Способ изготовления многослойных тонкопленочных структур

 

280593

О П И С А Н И Е

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства №вЂ”

Заявлено 01.Х.1968 (№ 1272170/26-9) с присоединением заявки №вЂ”

Приоритет—

Опубликовано 03,1Х.1970. Бюллетень № 28

Дата опубликования описания 10.XII.1970

Кл, 21а4, 75

Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров

СССР

МПК Н 05k 3/10

УДК 621.3.049.75 (088.8) Авторы изобретения

С. А. Топоровский и Г. Н. Смоленская

Институт электронных управляющих машин

Заявитель

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МНОГОСЛОЙНЫХ

ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ СТРУКТУР

Изобретение относится к области радиотехники, а именно к способу,изготовления многослойных тонкопленочных структур, используемых при изготовлении микросхем.

Известны способы изготовления м ногослойных тонкопленочных структур, основанные на последовательном нанесении токопроводящих и диэлектрических слоев и обработке токопроводящих слоев после нанесения каждого диэлектрического слоя через его дефектные участки х имическим реактивом, не взаимодействующ им с материалом диэлектрического слоя, но растворяющим материал токопроводящего слоя.

Однако при использовании подобных способов в процессе обработки реактивом изменяется площадь токопроводящих слоев, а следовательно и параметры структуры.

Цель изобретения — сохранить постоянство параметров структуры в процессе обработки.

Для этого IB качестве реактивов используют химические ippактивы, которые образуют на участках токопроводящего слоя, расположенных под дефектными участками диэлектрического слоя, диэлектрическую пленку из соединений материала токопроводящего слоя и реактива.

При медном токопроводящем слое в качестве подобного реактива можно использовать раствор К Cr 07, а при алюминиевом слое раствор С204Н . Для обработки токопроводящего слоя могут быть использованы как химическая обработка так и электролитические и газохимические процессы.

П р ед м ет,из о б|р ете н и я

Способ изгото|вления многослойных тонкопленочных структур, основанный на последовательном нанесении:на подложку токопроводящих и диэлектрических слое в и обработке

15 токопроводящих слоев после нанесения каждого диэлектрического слоя через его дефектные участки химическим:реактивом, не взаимодействующим с материалом диэлектрического слоя, отличающийся тем, что, с целью

20 сохранения постоянства параметров структуры в процессе обработки, в качестве реактива используют реактив, образующий на поверхности токопро водящего слоя диэлектрическую пленку из соединений материала токо25 про водящего слоя и реактива, например раствор КзСгвОт при медном токопроводящем слое.