Способ получения самоподдерживающихся тонких пленок

Изобретение может быть использовано при получении металлических тонких пленок вакуумным осаждением. Способ получения самоподдерживающихся тонких пленок основан на нанесении на подложку «жертвенного» слоя водорастворимой соли, нанесении на «жертвенный» слой тонкой пленки и растворении «жертвенного» слоя в растворителе. Перед нанесением тонкой пленки торцы подложки частично закрывают экранами, не позволяющими производить нанесение тонкой пленки на «жертвенный» слой, расположенный на торцах подложки. Изобретение обеспечивает получение тонких пленок увеличенных размеров, не менее 100 на 100 мм. 1 з.п. ф-лы, 1 ил.

 

Изобретение относится к способам получения самоподдерживающихся тонких пленок при их вакуумном нанесении на подложки и может использоваться в различных отраслях промышленности, где требуются свободные от подложки тонкие пленки больших размеров.

Известны способы получения самоподдерживающихся тонких пленок, основанные на нанесении на подложку «жертвенного» слоя, который после нанесения тонкой пленки удаляется в соответствующем растворителе. В качестве «жертвенного» слоя используются водорастворимые соли металлов, водорастворимые полимерные пленки и пленки фоторезистов.

Известен способ получения самоподдерживающихся тонких пленок [1] в котором в качестве «жертвенного» слоя используют водорастворимую полимерную пленку. На поверхность подложки наносят полимерную водорастворимую пленку, на которую затем наносят требуемую тонкую пленку, после получения которой полимерную пленку растворяют. В качестве полимерных водорастворимых пленок используются пленки поливинилового спирта и простых водорастворимых эфиров целлюлозы и т.п. Недостатком такого способа является трудность получения пленки, используемой в качестве «жертвенного» слоя с заданной толщиной на больших площадях подложки. Кроме того, полимерные водорастворимые пленки имеют низкую термическую устойчивость и при длительном осаждении на них требуемых тонких пленок они могут разрушаться.

Наиболее близким способом к заявляемому является способ получения самоподдерживающихся тонких пленок [2, 3, 4] в котором в качестве «жертвенного» слоя предлагается использовать водорастворимые слои металлов: тонкий слой (0.1-0.2) мкм соли KCl [2], или тонкий слой NaCl [3], или тонкий слой KBr [4]. Достоинством этих материалов, используемых в качестве «жертвенного» слоя, являются то, что они растворяются в воде. Т.е. не нужны селективные химические растворители материалов «жертвенного» слоя. Технология получения самоподдерживающихся тонких пленок с использованием в качестве «жертвенного» слоя водорастворимых хлоридов и бромидов металла следующая. На поверхность подложки в вакууме наносится тонкий слой соли. Далее в вакууме на подложку с тонким слоем соли наносится требуемая тонкая пленка. После чего подложка опускается в воду, соль растворяется, и пленка отделяется от подложки и получается самоподдерживающаяся тонкая пленка. Недостатки такой технологии следующие. Первое-материал требуемой пленки осаждается на боковые поверхности подложки (как правило, на боковых поверхностях подложки «жертвенный» слой тоньше в несколько раз, чем на поверхности подложки), при этом доступ воды к поверхности раздела пленка - подложка становится невозможным, и пленка не отделяется от подложки. Второе - для доступа воды к поверхности раздела пленка - подложка необходимо механически счищать пленку с торцов подложки, что при больших толщинах пленки (десятки мкм) приводит к растрескиванию пленки, кроме того нарушаются края подложки, что делает их непригодными для повторного использования. Если же пленку наносить на горизонтальную поверхность подложки и не наносить на торцы подложки, то в процессе нанесения пленки возможно ее отслоение от подложки из-за слабой адгезии обусловленной наличием промежуточного «жертвенного» слоя.

Задача изобретения - разработка способа получения самоподдерживающихся тонких пленок с большими размерами (не менее 100 мм × 100 мм) с использованием в качестве «жертвенного» слоя водорастворимых солей.

