Комбинированный накопительный элемент фото- и бетавольтаики на микроканальном кремнии

Изобретение относится к области преобразователей энергии оптических и радиационных излучений - бетаисточников в электрическую энергию. Изобретение обеспечивает создание двухсторонней конструкции комбинированного накопительного элемента фото- и бетавольтаики, состоящей из совмещенных на одной пластине кремния с одной стороны - фотоэлемента и подключенного параллельно к нему планарного плоского конденсатора, с другой стороны - бетавольтаического элемента, бета-источник никель-63 которого помещается в микроканалы для увеличения КПД и тока генерации. Такой преобразователь может быть использован в труднодоступных местах, шахтах, для питания биосенсоров, внедряемых внутрь организма, и т.д. 2 н.п. ф-лы, 3 ил.

 

Настоящее изобретение относится к области создания полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления бетавольтаических и фотоэлектрических преобразователей ионизирующих излучений в электрическую энергию (ЭДС).

Известны конструкции планарных - трехмерных преобразователей ионизирующих излучений в электрическую энергию, которые предложили Sun W. и Chandrashekhar M.V.S. [1-4] и которые используют микроканальное травление для создания вертикальных p-n переходов. Такая конструкция позволяет увеличивать поверхность p-n перехода, на которую в каналы осаждают радиоактивное вещество [1-4] либо заполняют светопроводящим материалом [1, 2], что позволяет пропорционально площади увеличить ток генерации в элементах и увеличить их эффективность. Такие конструкции позволяют получить развитую поверхность щелей или каналов кремниевых пластин с оптимальными размерами квазинейтральных областей и областей пространственного заряда (ОПЗ) p-i-n диодов, в которых генерируются бета излучением носители заряда. При этом для увеличения ЭДС фото- и бетавольтаических элементов используются широкозонные материалы - GaN, GaP, AlGaAs, SiC вследствие их более высокой температурной стойкости [4, 5]. Более того при создании трехмерных (3D) конструкций технологии, использующие широкозонные материалы, уступают в производительности и эффективности кремниевой технологии. В частности, глубина микроканалов в кремнии в разы больше, чем в карбиде кремния и других материалах. Также в кремниевой технологии наиболее просто и экономично совместить в одной конструкции набор двумерных элементов.

Известна технология диэлектрической изоляцией, полученная вертикальным анизотропным травлением кремния [6], в которой вертикальные изолирующие микроканалы реализованы в кремнии с ориентацией (110) либо ориентацией (100) и затем заполнены кремниевой суспензией на основе кремнийорганического полимера. Для этого сначала при помощи маски наносят рисунок фотошаблона, затем проводят травление в растворе КОН при температуре 60°C, в результате получают параллельные канавки. Затем проводят окисление и на центрифуге микроканалы заполняют мелкодисперсной суспензией кремния в 5%-ном растворе диметилсилоксановом каучуке в толуоле.

Известна технология размещения радиоактивного изотопа в трехмерной структуре p-n перехода на карбиде кремния [7]. При этом бета-изотоп помещается как сверху и снизу, так и с боковых сторон для того, чтобы возбуждение носителей заряда от источника излучения было максимальным. В результате достигается наилучшее соотношение объема ОПЗ p-n перехода к объему материала изотопа для улучшения КПД. Недостатком предложенной структуры является то, что технология создания структуры не применяет микроканальный кремний, поэтому сборка структуры частично осуществляется механически, что должно привести к повышению токов утечки и снижению КПД. Кроме этого структура собирает носители заряда только под действием бета-источников и не будет реагировать на свет, поскольку свет не попадает на поверхность p-n перехода, что существенно уменьшает возможности структуры.

Известна конструкция бетавольтаической структуры на микроканальном полупроводнике [8] (рис. 1), взятая за прототип и содержащая микроканалы, на поверхности которых сформирован p-n переход, внутрь каналов помещен радиоактивный материал - тритий, химически связанный с полимером, сверху и снизу сформированы контактные области. Преимуществом данной конструкции является, с одной стороны, возможность поместить газообразный радиоактивный тритий в полимер, тем самым переведя его в твердую фазу, с другой стороны, возможность увеличить поглощение бета-частиц за счет увеличения эффективной площади p-n перехода.

