Патент ссср 341377

 

0 Il И С А-Н- Й-"Й

Со1оз Советских

Социалистических

Республик

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Зависимое от авт, свидетельства №

Заявлено 10.Ч.1971 (№ 1656009/26-25) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 28.Vill.197i3, Бюллетень № 35

Дата опубликования описания 14.1.1974

М. Кл. Н Oll 11 10

Государственный комитет

Совета Министраа СССР па делам иэабретений и открытий

УДК 621.382(088.8) Авторы изобретения

Н. М. Беленьков и E. E; Малицкий

Заявитель

THPHCTOP

Изобретение относится к полуп роводниковьам переключающим приборам, уп ра вление которыми осуществляется электрическим полем.

Известен ттсристор, управление которым осуществляется посредством полевого эффекта, создаваемого с помощью металлического электрода, расположенного над широкой базойй ти р и сто р а.

Эти ти ристо ры имеют резко ограниченный диапазон рабочих токо в и напряжений, обуicловленный спецификой конicтpукции полевых п рибо ро в, Особенность конструкции полевых ти ри сторов заключается в необходимости нанесения металличеокого управляющего электрода или затвора на диэлектрический слой непос редственно над широкой базой тиристора и ограничивающими ее р — n-переходами.

Исходя из этого условия работоспособности полевого тиристора, одним возможным технологичеоктам вариантом создания полевого тиристора я вляется планарная технология с так назьсваемым продольным расположением полупроводниковых слоев с противоположным типом проводимости.

Для расширения диапазона рабочих токо в и напряжений в узкой базе тиристора, содержащего четьаремслойную полупроводниковую структуру, образована тиключенная в цепь дополнителыного источника питания тткристорная ттэатеь т

3413 горизонтальная структура, управляемая полем, анодный ток которой является током уп равления четырехслойной структуры.

На чертеже схематически изображен тири5 стор, управляемый полем.

Пол упроводн иковы и THip Hc Top, управляемый полем, содержит четырехслойную структуру, состоящую из электрода 1, эмнттерного слоя

2, узкой базы 3, широкой базы 4, второго

10 эмиттерного слоя 5, электрода 6 ко второму эмиттерному слою. Размеры и электрофизические характеристики слоев выбираются из условий реализации необходимых значений рабочих токов и напряжений. В узкой базе че15 тырехслойной структуры создана тнристорная горизонтал ьная структура, причем эмиттер тиристора является эмиттером Tèðèñòoðíîé горизонтальной структуры, а узкая база тирнстора — широкой базой горизонтальной структу20 ры, слой 7 .представляет узкую базу, а слой

8 — второй эмиттер горизонтального тиристора с металлическим электродом 9. На диэлектрическом слое 10 над обеими базами 8 и 7 горизонтального тиристора и над одним эмит25 тером 2 расположен соединенный с электродом 11 металлический слой 12, являющийся одновременно управляющим электродом или затвором тиристора.

Рабочее напряжение подается между элект30 родами 1 и б ocHoBíoãо тиристора, а между

34!377

Составитель О. Федюкина

Техрсд Т. Курилко

Редактор Е. Гончар

Корректор В, Федулова

Заказ 3602/! Изд. № 923 Тираж 780 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2 электродами 1 и 9 подается напряжение от дополнительного источника питания. П ри отсутствии сигнала уп1равления на электроде 12 оба тиристо ра находятся .в закрытом состоянии, и ,величина допустимого значения напряжения на электродах 1 и б определяется свойствами четырехслойной структуры, т. е. свойствами основного тиристора. При появлении соответвующего элект1рического сигнала на управляющем электроде 12 горизонтальный тиристор, находящийся в цепи управления ооно вного тиристора открывается и через него начинает п ротекать прямой ток, являющий|ся одно временно током,упра вления основного тиристора, который обеспечивает отпирание ос,нов ного тиристора. Таким о разом, управление тиристором осуществляется с помощью IIOлевого эффекта п ри сох ранении приборо м всех свойств, характерных для обычных триодных тиристорав.

Предмет изобрете ния

Тири стор, управляемый полем, содержащий в цепи управления т ристора горизонтальную структуру, имеющую общий с основным тиристором эмиттер, отличающийся тем, что, с целью расширения диапазо на рабочих токов и напряжений, над обеими базами горизонтального тиристара и общим эмиттером раополо15 жен управляющий полевой электрод.

Патент ссср 341377 Патент ссср 341377 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к полупроводниковым приборам, а именно к симметричным тиристорам, представляющим собой интегральный прибор, состоящий из двух встречно-параллельно включенных тиристоров с общим управляющим электродом, и может быть использовано при создании новых типов симметричных тиристоров

Тиристор // 2173917
Изобретение относится к области электронной техники, в частности к конструированию и технологии изготовления полупроводниковых кремниевых управляемых тиристоров многослойной структуры с тремя электродами, и может быть использовано в электронной промышленности

Изобретение относится к области силовых полупроводниковых элементов

Изобретение относится к области полупроводникового приборостроения

Изобретение относится к области силовой полупроводниковой техники

Изобретение относится к области силовой полупроводниковой технологии

Изобретение относится к области мощных полупроводниковых приборов и может быть использовано при конструировании тиристоров с пониженной амплитудой тока обратного восстановления и увеличенным коэффициентом формы тока обратного восстановления

Изобретение относится к конструкции полупроводниковых приборов с самозащитой от пробоя при перенапряжениях в закрытом состоянии, а именно к конструкции динисторов и тиристоров, в том числе симметричных

Изобретение относится к конструкции полупроводниковых приборов с самозащитой от пробоя в период восстановления запирающих свойств, а именно к конструкции тиристоров, в том числе фототиристоров
Наверх