Патент ссср 324570
GПИСЛН.ЦЕ
ИЗОБРЕтЕНия
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
Calm Советсгих
Социалистических
Респу0пик
Зависимое от явт..в 1дстсл1:« i :зя Л 1..1хл. G 01п 27 24
Заявлено ОЗ.VI,1969 (№ 1334549 26-25) с присоединен:Гем заявки X
Еавтитет по делам иаобретений и открытий при Совете Министров
СССР
Приоритет—
Опубликовано 23.ХН.1971. Б1ол f»T»нь ¹ 2 зя 1972
У; К 621.315.592 (088.8) Дата опубликования оп!!сания 1.111,1972
Лвторы
Из(.: )5»ТСнff51
С. П. Синица, С. В. Косиков и Ф. П. Пресс
3 Я, 1В И Г СЛ Ь
ЭЛЕКТРОЛИТИЧЕСКИЙ СПОСОБ КОНТРОЛЯ ДЕФЕКТОВ
ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СЛОЕВ
Изобретснис относится к области электронной техники, в част!тости, к производству полупроводниковых приборов.
IIpH производстве иолу.1рсводниKoHhfx НрНборов (диодов, транзисторов, Гштеграль:1ых схем и др.) методами планярной технолог!и! < качеству используемых маскирующих и пассивирующих диэлектрических слоев прсдьявляются высокие требования. 5 !акродефекты диэлектрических:.ленок (поры, трсщины, включения и т. д.) оказывают значптельнос влияние на,разброс параметров, надежность н выход годных, полупроводниковых приборов.
Известен метод обнаружения макродефектов диэлектрических слоев, заключя!ощийся в том, что.на участок исследуемой позерхностГИ диэлектрического слоя наносят каплю электролита (металлосодсржащего раствора), в когорую опускают электрод, находящийся под положительным потенциалом. На поверх!ность, противоположную исследуемой, подают отрицательный потенциал. Электроосаждение металлов происходит в нерву!о очередь вблизи дефектов, которые становятся видимыми под и икр о скоп ом.
Однако с помощью известного метода нельзя получить полного представления о распределении макродефектов по всей irorfepvHOсти диэлектрического слоя; кроме того, изучение поверхностных дефектов даже на небольшой позсрхносгп занимает значительное время (несколько !ясов), я оценка дефектов можс" носить c) б ьскт!1в,!1)111 х!11з 1ктс1к
Цель изобретения — упрощение способа об5 11аружения микродефсктов, повышение его производительности прп возможности получеIli1я наглядной кярт111ы распределения деф»TOil.
Цель д„«-тпгается благодаря пспользовани1о
1О в электрол Гтгичсском способе регистрирующего фотоматериала (фотоэмульоии) . На чертеже
«хемятически показана сборка исследуемого образца и применяемого при ол ществленпи предлт1гасмого способа приспособления персд помещением ее в электролит. Полупроводниковую (металлическую) подложку 1 с нанесенной на псе диэлектрической Иле!кой 2 помещают HP. нижн:!й электрод:3. На диэлектрпэмт льсионны и «лосм -1 11:1к.1.12О;!ы за!от гротоб хГГ! !т» и плотно !1р п>к . м я!От сс к д:1электрическогму «лою пр;1 помощи верхн«го электрода 5. Всю систему помещают в элекTpoтит, которым может c÷óæèòü водя. Прп подаче на нижний электрод отрицате rf»Ho.-о
:1отенцпяля, а на верхний -- положительного i»рсз си«тех!х протеl ает тОк; ilpH этом 1l llbl серебра фотоэмульси11 во«стянавливают«я ня порах и других проводящих дефектах, и в эмульсии образуется скрытое изобря;кен!Ге
3р дсгрект!1, которое при последующей обычно
324570 ф
Сос(()в! тс:((, М. )Черкулова ()сдлкiOp И. Орлова )схрс i Л. Богданова Коррскгор(! Е. Усова:.! А. Царькова
Заказ 351 Изд. № !845 Т:(ра «448 Под()нс)(ос
I II II)Ill)i I Ко)((((ста но дс.!a (: (ворс(с:!!Il! о(крьгг:ii! нрн Совсгс М((н()стра(! ССС))
Мо !("a. Ê-35, Ра(.(!)сказ! ла().. „т. 4(5
O5). !a(гll li! т (((огра())(!i! Ко(Гро)вского ) (р)(в:!;".!!!!! I!0 (!с Ia!a(.d используемой I) фо.!.огр афин обработке (I)p :I:)лен:(с, закрепление) превращается в видимый отпечаток дефектов. Увеличивая приложенчое между электродагми налряженис и время выдержки (время протекания гока), можно получать карт))ны распределения и плохо проводящих дсфсктов диэлектрического слоя.
IlperI÷åт изобретения
Электрол(ит()песк)и! способ контроля дефектов диэлектрических слоев II;! полупроводниковых или металлических подложках, находящихся под отрицательным потенциалом, с;юследующим наблюдением картины элсктро5 осаждения металла, отличающийся тем, что, с целью упрощения способа и новь)шенин его производительности, предварителы)о к поверхности диэлектрического слоя прижим нот эмульсионным слоем фотобумагу, служащую
lI! в качестве регистрирующего материала.