Способ изготовления конструкции прототипа, включающий формирование на поверхности пластин из карбида кремния вертикальных микроканалов, формировании на стенках каналов n+-p- переходов, формировании низкоомной контактной области и площадки к ней, формировании полимера и насыщение его тритием, а также насыщение микроканалов полученной смесью трития с полимером.

Общим недостатком аналогов и прототипа являются то, что предложенные микроканальные структуры собирают носители заряда только под действием бета-источников и не будут реагировать на свет, поскольку свет не попадает на поверхность p-n перехода, поглощаясь в верхних слоях, что существенно уменьшает возможности структур. Другим недостатком аналогов и прототипа бетавольтаических структур является то, что электрическая энергия генерируется непрерывно, однако ее использование происходит по мере необходимости, что приводит к существенным потерям.

Целью изобретения является создание конструкции комбинированного планарного элемента фото- и бетавольтаики на микроканальном кремнии с возможностью накопления электрического заряда.

Цель достигается путем создания новой двухсторонней конструкции комбинированного накопительного элемента фото- и бетавольтаики, состоящей из совмещенных на одной пластине кремния с одной стороны - фотоэлемента и подключенного параллельно к нему планарного плоского конденсатора, с другой стороны - бетавольтаического элемента, бета-источник никель-63 которого помещается в микроканалы для увеличения КПД и тока генерации.

Способом изготовления, состоящим в формировании микроканалов в монокристаллической пластине кремния, формировании p-n переходов на обоих сторонах пластины и на боковых стенках микроканалов, формировании контактных n+(p+) площадок к n(p) областям p-n перехода, со стороны микроканалов проведения заполнения микроканалов радиоизотопом никель-63, со стороны плоского p-n перехода формировании на части поверхности просветляющего покрытия и на другой части поверхности напыления диэлектрического покрытия, а также напыления контактных площадок и металлической обкладки плоского конденсатора.

Конструкция прототипа показана на рис. 1, в которой диодная структура - 430, состоящая из пористого полупроводника - 302, пластины p-типа - 408, области n-типа - 410 и области p-n перехода - 412. Первый контакт - 414 соединен с p-типом областью - 408 через низкоомную контактную область - 416 к первой стороне входа - 423. Второй контакт - 420 соединен с областью n-типа проводимости - 410 через низкоомную область - 418 ко второй стороне входа - 423. Радиоактивный материал - 422 содержится в слое - 306, расположенном в порах - 304 диаметром - 425 и длиной - 426, при этом соотношение длины к диаметру более 20.

Конструкция комбинированного накопительного элемента фото- и бетавольтаики по изобретению показана на рис. 2, где а - структура, б - топология, в - эквивалентная электрическая схема.

В конструкции имеется полупроводниковая пластина n(p) типа проводимости - 1, на верхней и нижней поверхности которой расположены сильно легированные соответственно верхняя - 2 и нижняя - 5 горизонтальные p+(n+) области, к ним примыкает вертикальная p+(n+) замкнутая область - 4, на боковых стенках микроканалов - 6 располагается вертикальная p+(n+) область - 3, на горизонтальной поверхности и станках микроканалов расположен подслой металла - 7, на котором внутри микроканалов и на верхней поверхности расположен радиоактивный бета-изотоп - металл - 8, который закрывается сверху металлом - 9, снизу расположено просветляющее покрытие - 10, контактная площадка - 11, слой диэлектрика - 12, слой металлизации - 13.