Поставленная задача достигается следующим образом. Предлагается способ получения самоподдерживающихся тонких пленок, основанный на нанесении на подложку «жертвенного» слоя - водорастворимой соли, нанесении на горизонтальную поверхность подложки требуемой тонкой пленки, причем требуемая тонкая пленка также наносится частично на торцы подложки для обеспечения адгезии пленки с подложкой, после чего отделяется пленка от подложки путем растворения «жертвенного» слоя в соответствующем растворителе, например, воде. «Жертвенный» слой будет растворяется в первую очередь в местах где требуемая пленка не наносилась на торцы. Для полного съема требуемой пленки с подложки в образовавшееся пространство между пленкой и подложкой вводится тонкое лезвие и при его помощи производится срезание тонкой пленки на границе край подложки-торец подложки. Площадь пленки, наносимая на часть торца и края подложки, выбирается экспериментально из условия достаточной адгезии пленки в процессе ее нанесения, т.е. пленка в процессе ее нанесения не должна самопроизвольно отслаиваться от подложки. На фиг. 1 показана последовательность изготовления самоподдерживающихся тонких пленок. Здесь, а) исходная подложка 1; б) нанесение на подложку слоя водорастворимой соли 2; в) нанесение на слой соли 2 тонкой пленки 3, которая не наносится на торцы и края подложки, закрытые экраном 4; г) снятие экранов 4, образуется полоска 5 свободная от нанесенной тонкой пленки 3; д) размещение подложки 1 с напыленной тонкой пленкой 3 в емкость 6 с водой 7 и выдержка в воде до появления зазоров 8 между тонкой пленкой 3 и подложкой 1; е) удаление пленки с подложки при помощи тонкого лезвия 9; ж) самоподдерживающаяся тонкая пленка 3, свободная от подложки 1.

В качестве примера предложенный способ был опробован на получении самоподдерживающихся многослойных тонких пленок титан-алюминий-никель. В качестве подложки использовалась подложка из бериллиевой фольги с размерами 100 мм × 100 мм и толщиной 0.1 мм. На подготовленные подложки наносился «жертвенный» слой хлорида натрия NaCl. Слой NaCl наносился на горизонтальную поверхность подложки и торцы подложки. Затем на подложки наносилась в вакууме многослойная пленка титан-алюминий-никель, толщиной (50-60) мкм, при этом торцы и края подложки закрывались специальными экранами, для того чтобы на торцы и края подложки не осаждалась многослойная пленка. Торцы и края подложки по длине закрывались частично, (50-60) % длины торцов подложки не закрывались, чтобы обеспечить сцепление многослойной пленки с подложкой, и чтобы в процессе ее осаждения не происходило самопроизвольного отслаивания. Далее подложка помещалась в емкость с водой, при этом происходило растворение «жертвенного» слоя соли на границе раздела подложка-многослойная пленка. В образовавшееся пространство помещалось тонкое лезвие толщиной 0,05 мм и путем его перемещения производилось срезание многослойной тонкой пленки на границе раздела подложка-многослойная тонкая пленка в местах где многослойная пленка осаждалась на торцы и края подложки. В результате получались самоподдерживающиеся тонкие пленки с ровными краями и с размерами 100 мм х 100 мм и с процентом выхода годных близким к 100%.

Источники информации

1. Патент РФ 2034667. Способ получения тонких металлических или керамических пленок. Опубл. 10.05.1995 г.

2. Патент РФ 2036244. Способ изготовления тонкой бериллиевой фольги. Опубл. 27.05.1995 г.

3. Патент РФ 2040589. Способ получения тонких самоподдерживающихся пленок. Опубл. 25.07.1995 г.

4. Fabrication and characterization of reactive nanoscale multilayer systems for low-temperature bonding in microsystem technology. lop publishing journal of micromechanics and microengineering. 20 (2010) 064018 (8pp). doi:10.1088/0960-1317/20/6/064018

1. Способ получения самоподдерживающихся тонких пленок, основанный на нанесении на подложку «жертвенного» слоя - водорастворимых солей, нанесении на «жертвенный» слой тонкой пленки и растворении «жертвенного» слоя в растворителе, отличающийся тем, что торцы подложки частично закрывают экранами, не позволяющими производить нанесение тонкой пленки на «жертвенный» слой, расположенный на торцах подложки, а удаление тонкой пленки от подложки производят путем помещения подложки в воду, и помещения в образовавшееся пространство между пленкой и подложкой лезвия бритвы, и ее перемещения по границе раздела подложка-пленка.

