Запоминающее устройство

Авторы патента:

G11C11/08 - многодырочных, например трансфлюксоров пластин с несколькими отдельными многодырочными элементами памяти (G11C 11/10 имеет преимущство; использование пластин с несколькими отверстиями, в которых каждое отверстие образует отдельный элемент памяти G11C 11/06)

О П И СА Н И Е

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

344500

Союз Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства №

Заявлено 22.Х11,1970 (Жа 1608027/18-24) с присоединением заявки ¹

Приоритет

Опубликовано 07.VII.1972. Бюллетень № 21

Дата опубликования описания 21 VII.1972

М. Кл, 6 llс 11,/08

Комитет ло делам изооретений и открытий ори Совете Министров

СССР

УДК 681.327.66(088.8) Автор изобретения

Е. М. Дудин

Заявитель

ЗАПОМИНАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО

Известно запоминающее устройство, содержащее запоминающие элементы, модуляционные отверстия которых прошиты числовыми обмотками, разрядные обмотки, формирователи разрядной записи «1», усилители считывания.

Необходимость прошивки трех обмоток через одно центральное отверстие вызывает увеличение трудоемкости и нарушение изоляции обмоток.

Предложенное запоминающее устройство отличается от известного тем, что каждая разрядная обмотка состоит из основной низкоомной ветви, проходящей через запоминающие элементы и связанной с соответствующим усилителем считывания, и шунтирующей ее дополнительной высокоомной ветви, связанной с соответствующим формирователем разрядной записи «1». Основные ветви всех разрядных обмоток соединены последовательно через нелинейные резисторы, например диоды, и подключены к источнику тока записи «О».

Это позволяет упростить устройство и повысить его надежность.

На чертеже показана схема запоминающего устройства.

Устройство содержит запоминающие элементы 1, прошитые через центральное отверстие основной низкоомной ветвью разрядной обмотки 2, шунтированной дополнительной высокоомной ветвью 3, и числовыми обмотками

4 запрета и опроса. Высокоомные ветви 8 разрядной обмотки подключены к соответствующим выходным трансформаторам 5 формирователей разрядной записи «1».

Для того, чтобы ток записи «О» не ответвлялся в дополнительную ветвь 3 разрядной обмоткн, последовательно с ней включают резистор 6 или выполняют ее пз высокоомного

10 провода.

Основная ветвь разрядной обмотки 2 подключена к соответствующему входному трансформатору 7 усилителя считывания.

Основные ветви всех разрядных обмоток

15 соединены последовательно через нелинейные резисторы 8, например диоды, и подключены к источнику 9 тока записи «О».

В качестве запоминающих элементов 1 в устройстве использованы элементы с модуля20 цией магнитного сопротивления.

Устройство работает следующим образом.

Перед записью информации все запоминающие элементы 1 источником 9 тока записи

«О» устанавливаются в состояние «0». Затем

25 по нпзкоомной ветви разрядной обмотки 2 подается ток разрядной записи «1», достаточный для перемагничивания выбранных запоминающих элементов (в состояние «1», и одновременно по всем невыбранным числовым

30 обмоткам 4 подается ток запрета.

344500

Составитель A. Корюкова

Техред Т. Ускова

Корректор Е. Михеева

Редактор Т. Рыбалова

Заказ 2266/!6 Изд. № 976 Тираж 406 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2

Ток запрета насыщает материал вокруг модуляционных отверстий, препятствуя таким образом перемагничиванию невыбранных запоминающих элементов 1.

Считывание информации происходит путем подачи тока опроса в выбранную числову1о оомотку 4. При этом в основной ветви разрядной обмотки 2 наводится э.д.с., соответствующая «1» и «0» записанной информации.

Считанные сигналы поступают на входные трансформаторы 7 соотьетствующих усилителей считывания.

Предмет изобретения

Запоминающее устройство, содержащее запоминающие элементы, модуляционные отвер4

CTNB KDTOpblX Ilp01MHTbl illa ñëîâûìè обмотками, разрядные обмотки, формирователи разрядной записи «1», усилители считывания, отличаюи1ееся тем, что, с целью упрощения устройства и повышения его надежности, каждая разрядная обмотка состоит из основной низкоомной ветви, проходящей через запоминающие элементы и связанной с соответствующим усилителем считывания, и шунтирующей ее дополнительной высокоомной ветви, связанной с соответствующим формирователем разрядной записи «1», основные ветви всех разрядных обмоток соединены последовательно через нелинейные резисторы, например диоды, и подключены к источнику тока записи «0».