Способ генерации высокоинтенсивных импульсов уф-излучения сплошного спектра и устройство для его осуществления

Изобретение относится к области электротехники, а именно к средствам для получения импульсного ультрафиолетового излучения сплошного спектра с помощью сильноточного разряда в трубчатых импульсных лампах с кварцевой оболочкой, наполненных инертным газом и применяемых для дезинфекции и стерилизации воздуха и предметов в помещении или сточных вод. Технический результат - повышение эффективности генерации УФ-излучения импульсными ксеноновыми лампами с кварцевыми стенками при одновременном повышении их ресурса. Способ генерации высокоинтенсивных импульсов УФ-излучения сплошного спектра характеризуется тем, что посредством источника тока формируют дуговой контрагированный разряд в межэлектродном промежутке разрядного канала ксеноновой импульсной лампы с кварцевыми стенками, на который затем посредством коммутатора разрядного контура подают импульс основного разряда с плотностью тока, достаточной для достижения яркостных температур плазмы в разрядном канале более 7000 К, и тем самым вырабатывают импульс излучения сплошного спектра с выходом ультрафиолета, при этом геометрические параметры разрядного канала импульсной лампы связаны с параметрами разрядного контура определенным соотношением Способ осуществляется устройством генерации высокоинтенсивных импульсов УФ-излучения сплошного спектра. 2 н. и 7 з.п. ф-лы, 5 ил.

 

Группа изобретений относится к электротехнике, а именно к средствам для получения импульсного ультрафиолетового (УФ) излучения сплошного спектра с помощью сильноточного разряда в трубчатых импульсных лампах с кварцевой оболочкой, наполненных инертным газом, преимущественно ксеноном, работающих в стробоскопическом режиме и применяемых для дезинфекции и стерилизации воздуха и предметов в помещении или сточных вод.

В настоящее время интенсивно развиваются импульсные УФ-технологии обеззараживания помещений, очистки сточных вод и другие. Еще в 1984 году Tatsumi Hiramoto предложил использовать излучение импульсных ламп для обеззараживания (Патент US 4464336). Однако, широкое внедрение импульсных технологий сдерживает низкий ресурс импульсных ксеноновых ламп, генерирующих излучение с преобладающим выходом в ультрафиолетовой области спектра.

Импульсные ксеноновые лампы характеризуются сплошным спектром излучения, близким по спектральному составу к излучению черного тела. В соответствии с законом смещения Вина, наибольший выход УФ-излучения в бактерицидной полосе от 200 до 300 нм следует ожидать при яркостных температурах 10 000К - 14 000К, что соответствует удельной мощности излучения (энергетической светимости) электроразрядной ксеноновой плазмы импульсной лампы от 56,0 кВт/см² до 385,0 кВт/см². Однако реализация столь мощных режимов работы импульсных ламп будет сопровождаться высокими ударными, тепловыми и радиационными воздействиями на внутреннюю поверхность кварцевого канала, что приводит к резкому сокращению сроков службы импульсных ламп в результате их разрушения или ускоренной потери прозрачности кварцевой стенки.

Известно, что долговечность по разрушению оболочки трубчатых ламп в стробоскопическом режиме работы увеличивается от 2 до 5 раз с применением схемы зажигания ламп с «дежурной дугой». «Дежурный» дуговой разряд относительно малой мощности создает исходную проводимость по сечению канала и выравнивает ударные нагрузки по поверхности колбы, что и увеличивает ресурс лампы. При этом длительность импульса, пиковые значения тока, мощности и радиационные характеристики не меняются.

В качестве прототипа выбран способ генерации высокоинтенсивных импульсов УФ-излучения сплошного спектра (RU 2370850 С2, опубл. 20.10.2009), который заключается в подаче импульса предыонизации перед подачей посредством коммутатора разрядного контура основного импульса, достаточного для достижения яркостных температур плазмы в разрядном канале более 7000К. Импульс основного разряда с длительностью менее 10 микросекунд подают в момент максимума тока импульса предыонизации. Кроме того, подачу импульса предыонизации осуществляют с длительностью, превышающей более чем в 10 раз длительность основного импульса, и током импульса предыонизации, более чем в 10 раз меньшим тока основного разряда.