2. Способ получения самоподдерживающиеся тонких пленок по п. 1, отличающийся тем, что частичное закрытие торцов подложки определяют экспериментально таким образом, чтобы в процессе осаждения тонкой пленки она не отслаивалась от подложки и удерживалась от отслоения за счет сцепления с торцами подложки в местах, не закрытых экранами.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области нанотехнологий и электронной техники, а именно к способам получения резистивной маски на полупроводниковой подложке для формирования микро- и наноструктур, и может быть использовано для изготовления устройств для обработки, передачи и хранения информации. Способ направлен на решение задачи создания универсальной резистивной маски на полупроводниковой подложке для формирования одновременно как микро-, так и наноструктуры с заданными и воспроизводимыми характеристиками.

Изобретение относится к области полупроводниковой оптоэлектроники и может найти применение в системах квантовой криптографии и квантовых вычислений, при создании прецизионного спектрального оборудования и эталонов оптической мощности. Способ получения наноколончатых гетероструктур на основе соединений III-N включает подготовку подложки из сапфира, травление подложки при температуре 250-300°С смесью кислот H2SO4 и H3PO4 в течение 6-10 минут через диэлектрическую маску с регулярно расположенными отверстиями, сформированными литографией, удаление диэлектрической маски и травление подложки при температуре 250-300°С смесью кислот H2SO4 и H3PO4 в течение 1-3 минуты, отжиг профилированной травлением подложки, нитридизацию поверхности профилированной подложки молекулярно-пучковой эпитаксией, последовательное выращивание на профилированной подложке плазменно-активированной молекулярно-пучковой эпитаксией зародышевого слоя GaN толщиной 40-80 нм наноколончатой гетероструктуры в металл-обогащенных условиях роста, выращивание основных слоев GaN наноколончатой гетероструктуры, слоев активных областей InGaN наноколончатой гетероструктуры и выращивание внешних оболочек AlGaN наноколончатой гетероструктуры в азот-обогащенных условиях роста.

Изобретение относится к технологии получения подложки из поликристаллического карбида кремния. Способ состоит из этапов предоставления покрывающих слоев 1b, каждый из которых содержит оксид кремния, нитрид кремния, карбонитрид кремния или силицид металла, выбранного из группы, состоящей из никеля, кобальта, молибдена и вольфрама, или покрывающих слоев, каждый из которых изготовлен из фосфоросиликатного стекла (PSG) или борофосфоросиликатного стекла (BPSG), имеющего свойства текучести допированного P2O5 или B2O3 и P2O5, на обеих поверхностях основной подложки 1a, изготовленной из углерода, кремния или карбида кремния для подготовки поддерживающей подложки 1, имеющей покрывающие слои, каждый из которых имеет гладкую поверхность; формирования пленок 10 поликристаллического карбида кремния на обеих поверхностях поддерживающей подложки 1 осаждением из газовой фазы или выращиванием из жидкой фазы; и химического удаления, по меньшей мере, покрывающих слоев 1b в поддерживающей подложке для отделения пленок поликристаллического карбида кремния 10a, 10b от поддерживающей подложки 1 в состоянии отображения гладкости поверхностей покрывающих слоев 1b на поверхности пленок поликристаллического карбида кремния 10a, 10b, и получения пленок поликристаллического карбида кремния 10a, 10b в качестве подложек из поликристаллического карбида кремния.

