Патент ссср 330494

Авторы патента:

H01C7 - Нерегулируемые резисторы, имеющие один или несколько слоев или покрытий; нерегулируемые резисторы из порошкообразного токопроводящего или порошкообразного полупроводникового материала с диэлектриком или без него (состоящие из свободного, т.е.незакрепленного, порошкообразного или зернистого материала H01C 8/00; резисторы с потенциальным или поверхностным барьером, например резисторы с полевым эффектом H01L 29/00; полупроводниковые приборы, чувствительные к электромагнитному или корпускулярному излучению, например фоторезисторы H01L 31/00; приборы, в которых используется сверхпроводимость H01L 39/00; приборы, в которых используется гальваномагнитный или подобные магнитные эффекты, например резисторы, управляемые магнитным полем H01L 43/00; приборы на твердом теле для выпрямления, усиления, генерирования или переключения без потенциального или

Оп ИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

330494

Союа Советскик

Социалистическик

Республик

Зависимое от а вт. свидетельства ¹вЂ”

М. Кл. Н Olc 7/00

Заявлено 10.XI.1970 (№ 1486173/26-9) с присоединением заявки №вЂ”

ПриоритетвЂ”

Опубликовано 24.ll.1972. Бюллетень № 8

Дата опубликования описания 21.IV.1972

Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров

СССР

УДК 621 396 692 (088.8) Авторы изобретения

В. А. Иванов, E Г. Корниенко, Г. М. Серых, Г. А. Франк

Краснодарский завод тензометрических приборов

Заявитель

РЕЗИСТОР

Изобретение относится к технологии производства радиодеталей и может быть использовано в радиотехнической аппаратуре, системах автоматики и телеметрии.

Известны резисторы, содержащие электроизоляционную подложку, с двух сторон которой печатным способом нанесены резистивные слои.

Недостаток известных резисторов состоит в том, что коэффициент тензочувствительно-, сти отличается от нуля, что даже при небольших механических воздействиях на резистор приводит к значительному изменению величины его первоначального сопротивления.

С целью уменьшения коэффициента тензочувствительности в предлагаемом резисторе резистивные слои имеют зеркально отображенную конфигурацию. причем нижняя и верхняя части резистивного материала соединены между собой перемычкой, расположенной на торцовой поверхности подложки и используемой в качестве торцового контакта.

На чертеже дано предлагаемое устройство.

Резистор состоит из электроизоляционной подложки 1, с обеих сторон которой печатным способом нанесены резистивные слои 2, имеющие зеркально отображенную конфигурацию. Нижняя и верхняя части резистивного материала обоих слоев 2 соединены между собой перемычкой 8, расположенной на торцовой поверхности подложки 1 и используемой в качестве торцового контакта. Выводы резистора 4 расположены по обеим сторонам подложки.

При указанной конструкции резистора действие механических усилий на него компенсируется тем, что нижняя и верхняя его части в каждом слое испытывают деформацию, равную по величине, но противоположную по знаку, поэтому общее сопротивление прецезионного резистора не меняется.

Перемычка 8 может использоваться как выводной контакт от средней точки резисто15 ра, при этом верхняя и нижняя части резистора могут быть включены в схему последовательно или параллельно.

Предмет изобретения

2О Резистор, содержащий электроизоляционную подложку, с двух сторон которой печатным способом нанесены резистивные слои, отличающийся тем, что, с целью уменьшения коэффициента тензочувствительности, резистивные слои имеют зеркально отображенную конфигурацию, причем нижняя и верхняя части резистивного материала соединены между собой перемычкой, расположенной на торцовой поверхности подложки и используемой как торцовой контакт.

330494

Составитель Г. Челей

Редактор Т. Морозова

Корректор E. Исакова

Техред 3. Тараненко

Тип Харьк. фил. пред, «Патент»

Заказ 95/570 Изд. № 266 Тираж 448 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, Ж-35, Раушская наб., 4/5

Способ изготовления высокоомных композиционных резисторов // 323806

Тонкопленочный резистивный материал // 320835

Библиотека '' // 320834

Резистивная композиция // 319000

Патент 318999 // 318999

Материал для непроволочных резисторов объемного типа // 317113

Резистивный материал // 317112

Резистивный материал // 313227

Резистивный материал // 313225

Резисторный элемент // 2105372

Изобретение относится к конструированию и изготовлению резисторных чувствительных элементов для термоанемометрических датчиков измерения скорости или расхода потока воздуха, газообразных и жидких сред

Резистивно-проводящий материал // 2117348

Изобретение относится к технологии производства радиоэлектронной аппаратуры и может использоваться для изготовления резистивных материалов для резистивных элементов на керамических, металлодиэлектрических и диэлектрических основаниях, преимущественно для изготовления резистивных элементов толстопленочных интегральных элементов

Варистор и способ его изготовления // 2118006

Изобретение относится к электротехнике и решает задачу повышения надежности варистора путем нанесения на его поверхность покрытия с пониженным значением ТКЛР

Композиция для электрического резистивного элемента, электрический резистивный элемент и способ его изготовления // 2120146

Изобретение относится к области электротехники и может быть использовано при производстве резистивных элементов

Тонкопленочный терморезистор // 2120679

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано в производстве тонкопленочных терморезисторов - датчиков температуры

Разрядник от перенапряжения // 2121724

Прецизионный тонкопленочный чип-резистор // 2123735

Изобретение относится к электронной технике, в частности к производству постоянных прецизионных тонкопленочных чип-резисторов

Устройство для защиты от перенапряжений // 2125309

Устройство для защиты от перенапряжений // 2125747

Устройство для защиты от перенапряжений // 2125748

Изобретение относится к электротехнике и предназначено для защиты изоляции оборудования станций и подстанций и линий электропередачи переменного и постоянного тока от атмосферных и коммутационных перенапряжений