(Пример конкретной реализации)

Технология изготовления высоковольтного преобразователя по изобретению показана на рис. 3 и состоит из следующей последовательности технологических операций:

а) - формируют ионным легированием бора дозой D=500 мкКул энергией Е=40 кэВ p+ нижнюю и p+ верхнюю горизонтальную область;

- проводят 1-ю фотолитографию и формируют n+ контактный слой ионным легированием фосфора дозой D=300 мкКул с энергией Е=40 кэВ;

- проводят плазмохимическое осаждение окисла на нижнюю поверхность пластины;

б) - закрепляют пластину на кварцевом держателе нижней стороной;

- проводят 2-ю фотолитографию и травление в растворе KOH при температуре 60°C для создания щелей;

- проводят 3-ю фотолитографию и травление в растворе KOH при температуре 60°C для создания сквозных микроканалов вокруг каждого элемента;

в) - проводят формирование вертикальных p+ слоев на стенках микроканалов и торцевых сторонах пластины путем "глубокой" диффузии бора;

- проводят термический отжиг дефектов;

- проводят 4-ю фотолитографию и осаждение алюминия на верхнюю поверхность пластины, в том числе на поверхность стенок микроканалов;

г) - убирают кварцевый держатель и проводят электрохимическое осаждение радиоактивного никеля-63 в микроканалы и на верхнюю поверхность структуры;

- проводят напыление металла, например алюминия, толщиной более 4 мкм;

д) - проводят 5-ю фотолитографию и наносят просветляющее покрытие на нижнюю сторону структуры;

- проводят 6-ю фотолитографию и наносят слой металлизации на нижнюю часть структуры.

Принцип действия комбинированного элемента основан на ионизации полупроводникового материала - кремния одновременно светом и бета-излучением, например, никелем-63. Образующиеся при этом электронно-дырочные пары разделяются полем p-n перехода в области пространственного заряда (ОПЗ) и создают разность потенциалов на p+и n+областях преобразователя. При этом часть электронно-дырочных пар может быть собрана полем p-n перехода также в квазинейтральной области (КНО) на расстоянии, равном диффузионной длине носителя заряда. При этом комбинированный элемент фото- и бетавольтаики может накапливать энергию на плоском планарном конденсаторе, который заряжается как от фотоэлемента, так и от бетавольтаического элемента.

Пример практической реализации конструкции

Предлагаемый преобразователь может быть реализован на пластинах кремния КЭФ 5 кΩ·см с ориентацией (110) по технологии, представленной на рис. 3. При этом в качестве изотопного источника может быть выбран 63Ni, имеющий большой период времени полураспада (100,1 лет) и испускающий электронное излучение со средней энергией 17 кэВ и максимальной энергией 64 кэВ, практически безопасный для здоровья человека. Такая энергия электронов меньше энергии дефектообразования в кремнии (160 кэВ). При этом глубина поглощения в кремнии электронов со средней энергией 17 кэВ составляет примерно 3.0 мкм, а для 90% поглощения - 20 мкм. Данные размеры должны соответствовать глубинам залегания p-n переходов и величине ОПЗ, что достигается на типовых кремниевых структурах. Для увеличения тока генерации соотношение глубины микроканалов к их ширине должно быть порядка 20-80 и 4 мкм соответственно. Площадь плоского конденсатора занимает не более 1/3 площади нижней поверхности, фотоэлемент занимает, соответственно, - 2/3.

Технические преимущества изобретения:

- преимущество комбинированного накопительного элемента заключается в возможности накапливать энергию от различных источников энергии в моменты времени, когда потребления энергии не происходит;

- при производстве преобразователя ионизирующих излучений используется микроэлектронная технология;

- толщина конструкции высоковольтного преобразователя соответствует толщине кремниевой пластины, т.е. 100-400 мкм и поэтому может применяться для электрического питания биосенсоров и МЭМС;

- конструкция преобразователя позволяет получать электрическую энергию, как под действием света, так и под действием бета-источника никель-63;

- такой преобразователь может быть применен в труднодоступных местах для питания систем контроля и управления, например, во взрывоопасных помещениях, шахтах, радиоактивных хранилищах, для питания биосенсоров и т.д.;

- срок службы преобразователя будет определяться периодом полураспада радиоактивного материала, который для 63Ni составляет 100,1 лет.