Наиболее близким к устройству аналогом, выбранным в качестве прототипа, является средство генерации высокоинтенсивных импульсов УФ-излучения сплошного спектра, описанное в документе RU 2370850 С2, опубл. 20.10.2009 и содержащее ксеноновую импульсную лампу с кварцевыми стенками разрядного канала, подключенную к первым блоку питания и накопительному конденсатору через коммутатор с образованием основного разрядного контура, а также ко вторым блоку питания и накопительному конденсатору с образованием разрядного контура предыонизации. Также устройство содержит блок инициирования и блок управления.

Недостатки известных способа и устройства заключаются в следующем.

Предварительная ионизация осуществляется для формирования однородного по сечению разряда, приводящего к снижению ударных нагрузок на кварцевую оболочку лампы, что увеличивает срок службы до ее разрушения, но не снижает тепловых и радиационных нагрузок на внутреннюю поверхность кварцевой стенки;

Соответственно даже при полной предварительной ионизации разрядного канала формирование сильноточной стадии основного разряда происходит вблизи кварцевой стенки, что при яркостных температурах более 7000К неизбежно приводит к интенсификации плазмохимических процессов на внутренней поверхности кварцевой стенки, сопровождающейся ее модификацией и, как следствие, к резкому повышению поглощения УФ-излучения в модифицированном слое, что снижает выход УФ-излучения импульсной лампы и значительно ограничивает ресурс работы.

Настоящая группа изобретений направлена на решение проблем, заключающихся в ограничении яркости импульсов УФ-излучения и низком ресурсе работы наполненных ксеноном импульсных ламп с кварцевыми стенками.

Техническим результатом заявляемой группы изобретений является повышение эффективности генерации УФ-излучения импульсными ксеноновыми лампами с кварцевыми стенками при одновременном повышении их срока службы.

Указанный результат достигается за счет того, что в способе генерации высокоинтенсивных импульсов УФ-излучения сплошного спектра посредством источника тока формируют дуговой контрагированный разряд в межэлектродном промежутке разрядного канала ксеноновой импульсной лампы с кварцевыми стенками, на который затем посредством коммутатора разрядного контура подают импульс основного разряда с плотностью тока, достаточной для достижения яркостных температур плазмы в разрядном канале более 7000К, и тем самым вырабатывают импульс излучения сплошного спектра с выходом ультрафиолета, причем геометрические параметры разрядного канала импульсной лампы связаны с параметрами разрядного контура следующим соотношением:

,

где - диаметр разрядного канала лампы, см, - длина разрядного канала лампы, см, U - напряжение на накопительном конденсаторе, В, С - емкость накопительного конденсатора, Ф, L - индуктивность разрядного контура, Гн, к=2,5*10^-5(Т_я-7000К) - безразмерный коэффициент, учитывающий увеличение поглощения УФ-излучения при яркостных температурах плазменного разряда Т_я более 7000К.

Как правило дуговой контрагированный разряд формируют в режиме непрерывного горения или перед каждым импульсом основного разряда не менее, чем за 10^-3 секунды.

Импульс основного разряда подают с плотностью тока не менее 3 кА/см².

Импульсы основного разряда подают с частотой следования не более 200 Гц.

Описанный способ осуществляется устройством генерации высокоинтенсивных импульсов УФ-излучения сплошного спектра, содержащим ксеноновую импульсную лампу с кварцевыми стенками разрядного канала, подключенную к блоку питания и накопительному конденсатору через коммутатор с образованием разрядного контура, блок инициирования, источник тока для формирования дугового контрагированного разряда и блок управления, причем геометрические параметры разрядного канала импульсной лампы связаны с параметрами разрядного контура следующим соотношением:

,

где - диаметр разрядного канала лампы, см, - длина разрядного канала лампы, см, U - напряжение на накопительном конденсаторе, В, С - емкость накопительного конденсатора, Ф, L - индуктивность разрядного контура, Гн, к=2,5*10^-5(Т_я-7000К) - безразмерный коэффициент, учитывающий увеличение поглощения УФ-излучения при яркостных температурах плазменного разряда Т_я более 7000К.

Ксеноновая импульсная лампа содержит не менее 70% ксенона в газовой среде разрядного канала.

Форма разрядного канала импульсной лампы прямая или изогнутая.

В частности, диаметр разрядного канала изменяется по длине.

Предпочтительно, чтобы наибольший диаметр кварцевого канала не превышал 20 мм.

Обозначенная связь геометрических параметров кварцевого канала УФ-лампы с параметрами разрядного контура исключает превышение температур внутренней поверхности кварцевой стенки более 2000-2300°С, что способствует повышению эффективности генерации УФ-излучения и увеличению срока службы импульсной лампы.