Изобретение относится к технологии получения подложки из поликристаллического карбида кремния. Способ состоит из этапов предоставления покрывающих слоев 1b, каждый из которых содержит оксид кремния, нитрид кремния, карбонитрид кремния или силицид металла, выбранного из группы, состоящей из никеля, кобальта, молибдена и вольфрама, или покрывающих слоев, каждый из которых изготовлен из фосфоросиликатного стекла (PSG) или борофосфоросиликатного стекла (BPSG), имеющего свойства текучести допированного P2O5 или B2O3 и P2O5, на обеих поверхностях основной подложки 1a, изготовленной из углерода, кремния или карбида кремния для подготовки поддерживающей подложки 1, имеющей покрывающие слои, каждый из которых имеет гладкую поверхность; формирования пленок 10 поликристаллического карбида кремния на обеих поверхностях поддерживающей подложки 1 осаждением из газовой фазы или выращиванием из жидкой фазы; и химического удаления, по меньшей мере, покрывающих слоев 1b в поддерживающей подложке для отделения пленок поликристаллического карбида кремния 10a, 10b от поддерживающей подложки 1 в состоянии отображения гладкости поверхностей покрывающих слоев 1b на поверхности пленок поликристаллического карбида кремния 10a, 10b, и получения пленок поликристаллического карбида кремния 10a, 10b в качестве подложек из поликристаллического карбида кремния.

Заявленное изобретение относится к низкоразмерным материалам, в частности к низкоразмерным материалам, которые поддерживают квантовую самотермализацию и квантовую самолокализацию, а также квантовый фазовый переход между упомянутыми квантовыми фазами посредством управляемой вариации квантового перепутывания углеродоподобных искусственных ядер в четырехвалентных искусственных атомах, которые самособираются.

Изобретение относится к способу изготовления тонкопленочных структур на основе соединений, содержащих катионы висмута и железа на поверхности наноразмерных трубок TiO2 и недодопированного YBa2Cu3O6+х (YBCO), обладающих чувствительными в зависимости от приложенного внешнего постоянного магнитного поля мемристивными свойствами, которые могут быть использованы при создании функциональных устройств электронной техники, в частности при изготовлении элементов с различными принципами записи, хранения и обработки информации, в том числе транзисторов, ячеек памяти нового поколения (сегнетоэлектрической и мемристивной) и резистивных гибридных структур, содержащих сверхпроводящие и сегнетоэлектрические слои.

Изобретение относится к устройствам для высокотемпературного вакуумного отжига тонких плёнок, покрытий и материалов. Изобретение может быть использовано в микроэлектронике, оптике, катализе, химической промышленности и других областях.

Предлагается слоистая подложка из полупроводникового соединения, содержащая две непосредственно соединенные вместе и наслоенные монокристаллические подложки из полупроводникового соединения, имеющие один и тот же состав, включающий A и B в качестве составляющих элементов, и имеющие одно и то же расположение атомов, согласно изобретению передняя и задняя поверхности слоистой подложки являются полярными гранями, содержащими один и тот же вид атомов из A или B, и поверхность раздела наслоения содержит связь атомов или B, или A и является плоскостью однополярной антифазной границы области, в которой кристаллические решетки из атомов совпадают.
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии увеличения адгезии к полупроводниковой структуре. Техническим результатом является увеличение адгезии, обеспечение технологичности, улучшение параметров приборов, повышение качества и увеличение процента выхода годных.

Изобретение относится к технологии изготовления мощных и СВЧ нитрид-галлиевых транзисторов на кремниевой подложке и интегральных схем на их основе, а именно к технологии изготовления омических контактов с низким удельным сопротивлением и гладкой морфологией к пассивированной нитрид-галлиевой гетероструктуре.

Изобретение относится к плазменной технике, а именно к источникам индуктивно-связанной плазмы. Технический результат – повышение коэффициента полезного действия (КПД) и снижение тепловых потерь газоразрядного устройства. В способе ионно-плазменной обработки крупномасштабных подложек молекулярный газ либо смесь молекулярных газов с инертным газом вводят в рабочую камеру напрямую при одновременном вводе инертного газа в рабочую камеру через П-образные газоразрядные трубки, при этом дополнительную активацию рабочего плазмообразующего газа в центральной части рабочей камеры осуществляют путем использования ферромагнитно-усиленных индукционных разрядов. 1 ил.
Наверх