Список литературы

1 - Sun W., Hirschman K.D., Gadeken L.L. and Fauchet P.M. Betavoltaic and photovoltaic energy conversion in three-dimensional macroporous silicon diodes // Physica status solidi (a). 2007. V. 204. № 5. P. 1536-1540.

2 - Sun W., Kherani N.P., Hirschman K.D., Gadeken L.L. and Fauchet P.M. A Three-Dimensional Porous Silicon p-n Diode for Betavoltaics and Photovoltaics // Advanced Materials. 2005. V. 17. № 10. P. 1230-1233.

3 - Chandrashekhar M.V.S., Thomas Ch.I; Li H., Spencer M.G.; Lal A. Demonstration of a 4H SiC Betavoltaic Cell // Applied Physics Letters. V. 88. № 3. 2006. P. 033506. 1-3.

4 - Chandrashekhar M.V.S, Thomas Ch.I., Spencer M.G. Betavoltaic cell. USA Patent. US 7939986B2. Pub. date: 10.05.2011.

5 - Cheng Z., Zhao Z., San H.; Chen X. Demonstration of a GaN betavoltaic microbattery // Nano/Micro Engineered and Molecular Systems (NEMS). 2011. IEEE International Conference. P. 1036-1039.

6 - Гук Е.Г., Ткаченко А.Г., Токранова Н.А. и др. Кремниевые структуры с диэлектрической изоляцией, полученные вертикальным анизотропным травлением // Письма в Журнал технической физики. 2001. Т. 27. № 9. С. 64-71.

7 - Spencer М. Chandrashekhar MVS, Thomas Ch. Nuclear batteries. USA Patent. US 8134216 B2. Pub. date: 13.03.2012.

8 - Gadeken L.L., Engel P.S., Laverdure K.S. Synthesis of radioactive materials and compositions of same. European Patent. EP 1958928 A1. Pub. date: 20.08.2008.

1. Конструкция комбинированного накопительного элемента фото- и бетавольтаики на микроканальном кремнии, состоящая из полупроводниковой пластины n(р) типа проводимости, на верхней и нижней поверхности которой расположены сильно легированные соответственно верхняя и нижняя горизонтальные р+(n+) области, к которым примыкает вертикальная р+(n+) замкнутая область, на верхней стороне пластины сформированы микроканалы, на стенках которых также располагается вертикальная р+(n+) область, на верхней горизонтальной поверхности и стенках микроканалов расположен подслой металла, на котором внутри микроканалов и на верхней поверхности расположен радиоактивный бета-изотоп, который закрывается сверху металлом, нижняя часть пластины разделена на две неравные части, на первой расположено просветляющее покрытие, на второй - контактная площадка, слой диэлектрика, закрытого слоем металлизации.

2. Способ изготовления конструкции п.1, состоящий в формировании р+ нижней и р+ верхней горизонтальных областей, проведении 1-й фотолитографии и формировании n+ контактной области, проведении плазмохимического осаждения окисла на нижнюю поверхность пластины, проведении 2-й фотолитографии и травлении микроканалов, проведении 3-й фотолитографии и создании сквозных микроканалов вокруг каждого элемента, формировании вертикальных р+ слоев на стенках микроканалов и торцевых сторонах пластины, проведении 4-й фотолитографии и осаждении алюминия на верхнюю поверхность пластины и стенки микроканалов, проведении электрохимического осаждения радиоактивного никеля-63 в микроканалы и на верхнюю поверхность структуры, проведении напыления металла, проведении 5-й фотолитографии и нанесении просветляющего покрытия на нижнюю сторону структуры, проведении 6-й фотолитографии и нанесении слоя металлизации на нижнюю часть структуры.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области преобразователей энергии оптических и радиационных излучений бета-источников в электрическую энергию. Создание оригинальной планарной конструкции высоковольтного преобразователя реализуется по стандартной микроэлектронной технологии.