Предлагаемое решение поясняется с помощью фиг. 1-3.

На фиг. 1 показана схема питания импульсной УФ-лампы.

На фиг. 2а-2в представлены примеры форм разрядного канала импульсной УФ-лампы: фиг. 2а - прямой канал, фиг. 2б - канал с переменным сечением, фиг. 2в - канал изогнутой формы.

На фиг. 3 показаны результаты испытаний деградации УФ-излучения в спектральной области 200-300 нм.

Для реализации способа генерации высокоинтенсивных импульсов УФ-излучения сплошного спектра трубчатую импульсную лампу 1 с кварцевыми стенками заполняют инертным газом с низким коэффициентом теплопроводности, преимущественно ксеноном, или смесью таких газов с содержанием ксенона не менее 70%.

По команде с блока управления (на фиг. не показан) в межэлектродном промежутке разрядного канала импульсной лампы 1 посредством высоковольтного импульса источника тока 2 формируют плазменный разряд мощностью и длительностью, достаточными для его перехода в дуговую контрагированную форму.

Дуговой контрагированный разряд формируют в режиме непрерывного горения или перед каждым импульсом основного разряда не менее, чем за 10^-3 секунды после окончания сильноточной стадии основного разряда, так как 10^-3 секунды - это характерное время формирования контрагированного разряда.

Так, блок управления регистрирует наличие требуемого значения тока в разрядном контуре, в состав которого входят блок питания 3, накопительный конденсатор 4 и коммутатор 5, и с задержкой не менее 10^-3 секунды подает сигнал на открытие коммутатора 5. Осуществляется подача импульса основного разряда - сильноточного разряда конденсатора 4 c плотностью тока не менее 3 кА/см², обеспечивающего яркостные температуры плазмы тяжелых инертных газов более 7000К, при этом импульсы основного разряда подают с частотой следования не более 200 Гц. Таким образом и вырабатывают импульс излучения сплошного спектра.

При этом импульсная лампа 1, ограниченная кварцевыми стенками, при работе в стробоскопическом режиме должна обладать геометрическими параметрами разрядного плазменного канала (диаметр и длина), связанными с параметрами разрядного контура следующим образом: ,

где - диаметр канала лампы 1, см, - длина канала лампы 1, см, U - напряжение на накопительном конденсаторе 4, В, С - емкость накопительного конденсатора 4, Ф, L - индуктивность разрядного контура, Гн, к=2,5*10^-5(Т_я-7000К) - безразмерный коэффициент, учитывающий увеличение поглощения УФ-излучения при яркостных температурах плазменного разряда Т_я более 7000К.

Одним из условий обеспечения длительной работы импульсной ксеноновой лампы 1 является режим ее эксплуатации: импульсная и средняя электрическая мощность, длительность импульса и размеры разрядного канала. Известно, что на величину скачка температуры при импульсном нагреве стенки влияют теплофизические свойства материала, поглощенная мощность и длительность воздействия. Следовательно, для повышения эффективности генерации УФ-излучения требуется согласование режимов работы лампы 1 с геометрическими параметрами ее разрядного канала, исключающих превышения температур внутренней поверхности кварцевой стенки более 2000-2300°С.

Ранее обозначенная связь геометрических параметров кварцевого канала лампы 1 с параметрами разрядного контура, которые определяют эффективность УФ-излучения для конкретного разрядного канала и характеризуют режим работы лампы 1, исключает превышение температур внутренней поверхности кварцевой стенки более 2000-2300°С. Превышение указанных значений температур стенки за счет уменьшения размеров канала или чрезмерного увеличения удельной мощности приведет к плавлению и испарению кварцевой стенки, что будет являться достаточным условием для резкой интенсификации фотохимических реакций деструкции кварцевого стекла с образованием соединений кварца (например, SiO) экранирующих УФ излучение и наработки кислорода, который запустит процессы окисления электродов, что вызовет их повышенную эрозию и, как следствие, загрязнение кварцевой трубки. Это основные процессы, приводящие к сокращению срока службы импульсных ксеноновых ламп и снижению эффективности генерации УФ-излучения.

