Реактор для эпитаксиального наращивания

 

О П И С А Н И Е 339245

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Рвсл,ублик

Зависимое от авт. свидетельства ¹

Заявлено 22.XI1.1969 (№ 1387277i26-25) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 21.1Х.1972. Бюллетень Ю Ъ 28

Дата опубликования описания 8.1.1973

М. Кл. Н Oll 7/68

Комитет по делам изобретений и открытий ори Совете Министров

СССР

УДК 621.328(088.8), г, H. C. Веремейчук, М. М. Бабушкин, И. Ф. Домницкий,, -; " .: ;; 1",, Ю. Л, Эмке и А. С. Архипов

ы а.". н"c . м i Г,l-. . ) Авторы изобретения

Заявитель

РЕАКТОР ДЛЯ ЭПИТАКСИАЛЬНОГО НАРАЩИВАНИЯ

Изобретение относится к производству полупроводниковых приборов. Устройство может быть использовано для эпитаксиального наращивания слоев полупроводниковых материалов, в частности германия или кремния.

Известны реакторы для эпитаксиального наращивания слоев полу проводниковых материалов, выполненные в виде стального кожуха (колпака), охлаждаемого водой, внутри которого размещается графитовый подложкодержатель. Подложкодержатель представляет собой полый цилиндр, внутри которого установлен индуктор, состоящий из кварцевого держателя и катушки, причем катушка расположена на внешней стороне держателя. Колпак снабжен штуцерами для подачи рабочего газа. Такая конструкция реактора не обеспечивает достаточной герметизации индуктора от газовой среды, так как создание надежного вакуумного уплотнения между основанием кожуха и вращающимся подложкодержателем при 1500 С вызывает большие технические трудности. Поэтому индуктор в процессе работы покрывается слоем напыляе,мого вещества, например кремния, что приводит к короткому замыканию витков катушки. Кроме того, индуктор в свою очередь вносит загрязнения, что ухудшает качество выращиваемых пленок. Для защиты индуктора на него наносят покрытия, например золото, а после эпитаксиального наращивания удаляют с него слой напыленного вещества. Однако это создает неудобство в эксплуатации и приводит к снижению качества напыляемых пле5 нок.

Цель изобретения — повышение качества наращиваемых слоев. Достигается это тем, что в предлагаемом реакторе держатель индуктора выполнен в виде кварцевого стакана, 10 герметично вмонтированного в верхний фланец кожуха, причем индуктор установлен внутри держателя, а витки его катушки расположены вплотную к внутренним стенкам кварцевого стакана (держателя). Подложко15 держатель также выполнен в виде стакана, охватывающего снизу держатель индуктора.

Такое выполнение реактора позволяет полностью изолировать индуктор от рабочей среды и герметизировать кожух с помощью

20 единственного уплотнения между подложкодержателем и верхним фланцем колпака.

Описываемый реактор изображен на чертеже.

Внутри стального охлаждаемого водой ко25 жуха 1 на вращающемся валу установлен подложкодержатель 2 в виде графитового стакана. В верхнем фланце 3 кожуха 1 крепится держатель 4 индуктора, представляющий собой кварцевый стакан с расположен30 ной внутри него катушкой 5. Витки катушки, 339245

Составитель В, Гришин

Техрсд T. Курилно

Корректоры: Л, Царькова и Л. Кириллова

Редактор Б. Федотов

Заказ 4181(10 Изд. № 1547 Тираж 406 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делага изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4(5

Типография, пр. Сапунова, 2 изготовленные точно BO внутреннему днамеIру держателя, служат для его охлаждения.

Подложкодержатель 2 охватывает держатель индуктора снизу. Фланец 8 выполнен сье.,гным, Коллекторы 6 служат для подачи рабочей газовой смеси и отвода продуктов реакции.

Работает реактор следующим образом.

В гнезда подложкодержателя 2 загружают полупроводниковые пластины, госле чего реактор герметично закрывают, Затем пода1от воду для охлаждения реактора, продувают его азотом, включают индукционный нагрев подложкодеряателя и подают через коллек тор 6 рабочую газовую смесь.

Предмет изобретения

Реактор для эпитаксиального наращивания слоев полупроводниковых материалов, содержащий охлаждаемый кожух, вращающийся подложкодержатель, нндуктор, кварцевыи держатель индуктора, отличающийся тем, 10 что, с целью повышения качества наран1иваемых слоев, индуктор установлен внутри его держателя, который выполнен в виде стакана, герметично закрепленного на верхнем фланце кожуха реактора,

Реактор для эпитаксиального наращивания Реактор для эпитаксиального наращивания 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к способам изготовления полупроводниковых приборов, точнее к способам эпитаксиального наращивания, а именно получения слоя полупроводника III-нитрида (GaN, A1N, InN) на чужеродной подложке путем газофазной эпитаксии с использованием металлоорганических соединений (МОС), и может найти применение при создании полупроводниковых лазеров, светодиодов, ультрафиолетовых фотоприемников, высокотемпературных диодов, транзисторов и т
Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к технологии изготовления интегральных схем

Изобретение относится к области микроэлектроники, а именно к технологии изготовления интегральных микросхем

Изобретение относится к области электронного материаловедения

Изобретение относится к наноэлектронике и наноэлектромеханике и может быть использовано в микроэлектромеханических системах в качестве датчиков, при производстве конденсаторов и индуктивностей для средств сотовой телефонной связи, а также для оптической волоконной связи на матричных полупроводниковых лазерах
Изобретение относится к технологии эпитаксиального выращивания тонких пленок из газовой фазы

Изобретение относится к области электронной техники и может быть использовано при изготовлении полупроводниковых приборов на основе арсенида галлия
Наверх