуры. Гибкий бета-вольтаический элемент содержит источник бета-излучения выполнен в виде содержащей радиоактивный изотоп фольги, который окружен, по меньшей мере, одним прилегающим к нему полупроводниковым преобразователем.

Изобретение относится к полупроводниковой технике, в частности к созданию компактных источников электроэнергии с использованием радиоактивных изотопов и полупроводниковых преобразователей. Бета-вольтаический полупроводниковый генератор электроэнергии, содержащий пластину с развитой поверхностью, выполненной в виде множества микропор, имеющих разную форму.

Бета-вольтаический полупроводниковый генератор электроэнергии, содержащий полупроводниковую пластину с развитой поверхностью и слой никеля-63 на этой поверхности. Поверхность пластины полупроводника выполнена в виде множества микропор и «колодцев», имеющих разную форму, при этом слой никеля покрывает стенки микропор и общей поверхности до 95-99%.

Изобретение относится к области преобразователей энергии оптических и радиационных излучений - бетаисточников в электрическую энергию. Изобретение обеспечивает создание двухсторонней конструкции комбинированного накопительного элемента фото- и бетавольтаики, состоящей из совмещенных на одной пластине кремния с одной стороны - фотоэлемента и подключенного параллельно к нему планарного плоского конденсатора, с другой стороны - бетавольтаического элемента, бета-источник никель-63 которого помещается в микроканалы для увеличения КПД и тока генерации.
Наверх