Контрагированный разряд позволяет инициировать сильноточный основной разряд строго по оси разрядного канала. При этом он (контрагированный разряд) интенсивно расширяется с образованием ударной волны, которая вытесняет ксенон к стенке канала и образует ударно сжатый слой, который ее защищает от жесткого вакуумного ультрафиолетового излучения и контакта с горячей плазмой разряда. В известных способах и устройствах происходит не осесимметричное (вблизи стенки) формирование разряда, при котором образуется локальная зона высокой удельной мощности, и контакт плазмы со стенкой существует вплоть до полной рекомбинации плазмы разряда. Выравнивание значения удельной мощности на стенке в случае использования предварительного контрагированного разряда происходит только при полном заполнении разрядного канала. При этом поглощенные стенкой радиационные потоки при наличии ударно сжатого ксенона ниже за счет экранировки излучения с длинами волн короче потенциала ионизации ксенона и полностью отсутствуют эффекты деструкции кварца, вызываемые взаимодействием с быстрыми (высокоэнергетичными) электронами разрядной плазмы. Следовательно контрагированный разряд позволяет увеличить удельную мощность разряда по сравнению с известными методами инициирования разряда, развивающимися у стенки канала, что позволяет увеличить эффективность УФ-излучения. Дальнейшее повышение удельной мощности приводит к увеличению значений поглощенных стенкой радиационных потоков, что приведет к скачкам температуры стенки более 2300°С и вызовет испарение стенки, развитие фотохимических превращений и, как следствие, резкое снижение сроков службы лампы. Следовательно габариты разрядного канала должны быть достаточными для реализуемых импульсных мощностей разряда и его длительности.

Устройство генерации высокоинтенсивных импульсов УФ-излучения сплошного спектра (фиг. 1) содержит импульсную лампу 1, заполненную инертным газом с низким коэффициентом теплопроводности, преимущественно ксеноном, или смесью таких газов с содержанием ксенона не менее 70% в газовой среде разрядного канала с кварцевыми стенками. Импульсная лампа 1 подключена к блоку питания 3 и накопительному конденсатору 4 через коммутатор 5 с образованием разрядного контура. Также устройство генерации содержит блок инициирования 6 - игнитрон, расположенный между коммутатором 5 и лампой 1, источник тока 2 для формирования дугового контрагированного разряда и блок управления (на фиг. не показан).

Как уже было описано выше, достижение технического результата обеспечивает возможность формировать дуговой контрагированный разряд перед импульсом основного разряда, а также связь геометрических параметров разрядного канала импульсной лампы 1 с параметрами разрядного контура следующим соотношением: ,

где - диаметр разрядного канала лампы 1, см, - длина разрядного канала лампы 1, см, U - напряжение на накопительном конденсаторе 4, В, С - емкость накопительного конденсатора 4, Ф, L - индуктивность разрядного контура, Гн, к=2,5*10^-5(Т_я-7000К) - безразмерный коэффициент, учитывающий увеличение поглощения УФ-излучения при яркостных температурах плазменного разряда Т_я более 7000К.

Представленное ограничения размеров разрядного канала справедливо для средних удельных мощностей при работе лампы при естественном охлаждении в воздухе не более 20 Вт/см².

При этом форма разрядного канала импульсной лампы 1 изготавливается прямой или изогнутой (фиг. 2а-2в). А диаметр канала в некоторых вариантах осуществления может изменяться по длине (фиг. 2б).

Изготавливается лампа 1 посредством известных из уровня техники средств и методов.

Работа предлагаемого устройства описана далее.

Формирование плазменного разряда высоковольтным импульсом источника тока 2 с последующим переходом в дуговую контрагированную форму в межэлектродном промежутке разрядного канала ксеноновой импульсной лампы 1 с кварцевыми стенками осуществляется следующим образом. Первоначально на электроды импульсной лампы 1 по команде с блока управления подается напряжение холостого хода источника тока 2, причем величина напряжения зависит от давления ксенона и длины разрядного канала в лампе. С помощью высоковольтного импульса пробивается газовый промежуток. По каналу начинает протекать ток дежурной дуги. Ток продолжает нарастать, мощность дуги увеличивается до момента возникновения перегревной неустойчивости - происходит контракция разряда - образуется строго по оси кварцевого канала тонкий проводящий канал.

