Патент ссср 346649

 

346649

ОПИСАН И Е

ИЗОБРЕТЕНИЯ

K АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства No

Заявлено 05 1Ч.1971 (ач" 1646715/26-25) М. Кл. G 01п 21/46 с присоединением заявки М

Приоритет

Опубликовано 28.V11.1972. Бюллетень ч" 23

Дата опубликования описания 21.VIII.1972

Комитет по делам изобретений и открытий ори Совете 1т1инистрсо

СССР

УДК 535.322.4(088.8

ЕГ}Ц

Авторы изобретения

3. П. Самхарадзе, И. Н. Харатишвили, В. P. Чанкотадзе, Т. А. Гвердцители, В. H. Кеванишвили„И. В. Кикадзе, T. Г. Тетвадзе, 3. К. Дудаев, Р. И. Майсурадзе и В. H. Парамонов

Научно-исследовательский институт автоматизации производственных процессов в промышленности

Заявитель

УСТРОЙСТВО ДЛЯ РЕФРАКТОМЕТРИЧЕСКИХ ИЗМЕРЕНИЙ

Известны устройства для рефрактометрических измерений, содержащие аналитическую ячейку, пробоотборное устройство и измерительную систему. Для компенсации влияния изменения температуры исследуемой среды на результаты измерений в аналитическую ячейку .введен термодатчик, сигнал с которого подается на измерительный блок, где и происходит коррекция выходного сигнала по температуре.

В этих устройствах включение термодатчиков осуществляется одновременно с началом измерения концентрации исследуемого вещества, в силу чего время измерений определяется в основном инертностью термодатчика и исполнительного механизма, управляемого сигналом от этого термодатчика.

Учитывая то, что в некоторых случаях, например при определении сахаристости, требуется большая скорость измерений, использование известного устройства не удовлетворяет техническим требованиям этого процесса.

В предложенном устройстве в аналитическую ячейку введен датчик уровня, установленный в зоне начального заполнения ячейки исследуемой жидкостью, его выход подключен к блоку измерения и к блоку питания термодатчика.

Это позволяет осуществлять термокомпенсацию непосредственно после начала заполнения рабочей кюветы исследуемой жидкостью, а не во время рабочих измерений, 5 На чертеже изображено предложенное устройство.

Опо содержит пробоотборное устройство 1, рабочую кювету 2 с датчиками 8 и 4 начала и конца заполнения, рефрактометрнческий дат10 чик 5, термодатчик б, блок 7 измерения, преобразователь 8 напряжение — частота, цифровой индикатор 9, слпвную трубку 10 с клапаном 11, насос 12, блок 18 питания термодатчика.

15 Устройство работает следующим образом.

Исследуемая жидкость с помощью пробоотборного устройства засасывается в рабочую кювету, разрежение в которой создается»асосом.

20 Как только жидкость достигнет уровня датчика 8, последний выдает сигнал, с помощью которого происходит включение измерительного блока 7 и блока 18 питания датчика температуры, который (датчик) установлен не25 сколько ииже датчика 8.

Сигнал с дагчнка 6 подается на блок измерения, где производится термокомпенсация известны м путем.

346649

Предмет изобретения

Состави гель В. Зверев

Текред T. Курилко

Корректор А. Васильева

Редактор Н. Коляда

Заказ 2547 1б Изд. № 1099 Тираж 40б Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений н открытий при Совете Министров СССР

Москва, Я(-35, Раушская паб., д. 4 5

Типография, пр. Сапунова, При достижении исследуемой жидкостью верхнего датчика уровня производится включение рефрактометрического датчика 5, сигнал с которого также поступает на измерительный блок.

Скомпенсированный по температуре сигнал с измерительного блока поступает на преобразователь напряжение — частота и дальше на цифровой индикатор.

Таким образом предложенное устройство повышает экспрессность измерений.

Устройство для рефрактометрических измерений, содержащее пробоотборное устройство, аналитическую ячейку с термодатчиком и измерительную систему, отличающееся тем, что, с целью повышения экспрессности измерений, аналитическая ячейка снабжена датчиком уровня, установленным в зоне начального заполнения ячейки исследуемой жидкостью, выход которого подключен к блоку измерения и к блоку питания термодатчика.

Патент ссср 346649 Патент ссср 346649 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к технике оптико-физических измерений, а именно к способам и устройствам для определения показателя преломления окружающей среды, находящейся в жидкой или газовой фазе, по изменению характеристик поверхностных электромагнитных волн (ПЭВ)

Изобретение относится к технике оптико-физических измерений, а именно к способам определения оптических параметров (показателя преломления, показателя поглощения и толщины) проводящих образцов по значениям характеристик поверхностных электромагнитных волн (ПЭВ) и может быть использовано в металлооптике, при производстве металлодиэлектрических волноведущих структур, металлических зеркал и подложек, а также в других областях науки и техники

Изобретение относится к аналитическому приборостроению, в частности к способам осуществления массообменных процессов с применением оптоволоконных химических датчиков

Изобретение относится к области технической физики, а точнее, к рефрактометрическим приборам, предназначенным для измерения показателя преломления и других связанных с ним параметров твердых и жидких сред

Изобретение относится к области передачи и получения информации посредством поверхностных электромагнитных волн (ПЭВ) терагерцового (ТГц) диапазона (частота от 0,1 до 10 ТГц) и может найти применение в спектроскопии поверхности твердого тела, в электронно-оптических устройствах передачи и обработки информации, в инфракрасной (ИК) технике

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к, микроэлектронным датчикам - химическим и биосенсорам, предназначенным для одновременных акустических на поверхностно-акустических волнах (ПАВ) и оптических исследований физико-химических и (или) медико-биологических свойств тонких порядка 0.1 мкм (100 нм) и менее нанопленок

Изобретение относится к спектрофотометрии и может быть использовано для исследования пространственного распределения комплексного показателя преломления по поверхности сильно поглощающих материалов

Изобретение относится к модуляционным способам спектральных измерений, в частности оптических постоянных, и предназначено для определения параметров поверхности и слоев тонких пленок, например, полупроводниковых гетероструктур
Наверх