С-структура с распределенными параметрами

 

337829

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союа Соаетския

Соцналистичоския

Республик

Зависимое от авт. свидетельства №

Заявлено 24.Х.1968 (№ 1278488/26-9) М. Кл. Н Olc 7/00 с присоединением заявки ¹

Приоритет

Опубликовано 05.V.1972. Бюллетень № 15

Дата опубликования описания 1 VI.1972

Комитет по долам иаоорвтений II открытий ори Совете Министров

СССР

УДК 621.316.86(088.8) Авторы изобретения П. О. Грибовский, М. Б. Брук, Т. И, Терентьев и В. И. Г

Заявитель

RC-СТРУКТУРА С РАСПРЕДЕЛЕННЫМИ ПАРАМЕТРАМИ

Изобретение относится к области радиоэлектроники.

Известна ЯС-структура с распределенными параметрами, содержащая последовательно нанесенные на диэлектрическую подложку резистивный, диэлектрический и проводящий слои.

Для таких ЯС-структур характерны невысокая надежность диэлектрического слоя, плохая повторяемость н ограниченный диапазон номиналов 1 и С, длительный цикл разработки и изготовления.

Цель изобретения — расширение диапазона объемного сопротивления и увеличение удельной емкости RC-структуры.

Это достигается тем, что RC-структура выполнена в виде полнкерамического твердого тела, у которого в качестве резистивного слоя использована керамика на основе смеси окислов металлов, например цинка, кадмия, меди, а в качестве диэлектрического слоя — керамика и на основе титанатов металлов, например бария, кальция.

На чертеже представлена RC-структура с распределенными параметрами.

Распределительная RC-структура состоит из резистивного 1, диэлектрического 2 и второго резпстивпого 8 слоев. Часто один из резистнвн ° стоев заменяют токопроводящим слоем, В такой структуре функцию распределенного сопротивления выполняет керамический материал на основе окислов металлов (цинка, меди и т. д.), а функцию диэлектри5 ка — керамический материал с высоким значением диэлектрической проницаемости (на основе титаната бария, тптаната кальция и т. д.).

Использование в качестве диэлектрика RC10 структуры керамических материалов с высоким значением диэлектрической проницаемости позволяет получить в предлагаемых структурах большие удельные емкости. Это значительно снижает габариты RC-структуры.

Керамическую RC-структуру с распределенными параметрами изготавливают следующим образом.

Готовят тонкодисперсные порошки керамн20 ческих материалов, обладающих необходимыми свойствами. Из порошков этих материалов делают заготовки полуфабрикатов необходимой конфигурации. Заготовку полуфабриката из материала, требующего наиболее высокой

25 температуры обжига для спекания, подвергают обжигу. Затем обожженную заготовку и заготовки полуфабрикатов остальных керамических материалов соединяют в пакет и вместе обжигают (в ряде случаев с применением

30 груза) прн температуре спеканн этих мате337829

Предмет изобретения

Составитель Л. Дарьина

Техред Л. Богданова

Редактор T. Рыбалова

Корректор Т. Миронова

Заказ 1484/7 Изд. !х! 638 Тираж 448 Подписное

ЦНИИПИ Комитета го делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, 5К-35, Раушская наб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2 риалов. В результате получают монолитное керамическое изделие.

Для присоединения RC-структуры к электронной схеме на струткуру наносят металлические электроды (например, вжиганием серебра).

Получение в RC-структурах заданных значений R и С обеспечивается применением материалов с соответствующими значениями удельного объемного сопротивления керамического материала для распределенного сопротивления и диэлектрической проницаемости керамического материала для диэлектрика, а также путем изменения геометрических размеров керамической RC-структуры, в том числе и после спекания.

RC-структура с распределенными параметрами, содержащая последовательно нанесенные на диэлектрическую подложку резистивный, диэлектрический и проводящий слои, отличаюи1аяся тем, что, с целью расширения диапазона объемного сопротивления и увеличения удельной емкости RC-структуры, упомя10 путая RC-структура выполнена в виде поликерамического твердого тела, у которого в качестве резистивного слоя использована керамика на основе смеси окислов металлов, например, цинка, кадмия, меди, а в качестве

15 диэлектрического слоя — керамика и на основе титанов металлов, например бария, кальция.

С-структура с распределенными параметрами С-структура с распределенными параметрами 

 

Похожие патенты:

 // 415734
Изобретение относится к области тонкопленочной технологии и предназначено для использования в микроэлектронике и интегральной оптике

Изобретение относится к измерительной технике, а именно к интегральным датчикам, использующим в качестве чувствительного элемента поликремниевые поверхностные микромеханические структуры

Изобретение относится к измерительной технике, а именно к полупроводниковым термопреобразователям сопротивления

Изобретение относится к способам анализа смесей газов с целью установления их количественного и качественного состава и может быть использовано в газовых сенсорах

Изобретение относится к изолирующим пленкам, которые применяются в области электроники и электронных приборов, к процессу получения этих пленок и к полупроводниковому прибору, в котором эта пленка применяется

Изобретение относится к получению пористых пленок из полипараксилилена и его замещенных, имеющим низкую диэлектрическую константу и высокую термостойкость, и полупроводниковому прибору, в котором эта пленка используется в качестве изолирующего слоя

Изобретение относится к электролюминесцентным устройствам

 // 415734
Наверх