Время формирования канала составляет 10^-3 секунды. Посредством блока управления регистрируют наличие требуемого значения тока дежурной дуги и для подачи импульса основного разряда с задержкой не менее 10^-3 секунды подают сигнал на открытие коммутатора 5 разрядного контура. Накопительная емкость конденсатора 4 начинает разряжаться на контрагированный по оси кварцевого канала дуговой разряд. Форма импульса электрической мощности, вкладываемого в плазму, определяется параметрами разрядного контура: величинами рабочей емкости, напряжения и индуктивности. Импульс основного разряда должен иметь плотность тока более 3 кА/см² для достижения яркостных температур плазмы в разрядном канале более 7000К.

Наиболее эффективный вклад энергии в плазму реализуется разрядами близкими к критическому. В данном случае форма электрической мощности будет близка к треугольнику. Расширение канала происходит с постоянной скоростью с образованием ударной волны. Ударная волна вытесняет газ к кварцевой стенке, сжимая его. Между стенкой и фронтом ударной волны образуется слой ударно-сжатого ксенона, который предохраняет стенку от воздействия высокотемпературной плазмы ударной волны и экранирует коротковолновое вакуумное УФ-излучение ксеноновой плазмы, что снижает уровень тепловой нагрузки на внутреннюю поверхность кварцевой стенки, позволяет значительно увеличить мощность разряда и, соответственно, яркостную температуру и выход УФ-излучения.

По окончании разряда плазма рекомбинирует за время 10^-3 секунды, коммутатор 5 закрывается, начинается заряд конденсатора 4, ток дуги продолжает протекать с образованием контракции по оси разрядного канала и к моменту окончания заряда емкости коммутатор 5 открывается и протекает сильноточный разряд аналогично описанному выше.

Дежурная дуга не вносит вклад в увеличение выхода УФ-излучения таким образом затраты на ее формирование являются паразитными. При низких частотах следования импульсов (например, менее 1 Гц), дежурную дугу инициируют непосредственно перед сильноточным разрядом за время 10^-3 секунды, достаточное для формирования контрагированной формы разряда. А с учетом времени рекомбинации плазмы разряда и времени формирования контракции разряда максимальная частота следования импульсов ограничена значением 200 Гц, определяющим степень градиента температур между стенками кварцевой трубки.

Учитывая, что основной вклад в излучение сильноточных разрядов в ксеноне дает тормозное излучение свободных электронов, то спектральное распределение энергии излучения будет близким к планковскому. Следовательно, эффективность выхода УФ-излучения растет с увеличением температуры плазмы или удельной мощности основного разряда. Анализ зависимости параметров разрядного контура и канала лампы , показывает, что увеличение предельной для конкретных размеров разрядного канала лампы удельной мощности разряда возможно путем роста напряжения на накопительном конденсаторе, уменьшения емкости и индуктивности разрядного контура. Очевидно, что увеличение напряжения приведет к значительному (квадратичному) уменьшению емкости конденсатора 4, соответственно сокращению длительности разряда и, как итог, росту удельной мощности - повышению яркостной температуры плазмы. Уменьшение индуктивности за счет вывода катушки инициирования из разрядного контура приведет к сокращению длительности разряда и соответственно увеличению удельной мощности.

По предложенному техническому решению были проведены исследования долговечности импульсных ксеноновых ламп с разрядным промежутком 12 см и внутреннем диаметром 0,5 см прямой геометрии. Конденсатор разрядного контура емкостью 60 мкФ заряжался до напряжения 1,4 кВ, индуктивность контура составляла 53 мкГн. Лампы испытывались при работе с частотой следования импульсов 3,3 Гц на воздухе без принудительного охлаждения. Половина ламп испытывалась с разрядным контуром с последовательным поджигом, а вторая половина ламп испытывалась с аналогичным контуром, но работа осуществлялась с постоянно работающей контрагированной по оси кварцевого канала дугой, на которую с той же частотой 3,3 Гц разряжалась накопительная емкость. Разрядный ток, длительность импульса и радиационные характеристики ксеноновой плазмы испытуемых ламп были идентичны в обоих способах инициирования разряда. Результаты испытаний деградации УФ-излучения в спектральной области 200-300 нм представлены на фиг. 3. Видно, что предложенное техническое решение позволяет увеличить долговечность ламп прямой геометрии в 10 и более раз.

