Способ изготовления источников излучения изотопов тантала

 

О П И С А Н И Е 288886

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Сои!9 Советских

Социалистических

Ресоублик

Зависимое от авт. свидетельства М

Заявлено 27Х.1969 (№ 1331704/23-26) с присоединением заявки М

Приоритет

МПК В 01d 59!40

С 23Ь 5,30

Комитет по делам иаооретений и открытий при Совете Министров

СССР

Ъ ДЬ, 621,039.333.2 (088.8) Опубликовано 08.Х11.1970. Б!Оллстсиь ¹ 1 за 191

Дата опубликования описания 29.1.1971

Лвторы изобретения г, i

Иностранцы

Йожеф Молнар и Ирена Молнар (Венгерская Народная Республикa) Объединенный институт ядерных исследований

Заявитель

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ИСТОЧНИКОВ ИЗЛУЧЕНИЯ

ИЗОТОПОВ ТАНТАЛА

1.1зобретение касается получения источников

1i;-отопов для спектроскопических исследовг-!

i!ill. В частиос и электр Олити IccKQI 0 Осаждения изотопов.

По известному способу получения источников излучения изотопы тантала электролитически оса>кда!От HB катод из платины из 0,2—

0,3 М раствора щавелевокислого аммония. Недостатком известного способа является низкая степень оса кдения изотопов тантала (40,l ).

С цепью устранения указанного недостатка и улучшения качества источников предложен способ изготовлеш!я топких спектрометрических источников излучения изотопов тантала

I,óòåì электролитического осаждения микроколичеств тантала на катод из нихромовой проволоки или фольги, очищенный с помощью хрОМОВОи смеси и промытый дистиллированной водой. Оса кдение ведут из 0,08 — 0,12 М раствора щавслевокислого натрия с добавкой малоновой или янтарной кислоты (0,04—

0,07 М) при концентрации изотопов тантала !

Π— 10 9М, при плотности тока 180—

220 ла с.я - и отношении поверхности катода к объему электролита 0,5 — 1,0 сл! 1. В качестве анода применяют платину. Осаждение ведут 20 — 30 1!ин. При таких условиях степень осаждения изотопов тантала составляет 65—

75%. Степень осаждения и качество источника ухудшаются при наличии в электролите

1юсторонш1х примесей, особенно фтор-ионов и некоторых органических соединешш.

Предмет изобретения

Способ изготовлеш!я исгочников излучения изотопоз тантала, предназначенных для спектроскоп11 !Сскiiх llссле;Iован1111, ОсиОВ!!иный !1а электролитическом осаждешш микроко lичсств тантала из электролита на основе раствора соли щавелевой кислоты, содержащего изотопы гаптала, на подложку-катод, отлича15 !Ои!и!!ся тем. что, с целью повыше!шя степе!ш осаждения и л ц1!ения качества источников, В качестве злеl Гролита применяют растВОр шавслсвокислого натрия с добавкой янтарной пли малонОВОй кислоты, В качестве катода

20 очиц;енш.1й нихром, и осаждсние Ведут ири концентрации изотопов таита,!а 10 — 10 и М, кош1с-!траян;i МаоС-:О! 0,08 — 0.12 М1, концентрации янтарной или малоновой кислоты 0,04—

0,07 М, плотности тока 180 — 220 х!а/c.ii - и от25 ношении поверхности катода и об.ьему электролита, равном 0,5 — 1,0 сл! 1, в течение 20—

30 1!ин.

Способ изготовления источников излучения изотопов тантала 

 

Похожие патенты:
Изобретение относится к электролитическому нанесению покрытий из водных растворов, в частности к электролитическому осаждению молибдена из водных растворов электролитов

Изобретение относится к способам электрохимического нанесения покрытий и может быть использовано в практике вольтамперометрических измерений для изготовления электрохимического датчика для определения концентрации восстанавливающихся веществ и ионов, в частности для контроля содержания тяжелых металлов и кислорода в объектах окружающей среды, пищевых продуктах и т.д
Изобретение относится к области гальваностегии и может быть использовано при нанесении покрытий из индия
Изобретение относится к области гальваностегии и может быть использовано при осаждении тантала на изделия из меди и медных сплавов

Изобретение относится к области гальванотехники и может быть использовано для получения функциональных покрытий на основе молибденового покрытия, а также в ювелирном деле для замены платины

Изобретение относится к области получения тонких пленок, а именно к способам обработки стальных деталей для повышения их износостойкости

Изобретение относится к гальваностегии, в частноcти к электролитическому осаждению висмутовых покрытий

 // 358420
Наверх