Изобретение относится к способу придания супергидрофобных свойств поверхности металла. Воздействуют на упомянутую поверхность сфокусированным лучом импульсного лазерного излучения с длительностью импульсов в наносекундном диапазоне, осуществляют перемещение упомянутого луча относительно упомянутой поверхности по заранее заданному закону.

Способ формирования туннельного перехода (112) в структуре (100) солнечных элементов, предусматривающий попеременное осаждение вещества Группы III и вещества Группы V на структуре (100) солнечных элементов и управление отношением при осаждении указанного вещества Группы III и указанного вещества Группы V.

Изобретение относится к электронной технике, а именно к приборам, преобразующим энергию электромагнитного излучения в электрическую, в частности к кремниевым солнечным элементам и технологии их изготовления.

Изобретение относится к области солнечных фотоэлектрических преобразователей на основе монокристаллического кремния. Способ получения светопоглощающей кремниевой структуры включает нанесение на поверхность образца из монокристаллического кремния слоя ванадия толщиной от 50 нм до 80 нм, нагревание до температуры (430-440)°C в течение не менее 20 минут и выдержку в течение не менее 40 минут.

Изобретение относится к оптоэлектронной технике, а именно к полупроводниковым приборам, предназначенным для детектирования и испускания инфракрасного (ИК) излучения при комнатной температуре.
Изобретение относится к технологии устройств нано- и микроэлектроники, нанофотоники. Сущность изобретения заключается в получении многослойной фотоактивной гетероструктуры на основе монолитно-стыкованных последовательно осажденных гидрогенизированных слоев микрокристаллического кремния µc-Si:H(i) и двуокиси кремния µc-SiO2(n), µc-SiO2(p) плазмохимическим осаждением с горячей нитью при температуре процесса, не превышающей 180°C, на подложки из боросиликатного стекла, на которые методом ВЧ-магнетронного осаждения наносится связующий слой толщиной не более 100 нм из прозрачного проводящего оксида, например ZnO, для улучшения адгезии и уменьшения плотности дефектов в микрокристаллической n-i-p гетероструктуре.

Изобретение относится к области преобразователей энергии оптических и радиационных излучений в электрическую энергию. Предложена конструкция планарного преобразователя ионизирующих излучений, содержащая слаболегированную полупроводниковую пластину n (p) типа проводимости, в которой расположена сильнолегированная n+ (p+) область, на поверхности которой расположен электропроводящий электрод катода (анода), на верхней поверхности пластины расположена сильнолегированная p+ (n+) область, образующая с полупроводниковой пластиной p-n-переход, на поверхности p+ (n+) области расположен слой изолирующего диэлектрика и электропроводящий электрод анода (катода), являющийся радиоактивным изотопом, при этом на верхней и нижней поверхностях слаболегированной полупроводниковой пластины n- (p-) типа проводимости расположены сильнолегированные соответственно верхняя и нижняя горизонтальные p+ (n+) области, образующие с пластиной p-n-переходы p-i-n-диода, при этом они соединены между собой вертикальной р+ (n+) кольцевой областью, при этом верхняя горизонтальная p+ (n+) область образует со слоем изолирующего диэлектрика и электропроводящим электродом катода (анода) МОП структуру накопительного конденсатора, на верхней поверхности пластины также расположена n+ (p+) контактная область к пластине n- (p-) типа проводимости, на верхней и нижней поверхности горизонтальных p+ (n+) областей расположены соответственно слои верхнего и нижнего диэлектрика, содержащие контактные окна соответственно к n+ (p+) контактной области и нижней горизонтальной p+ (n+) области, на поверхности верхнего и нижнего диэлектриков расположены соответственно верхний и нижний слои радиоактивного изотопа - металла, образующие омические контакты соответственно с n+ (p+) контактной областью и нижней горизонтальной p+ (n+) областью, являющиеся электродами катода (анода) и анода (катода) соответственно p-i-n-диода.

