Способ контроля дефектов слоев материалов
. i
ОП ИСАЙКЕ
ИЗОБРЕТЕН ЙЯ
Сони Соввтснит
Соииалистичвскин
Реслувлин
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬт,.ТВУ
Зависимое от авт. свидетельства №вЂ”
Заявлено 01.Ш.1971 (№ 1631439/26-25) с присоединением заявки №вЂ”
M Кл. С 01п 27/24
Кемитвт ло делам иааврвтеиий и открытий ври Совета Министров
GGQP
Приоритет—
Опубликовано 28.XI.1972. Вюллетен : № 36
Дата опубликования описания 3.1,19 3
УД1(621.315.592(088.8) Авторы изобретения
А. Е. Кравцов и М. А. Резников
Институт физики АН Украинской ССР
Заявитель
СПОСОБ КОНТРОЛЯ ДЕФЕКТОВ СЛОЕВ МАТЕРИАЛОВ
Предмет изобретения
)
Изобретение относится к области электронной техники, в частности к производству .полупроводниковых,приборов.
При производстве полупроводниковых прибо ров (диодов, транзисторов, интегральных схем и т. д.) методами планарной технологии предъявляются высокие требования к,качеству поверхности полупроводников и диэлекврических слоев, так,как дефекты слоев матсриалов оказывают значительное .влияние на .разброс параметров, .надежность и выход годных полупроводниковых приборов.
Известен электролитический способ контроля дефектов диэлектрических слоев на лолу,проводн иковых или металлических подложках, заключающийся,в том, что на полупроводниковую подложку с исследуемой диэлек1 рической пленкой:накладывают фотобумагу, покрытую эмульсионным слоем, и всю систему, расттоложенную между двумя элекпро@ами, помещают в электролит (воду) . Hpè прохождении тока через систему ионы серебра фотоэмульсии восстанавливаются на порах и других проводящих дефектах. Однако с помощью известного способа .невозможно конзролировать электронепроводящие дефекты, имеющиеся на поверхности и в .приповерхностном слое диэлектриков,,полупроводникол и металлов.
Целью изобретения является воз можность од Оъременного получения Изображения про2 водящих и непрозодящих дефектов полупроводников, диэлектриков и металлов.
Это достигается тем, что регистрирующий материал наносят на диэлектрическую подложку и ко всей системе прикладывают элект рическос поле по величине де ниже 104 в/сл, Сущность способа заключается в том, что образец накладывают исследуемой поверностью па эмульсионный слой фотопластпны, Io например, стеклянной, помещают эту систе му меж ду .Плоскими металлическими электродамп и прикладывают к ним нацряжение, Независимо от полярности происходит, разложение состава эмульс:юнного слоя в местах наиоолее
15 сильного элекпрического поля, что соответствует дефектаи и неоднородностям на поверхности исследуемого образца. В качестве эмульc:IoIIного слоя может быть использован состаз на основе Ag Br.
2р После проявления па фотопластине появляются изображения поверхности с черными точками, соответствующими пеодиородпостям и дефекта м.
Способ контроля дефектов слоев материалов путем наложения образца исследуемой поверхност: а регистрирующий маторпал,,например
Зр фотоэмульсионный слой, и приложения к иссле360599
Состапитсль Л. Шварцман
Текред Л. Богданова
Корректор В. )Колудева
Редактор A. Батыгин
Изд, № 1826 Заказ 5996 Тираж 406 Подписпос
ЦНИИ!!1! Комитста по делам изобретений и открытий при Совстс Министров СССР
Москва, 7К-35, Раушская наб., д. 4)5
Загорская типография дуемой системе напряжения, отлича ощийся тем, что, с целью одновременного получения изображений проводящих и непроводящих дефектов и расширения области применения, ре4 гистрирующий материал наносят на диэлектрическую подложку и прикладывают электрическое поле по величине не ниже 104 в/см.
