Способ изготовления криотронных схем
ОПИСАНИЕ
ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
305832
Союз Советских
Социалистических
Республик
Зависимое от авт. свидетельства №
Заявлено 19.V11.1968 (№ 1257584/26-9) с присоединением заявки ¹
Приоритет
Опубликовано 26.Х.1973. Бюллетень ¹ 43
Дата опубликования описания 26.III.1974
М. Кл. Н 051 3/00
Гасударственный комитет
Совета Министров СССР па делам изаоретений н открытий
УДК 621.3.049.75 (088.8) Авторы изобретения И. Д. Войтович, М, T. Костышин, Е. В. Михайловская, В. В, Петров и П. Ф. Романенко
Заявители Институт кибернетики АН Украинской ССР и Институ1 =АН Украинской ССР полупроводников
СПОСОБ ИЗГОТОВЯ Г7Н ИЯ КРИОТРОН Н ЫХ СХГМ
Изобретение относится к области микроэлектроники и может использоваться для построения многослойных криотро1шых схем с элементами микронных и субмикронных размеров.
Известный способ изготовления криотронных схем состоит в том, что сверхпроводящне и !!золиру1оитие материалы напыляют в вакууме через механические маски. 3IO7 clloсоб прост, но не позволяет изготавливать криотронные элементы малых размеров. Известен также способ изготовления криотронов малых размеров с применением фоторезиста.
В этом случае на подложку напыляют равномерный слой металла (например олова или свинца), наносят на нее фоторезист, который экспонируют через трафарет, и после удаления неполимеризовавшихся участков получают окна в фоторезисте. Травлением металла через окна получают пленки необходимой конфигурации, после чего фоторезист удаляют. С помощью фотолитографии изготавливают криотроны малых размеров, но для этого требуется большое количество технологическихих операций.
Цель изобретения — повысить точность изготовления схем.
Достигается это тем, что на слой сверхпроводящего материала требуемой толщины напыляют тонкий защитный слой металла (золото нли серебро), на него наносят тонкш! слой активного материала (напрнмер Pbl., As Sl и др.), вступающего в химическую реакцию cD слоем защитного металла только
5 под действием света нлн какого-либо иного излучения, облучают полученную систему, затем удаляют травлением нлн каким-.7нбо иным образом слой активного материала н ироду кть! рс 1кцllll, cc,чектнвныA! Tp3131ITc,lc. !1
10 уда.ояют незащищенные участки свсрхнрово.7ящсго материала II, сслн это необходимо, слой защитного металла, после чего наносят изолирующий н следующий слой сверхпроводя!цего материала.
На подложку плн промежуточный слой нанесен слой сверхпроводящего материала (например, олова нлн свшща). На этот слой напыляется тонкий защитный слой нз ма lоак20 тивного материала, например золота нлн серебра, толщиной 30 — 150 нм, а на него слой активного материала, например Phlq, нлн AsS;;, Il;!I! As S„вступя lощего В хнынчс— скую реакцшо с защитным слосм только нод
25 действием какого-либо излучения, например рентгеновского. илн потока электронов. После облучения системы рентгеновским излучением и потоком электронов защитный слой н слой активного материала вступают в кими30 ческую реакцшо в местях облучения, 305832
Составители Н. Давыдов
Тсхред E. Борисова
Корректор В. Брыксиин
Редак(ор В. Дибобес
Заказ 618(4 Изд. ((" (76 Тираж 755 Подписное
ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий
Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5
Типография, пр. Сапунова, 2
3 .(я.!)! f тр Jl.- (Ни (, с,б (ПМП1(О<аППЕ"I и (П кя (си м . I II ()!) II l fbi х(с посо<)ох((м ятсрп
Предмет изобретения
Способ изготовления криотронных схем, основанный на покрытии слоя сверхпроводящего материала защитным слоем, требуемой копс))пгуряции, травлении свободных от зя(нп) пс(го (-J<()), (а((1!ов г" 11 п11 (((< ()щ< ггi .(а тсРпала II v. (;(, I llllll (<(LILJI I п()г() с. (о)(, ()L .ги((а)ои ийсл тем, что, с целью повышеlIHH точности изготовления схем, защитный слой получают
5 пап(<с Ill(0%! па свсj)xf(P()1<0;I,)(п(п((. Pbl> или As>S,;, вступающим в химическую 10 реакцию с малоактивным материалом»o;\ действием излучения, например рентгеновского, или потока электронов, облучают активный материал через маску и удаляют, например травлением, слой активного вещества и про15 дукты реакции с участков, подвергнутых обл уче(ппо.