Аналогичные испытания на долговечность были проведены с импульсными ксеноновыми лампами U-образной формы. Длина разрядного промежутка составляла 280 мм, а внутренний диаметр кварцевой трубки - 7 мм. Емкость накопительного конденсатора составляла 100 мкФ, рабочее напряжение - 2800 В, а индуктивность разрядного контура - 39 мкГн. Лампы испытывались при работе с частотой следования импульсов 2,5 Гц на воздухе без принудительного охлаждения. Разрядный ток, длительность импульса и радиационные характеристики ксеноновой плазмы испытуемых ламп были идентичны в обоих способах инициирования разряда. Применение постоянно работающей контрагированной по оси кварцевого канала дугой позволило увеличить долговечность ламп сложной формы в 8-9 раз.

Для проверки связи геометрических параметров импульсной лампы и параметров разрядного контура, обозначенной уравнением , были проведены исследования долговечности импульсных ксеноновых ламп с разрядным промежутком 12 см и внутреннем диаметром 0,5 см прямой геометрии. Конденсатор разрядного контура емкостью 120 мкФ заряжался до напряжения 1,38 кВ, индуктивность контура составляла 7 мкГн. Лампы испытывались при работе с частотой следования импульсов 3,3 Гц на воздухе без принудительного охлаждения с постоянно работающей контрагированной по оси кварцевого канала дугой. Измеренная яркостная температура составила 9500К. Рекомендуемые по предложенному уравнению значения геометрических характеристик составили 10,8 см², что больше фактических - 6 см². В результате испытаний долговечность испытуемых ламп сократилась в 3-4 раза. Таким образом удалось подтвердить достижение технического результата.

Таким образом, использование предложенной группы изобретений позволит увеличить эффективность генерации УФ-излучения импульсными ксеноновыми лампами и повысить их срок службы.

1. Способ генерации высокоинтенсивных импульсов УФ-излучения сплошного спектра, характеризующийся тем, что посредством источника тока формируют дуговой контрагированный разряд в межэлектродном промежутке разрядного канала ксеноновой импульсной лампы с кварцевыми стенками, на который затем посредством коммутатора разрядного контура подают импульс основного разряда с плотностью тока, достаточной для достижения яркостных температур плазмы в разрядном канале более 7000К, и тем самым вырабатывают импульс излучения сплошного спектра с выходом ультрафиолета, при этом геометрические параметры разрядного канала импульсной лампы связаны с параметрами разрядного контура следующим соотношением:

,

где – диаметр разрядного канала лампы, см, – длина разрядного канала лампы, см, U – напряжение на накопительном конденсаторе, В, С – емкость накопительного конденсатора, Ф, L – индуктивность разрядного контура, Гн, к=2,5*10^-5(Т_я-7000К) – безразмерный коэффициент, учитывающий увеличение поглощения УФ-излучения при яркостных температурах плазменного разряда Т_я более 7000К.

2. Способ по п.1, характеризующийся тем, что дуговой контрагированный разряд формируют в режиме непрерывного горения или перед каждым импульсом основного разряда не менее чем за 10^-3 секунды.

3. Способ по п.1, характеризующийся тем, что подают импульс основного разряда с плотностью тока не менее 3 кА/см².

4. Способ по п.1, характеризующийся тем, что импульсы основного разряда подают с частотой следования не более 200 Гц.

5. Устройство генерации высокоинтенсивных импульсов УФ-излучения сплошного спектра, характеризующееся тем, что содержит ксеноновую импульсную лампу с кварцевыми стенками разрядного канала, подключённую к блоку питания и накопительному конденсатору через коммутатор с образованием разрядного контура, блок инициирования, источник тока для формирования дугового контрагированного разряда и блок управления, причём геометрические параметры разрядного канала импульсной лампы связаны с параметрами разрядного контура следующим соотношением:

,

где – диаметр разрядного канала лампы, см, – длина разрядного канала лампы, см, U – напряжение на накопительном конденсаторе, В, С – емкость накопительного конденсатора, Ф, L – индуктивность разрядного контура, Гн, к =2,5*10^-5(Т_я-7000К) – безразмерный коэффициент, учитывающий увеличение поглощения УФ-излучения при яркостных температурах плазменного разряда Т_я более 7000К.

6. Устройство по п.4, характеризующееся тем, что ксеноновая импульсная лампа содержит не менее 70% ксенона в газовой среде разрядного канала.

7. Устройство по п.4, характеризующееся тем, что форма разрядного канала импульсной лампы прямая или изогнутая.

8. Устройство по п.4, характеризующееся тем, что диаметр разрядного канала изменяется по длине.

9. Устройство по п.7, характеризующееся тем, что наибольший диаметр кварцевого канала не превышает 20 мм.