Патент ссср 294544

 

iII1 294544

Союз Советских

""-":::""" изоьеятиния

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕПЬСТВУ (61) Зависимое от авт. свидетельства (22) Заявлено 19.05.69 (21) 1330320/26-9 с присоединением заявки ¹ (32) Приоритет

Опубликовано 15.04.74. Бюллетень ¹ 14

Дата опубликования описания 16.09.74 (5!) !1. Кл, Н Olg 13 00

Государственный комитет

Совета Министров СССР оо делан изобретениЯ н открытий (53) УДК 621.319.4.002. .5 (088.8) (72) Авторы изобретения

В. Я. Айвазов .. В. Г. Кобка (71) Заявитель (54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ НАПЫ,Г1ЕНИЯ ПОЛИ!ЧЕРНЫ

ДИЗЛЕКТРИЧЕСКИХ ПЛЕНОК

Изобретение относится к технологии производства радиоаппаратуры и может быть использовано для изготовления диэлектрических слоев тонкопленочных конденсаторов, изолирующих и защитных слоев х!икросхсм 5 различной конфигурации.

Известно устройство для изготовления диэлектрических слоев методом полимеризацип в тлеющем разряде. В этом устройстве диэлектрические полимерные пленки напыляют 10 непосредственно ца метгллические поверхности, которые служат электродами тлеющего разряда. Поэтому известное устройство не может быть применено для напыления полимерных диэлектрических пленок на изолиро- 15 ванные подло>кки на тех участках, где топологически предусмотрено использование Нх в качестве диэлектрика тонкопленочного конденсатора, изолирующего или защитного слоя. Кроме того. при голимеризации на элек- 20 тродс наблюдается неравномерность толщины полимерного слоя, что приводит к сни>кени1а электрической прочности тонкопленочного конденсатора и зависимости эффективной е: и<ости конденсатора QT Ql o номи- 25 па ° I!1.

Цель изобретения — получение равномерной Ilo толщине и однородной 110 электрофизическпм параметрам полпмерной диэлектриЧССКОI! !! ICI!! .l! ЗЯДЯИ!IO!I КаифпГУРации, что 30 увел!гчит 1:рацеи!т выхода годных микросхем и с, пзпт их себе тои.ность.

3 !а даст1ггяется ICE!, что па плоскис металлп ссгп1е электроды. параллельные и соосные .ежду собой п !« .ðÿëc!åë: ные и соосные с подлая<кni:, с тыльной стороны укреплены пляс-ппь, из дпэлсктричсскогo материала, а с и ст е и я co D.,! c l I c I I I!ÿ 1!o; I, I o >I< c I< с м а с к а м и элсктри-вски изолирована ат корпуса устройс г

1-1я чертеже !!зображсно предлагаемое устройства.

Устройство состоит из вякуу.гной !<амеры 1, c1стс I! l " пяпуска паров аргагп!чсской жидкас1и 3 с вентилем 4, отключающим систему

2 ат к» 1еры 1, плоских металлических электродов 5, подложки 6, пластин 7 из вакуумна о диэлекгр!гчсскаго материала, системы 8 совмещения подложек 6 с масками 9. изолиру!о!них фл"-,Höcâ 10.

Устройство ряаатяет следующим оорязом.

В 1якл мпую кямсру 1. давление в которой сас-.!0. яст 1 !0 мм рт. ст., открыв вентиль

1 с1гстсмы ?, ня.,i c;<ÿ!oò пары рабочей жидкости 3. скя д",âclcíèc B камере 1 ие станет р яви ь >; 02 — 05 > м рт. ст. " я гем пя электро, ы 5 I!Oy;I;oт иапряжс ис с ==500- 800 в !0cтаты 1 00 гц. При это ця всех открытых х чистках !1адла>кк;! 6 через окпя в маске 9 фа1> IIII>ócòc" поли;!ерная диэлектрическая

294544

3 пленка за счет бомбардировки подложки диффузным потоком ионов и возбужденных молекул, образующихся в тлеющем разряде.

Скорость формирования пленки определяется концентрацией ионов и возбужденных частиц в плазме, давленпcм и составом паров органической жидкости в камере. Для получения равномерной»о толщине и однородной по электрофпзическим свойствам полимерной пленки необходимо, чтобы плазма была однородна у всей поверхности подложки, а так как конце трацпя ионов и возбужденных частиц в плазме акснально симметрична в сечении, параллельном электродам, в устройстве используются плоские электроды

5, параллельные и соосные между собой и параллельные и соосные с подложкой 6. Кроме того, аксиальная система концентрации ионов и возбужденных частиц в плазме будет выполняться только в том случае, если будет максимально исключена электрическая утечка из области разряда, и область разряда максимально локализована в пространстве между электродами. Зто условие выполняется

4 благодаря изоляции обоих электродов от корпуса устройства с помощью пластин 7 из вакуумного диэлектрического материала, изоляции системы совмещения подложек с мас5 ка нн с помощью фланцев 10 из BBK) умного диэлектрического материала и диэлектрического экранировапия области тлеющего разряда.

Предмет изобретения

Устройство для напыления полимерных диэлектрических пленок, содержащее вакуумную камеру, снабженную системой совмещения подложек с масками, систему напуска

15 паров, плоские металлические электроды, расположенные параллельно и соосно подложке, отличающееся тем, что, с целью получения равномерных и воспроизводимых по толщине и электрофизическим свойствам пленок

20 заданной конфигурации, на металлические электроды с тыльной стороны укреплены пластины из диэлектрического материала, а система совмещения подложек с масками электрически изолирована от корпуса устройства.

Патент ссср 294544 Патент ссср 294544 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к технологии получения алмазоподобных пленок и может быть использовано для нанесения твердых, износостойких, химически инертных и аморфных алмазоподобных покрытий толщиной до 59 мкм с высокой адгезией к изделиям
Изобретение относится к способам формирования сверхтвердого легированного углеродного покрытия на кремнии в вакууме и может быть использовано в устройствах микромеханики и в качестве покрытий для деталей инфракрасной оптики
Изобретение относится к способу получения композитного материала и может найти применение в различных отраслях промышленности

Изобретение относится к технологии получения углеродсодержащих защитных покрытий пиролизом органосилоксановых соединений и может быть использовано в планарной технологии твердотельной электроники, а также может найти применение в литографических процессах при формировании органосилоксановых актинорезистов и углеродсодержащих маскирующих покрытий на их основе для изготовления фотошаблонов или ионного травления планарных структур

Изобретение относится к получению пленок из полимочевины вакуумным осаждением из паровой фазы

Изобретение относится к устройствам для нанесения покрытий в вакууме

Изобретение относится к области получения пленок и может быть использовано в медицине, оптике, микроэлектронике
Наверх