Изобретение относится к солнечной энергетике и может быть использовано в электронной промышленности для преобразования световой энергии в электрическую. Способ изготовления многопереходного солнечного элемента согласно изобретению включает последовательное формирование субэлемента из Ge с p-n переходом, первого туннельного диода, субэлемента Ga(In)As с p-n переходом, второго туннельного диода, субэлемента из GaInP с p-n переходом и контактного слоя из GaAs, нанесение тыльного омического контакта р-типа на тыльную сторону субэлемента из Ge и нанесение через первую маску первого омического контакта n-типа на контактный слой GaAs, удаление химическим травлением через вторую маску участков контактного слоя из GaAs, где отсутствует первый омический контакт, и нанесение на эти участки просветляющего покрытия, создание ступенчатой разделительной мезы путем травления через третью маску контактного слоя из GaAs и субэлемента из GaInP на глубину 0,2-0,4 мкм, осаждения через третью маску первого пассивирующего покрытия, вскрытия через четвертую маску первых окон в первом пассивирующем покрытии, осаждения второго омического контакта p-типа на вскрытые первые окна, травления через пятую маску, закрывающую второй омический контакт, субэлемента из GaInP и субэлемента из Ga(In)As до субэлемента из Ge, осаждения через пятую маску второго пассивирующего покрытия, вскрытия через шестую маску вторых окон во втором пассивирующем покрытии, осаждения третьего омического контакта n-типа на вскрытые вторые окна, травления через седьмую маску, закрывающую третий омический контакт, субэлемента из Ge на глубину 2-10 мкм и осаждения через седьмую маску третьего пассивирующего покрытия.
Изобретение относится к солнечной энергетике. Способ формирования активной n- области солнечных элементов включает процесс образования фосфоросиликатного стекла на поверхности полупроводниковой пластины из газовой фазы, при этом в качестве источника диффузанта используется жидкий источник оксихлорид фосфора (POCl3) при следующем соотношении компонентов: азот N2=280 л/ч, кислород O2=300 л/ч, кислород O2=15 л/ч, азот через питатель N2=14 л/ч.

Изобретение относится к области преобразователей энергии оптических и радиационных излучений бета-источников в электрическую энергию. Создание оригинальной планарной конструкции высоковольтного преобразователя реализуется по стандартной микроэлектронной технологии.

Изобретение относится к многослойному пакету на подложке для использования в качестве капсулы. Многослойный пакет содержит: один или более неорганических барьерных слоев для снижения переноса через них молекул газа или пара; неорганический химически активный слой, содержащий неорганический связующий материал и расположенный смежно с одним или более неорганическими барьерными слоями, и химически активный слой обладает способностью вступать в реакцию с молекулами газа или пара.

Изобретение относится к электронной технике, а именно к приборам, преобразующим энергию электромагнитного излучения в электрическую, в частности к кремниевым солнечным элементам и технологии их изготовления.

Настоящее изобретение относится к новым соединениям общей формулы (1), которые используются в качестве основы тонкой полупроводниковой пленки в структуре солнечной батареи, к композиции, содержащей соединения формулы (1), и к применению новых соединений.

Настоящее изобретение относится к использованию производных фуллеренов в оптоэлектронных устройствах, таких как фотовольтаические ячейки, формулы (I): , где F - [60]фуллерен или [70]фуллерен, М представляет собой COOH, r представляет собой целое число от 2 до 8, Z представляет собой группу -(СН2)n-, Ar, или -S-, n представляет собой число от 1 до 12, Y представляет собой алифатическую С1-С12 углеродную цепь, Ar представляет собой фенил, бифенил или нафтил и X представляет собой Н, Cl или независимую от Y С1-С12 углеродную цепь.

