Тонкопленочная rc-структура с распределенными

 

282486

О Л И С А Н И Е

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик

f В иЯо„ ,/ л@;. „,, " "оъэн \

-" "- и5

Зависимое от авт. свидетельства №

Кл. 21с, 54/05

Заявлено IО.VIII.1968 (М 1262479/26-9) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 281Х.1970. Бюллетень № 30

МПК, Н 01с 7/00

Fi 0lg Si06

УДК 621.316.86:621.319.42 (088.8) Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров

СССР

Дата опубликования описания 18.П.1971

Авторы изобретения

Ю. В. Заумыслов, Д. П. Колесников и В, Ф. Заболотнов

Заявитель

ТОНКОПЛЕНОЧНАЯ RC-СТРУКТУРА С РАСПРЕДЕЛЕННЫМИ

ПАРАМЕТРАМИ

;1

Изобретение относится к области микроэлектроники.

Известны RC-структуры с,раопределенными параметрами, вьвполненные в виде конденсатора, обкладками которого служат резисти вные элементы RC-схемы.

Цель изобретения — упрощение конструкции и техноло|гии изготовления.

Достигается это тем, что .резистивные элементы с электрическими .выводами выполнены в виде двух параллельных полос, напыленных в плоскости подложки.

На фиг. 1 — три вида RC-структур; на фиг. 2 — схема технологического процесса изготовления мультивибрато ра с распределенными RC-структурами; на фиг. 3 — общий вид мульти вибратора с активными элементами; на фиг. 4 — принципиальная схема мультивибратора.

На диэлектрической подложке 1 расположены участки,резистивных 2 и проводящих 8 слоев таким образом, что между двумя, резисторами (или,резистором и проводником), разделенными узким зазором, существует расовределенная емкость, о пределяемая величиной зазора, ш ириной элементов и диэлектрической проницательностью подложки. В зависимости от геометрии участков слоев могут быть получены, например, структуры следующих типо в: а — структура типа RC — nR; б— структура типа RC; в — структура типа RC— проводник CR.

Заданный закон изменения погонных па раметров может быть обеспечен изменением ши5 рины зазора и ширины резистивных элементов. Емкостные элементы RC-структуры отличаются высокой надежностью. При зазоре между резистивными (или между резистивным и проводящим) элементами |порядка 20—

10 40 лк пробивное напряжение составляет несколько сот вольт, а возникновение произвольных «закороток» исключено.

В качестве примера рассмотрен процесс изготовления мультивибратора с распределен15 ными параметрами предлагаемой конструкции.

В качестве материала подложки,с высокой диэлектрической проницаемостью использована сегнетокерамика марки Т-2000, в качестве

20 резистивного материала — хром, в качестве проводящего — медь.

Слои хрома и меди наносятся испарением в вакууме. Размерная обработка, получена методом электроннолучевого маскирования .с

25 избирательным правлением.

П,р едмет изобретения

Тонкопленочная RC-структура с pacnpezeленными,парамет рами, выполненная в виде

30 конденсатора. обкладками которого служат

282486

4 резистивные элементы RC-схемы, отличающаяся тем, что, с целью упрощения:конструкции и технологии изготовления, упомянутые .резисти вные элементы с электрическими выводами выполнены .в виде двух параллельных полос, напыленных в плоскости подложки.

282486

Напыление кермета,,грома и меди, Зпентроннолуцгоое маокирооание меди хромо и кермета

Зпекп роннолуцг бог маскирование и

Электроннолучевое масниро5ание о гпрп8ление грома

Фиг 2

4 иг 3

Составитель А. Мерв1ай

Редактор Т. В. Иванова Техред Т. П. Курилко

Корректор А. П. Васильева

Изд. № 78 Заказ 178/1 Тираж 480 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2