Способ прецизионного базирования полупроводниковых пластинвсесоюзная11дтши9-тш2пь:6'15л>&ютена

 

ОПИСАНИЕ

И ЗОБ РЕТ Е Н ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Сок»з Соввтокнк

Социалиотическнк

Республик

Зависимое от авт. свидетельства №

Заявлено 19.Ч.1969 (№ 1334895/26-9) с присоединением заявки ¹

Приоритет

Опубликовано 21.У1.1971. Б»оллетень № 20

Дата опубликования описания 11.Х.1971

МПК Н 05k 3/24

Комитет оо делам изобретений и открытийпри Совете Министров

СССР

УДК 621.3.049.75(088.8) Авторы изобретения А. Ю. Моргулис-Якушев, В. Л. Сандеров, П. С. Кутко и О. К, Зайченко

Заявитель

СПОСОБ ПРЕЦИЗИОННОГО БАЗИРОВАНИЯ

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛАСТИН

Изобретение относится к технологии производства радиоаппаратуры и может быть использовано при изготовлении полупроводн»»ковых твердых схем и планарны.; микротра»»зисторов.

Известны способы прецизионного базирования полупроводниковых пластин с помощь»о фотоэлектрически датчиков и фотоэлектрических микроскопов.

Однако известные способы в производстве»»ных условиях обладают малой производи; тельяостью, так как операции совмещения рисунков фотошаблона и подложек выполняются вручную.

С целью автоматизации операции бази»роВ3НЕ»Н пластин, увеличения производительности и точности базирования по предлагаемому способу на поверхность детали предварительно наносят метки в ви де канавок, размер которы соизмерим с заданной точностью базирования, положение базирования пластин фиксируется с помощью контрольного инструмента, иглы которого при перемещении .;ластинь» западают в канавки.

Б качестве примера применен»»я способа прецизионного базирования пластин рассматривается базирование кремни.вых пластин

»»р и производстье и»:тегр альных тве р.»ых с хе i на операцпях совмещения и экспо»»»»рова»»»»я с точностью 1 л»к.»».

На фиг. 1 дано полсжение иглы контрольного инструмента в канавке пластины; на фиг. 2 — 5 — четыре последовательных положения при базировании пластичы; на фиг. б— блок-схема устройства, регистриру»с»щего момент западания иглы контрольного инструмента в канавку.

Пластина 1 выполнена из кремния и гокрыта пленкой 2 оки»сла SiO . Методом фотоl0 литографии на пленку окисла в трех местах наносятся канавки 3 глубиной 0,4»»к.я, шириной 5 — 10 лкл», пленка окисла покрывается слоем фоторезиста 4. Игла б при перемещен»»»» пластин западает в канавку 3. Koíò15 рольный инструмент также может име-.ь иглы.

Окружностями Х и Y обозначены фиксированные положения игл с базами А и В.

После предварительной установки пласти20 ны I по трем штифтовым упорам б с точностью порядка 0 — 15,»»кь»» (фиг. 2) пластина перемешается по часовой стрелке до попадания иглы в канавку 3 (фиг. 3), затем происходит поворот пластины против часовой

25 стрелки вокруг oñ»» иглы Y до попадания иглы Х во вторуlo канавку.

Процесс оазирования заканчивается (фиг. 5) в момент захвата ка»»:авкой 3 иглы Z

l.p». следующем перемещении, пластины по

30»:ап авленню, указанному стрелкой.

307544

Блок-схема включает датчик 7, электронный усилитель 8, регистрирующий прибор 9, исполнительный механизм 10.

Магнитная система датчика состоит из сдвоенного Ш-образного сердечника 11 с двумя катушками 12. Катушка датчика и две половины гервичной о|бмотки дифференциального трансформатора 18 образуют балансовый мост, питание которого осуществляется от генератора звуковой частоты 14. При 10 перемещении пластины 1 игла 5, ощупывая поверхность, западает в канавку, и вызываег колебание якоря 15, в результате которого меняется воздушный зазор между якорем и сердечником и напряжение на выход диффе- 15 ренциального трансформатора 18. Полученíое изменение напряжения усиливается электронным усилителем, на выходе последнего могут подключаться репктрирующий прибор или исполнительный механизм. ЗО

При получении соответствукицего сигнала производится изменение характера движения пластины для залавливания иглами следующих двух утлублений.

Предмет изобретения

Способ прецизионного базирования полупроводниковых пластин, на поверхности которых выполнены метки в виде канавок, размер последнHx соизмерим с заданной точностью базирования при изготовлении интегральных схем, отличающийся тем, что, с целью автоматизации операции базирования пластины, для фиксации положения базирования пластины используюп кочтрольный HIHструмент, иглы которого при перемещениг пластины западают в канавки.

307544

Фиг. 2

Фиг.З фиг и

Фиг.5

Фи2. 8

Составитель Г. Челей

Редактор Т. И. Морозова Техред Л. Л. Евдонов Корректор О. С. Зайцева

Заказ 2683/13 Изд. № 1128 Тираж 473 Подписное

ЦН1!ИПИ Комитета по делам изобретении и открытий прп Совете Министров СССР

Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4, 5

Типография, пр. Сапунова, 2