Изобретение относится к области создания приемников-преобразователей на основе полупроводниковых фотоэлементов (ФЭ). Фотоэлемент приемника-преобразователя лазерного излучения содержит полупроводниковые легированный и базовый слои р-типа и n-типа, фронтальный полосковый омический контакт на лицевой стороне фотоэлемента, выполненный в виде чередующихся полосок с постоянным шагом полос Δ и шириной полос b, сплошной омический контакт на тыльной стороне фотоэлемента и защитного оптического покрытия, на которое нормально падают лучи лазера с длиной волны λ0, причем защитное оптическое покрытие, нанесенное на рабочую поверхность полупроводника с абсолютным показателем преломления n, выполнено слоями в виде просветляющего покрытия, толщиной δ, соизмеримой с длиной волны λ3 в просветляющем покрытии и с абсолютным показателем преломления n3<n, соединенного через клеевой слой, толщиной d и с абсолютным показателем преломления n2, с теплорегулирующим покрытием, толщиной Η и с абсолютным показателем преломления n1, причем на внутренней поверхности теплорегулирующего покрытия выполнены фронтально негерметичные чередующиеся канавки, с постоянным шагом Δ и глубиной h<Н, поперечное сечение которых имеет вид равнобедренного треугольника с основанием b, совпадающим при наложении с шириной полосок полоскового омического контакта фотоэлемента, и с углом при вершине 2γ=2·arctg[b/(2·h)], а плоскости боковых граней канавок выполнены с максимально высоким коэффициентом зеркального отражения, причем фотоэлемент со слоями защитного оптического покрытия должен отвечать определенному соотношению.

Солнечный модуль в раме включает в себя солнечный модуль, имеющий солнечные элементы между парой листов. Солнечный модуль устанавливается в раме, предпочтительно замкнутой раме, имеющей непрерывное основание и V-образные вырезы или частично V-образные вырезы в вертикальных полках, где должны располагаться углы модуля.
Изобретение относится к области превращения световой энергии в электрическую. Фотоэлектрический преобразователь энергии в качестве активного слоя содержит полупроводящие полимеры в качестве электроноакцепторной компоненты, моно- или полиядерные фталоцианины, или нафталоцианины, или их металлокомплексы планарного или сэндвичевого строения в качестве электронодонорной компоненты.

Изобретение относится к герметизирующему материалу для солнечных батарей и модулю солнечной батареи, полученному при использовании герметизирующего материала. Герметизирующий материал содержит, по меньшей мере, адгезивный слой (I) и слой (II) композиции смолы (С), который содержит статистический сополимер этилена-α-олефина (А) с теплотой плавления кристаллов от 0 до 70 Дж/г, измеренной при скорости нагрева 10° С/мин посредством дифференциальной сканирующей калориметрии (ДСК), и блок-сополимер этилена-α-олефина (В), который имеет измеренные при скорости нагрева 10° С/мин посредством ДСК максимальную температура плавления кристаллов 100° С или выше и теплоту плавления кристалла от 5 до 70 Дж/г.

Изобретение относится к области электроники и может быть использовано при конструировании солнечных элементов, которые используются в энергетике, космических и военных технологиях, горнодобывающей, нефтеперерабатывающей, химической отраслях промышленности и др.

Изобретение относится к области преобразователей энергии оптических и радиационных излучений бета-источников в электрическую энергию. Создание оригинальной планарной конструкции высоковольтного преобразователя реализуется по стандартной микроэлектронной технологии.

Изобретение относится к области преобразователей энергии оптических и радиационных излучений - бетаисточников в электрическую энергию. Изобретение обеспечивает создание двухсторонней конструкции комбинированного накопительного элемента фото- и бетавольтаики, состоящей из совмещенных на одной пластине кремния с одной стороны - фотоэлемента и подключенного параллельно к нему планарного плоского конденсатора, с другой стороны - бетавольтаического элемента, бета-источник никель-63 которого помещается в микроканалы для увеличения КПД и тока генерации. Такой преобразователь может быть использован в труднодоступных местах, шахтах, для питания биосенсоров, внедряемых внутрь организма, и т.д. 2 н.п. ф-лы, 3 ил.

Наверх