Патент ссср 352335

Авторы патента:


 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Сотоэ Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства ¹

Заявлено 14.Х11.1970 (№ 1498814/26-25) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 211Х.1972. Бюллетень № 28

Дата опубликования описания 6.Х.1972

М, Кл. Н 01j 9/38

Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров

СССР

УДК 621.3.032.94 (088.8) Автор изобретения

Ю. С. Спиридонов

Заявитель

СПОСОБ ОЧИСТКИ ЭЛЕКТРОВАКУУМНОГО ПРИБОРА

В ПРОЦЕССЕ ОТКАЧКИ

Изобретение относится к технологии изготовления электровакуумных и газоразрядных приборов, в частности к способам их очистки в процессе откачки.

Известен способ очистки электровакуумных и газоразрядных приборов путем ионной бомбардировки внутриламповых деталей в газовом разряде, состоящий в том, что в приборах в процессе откачки возбуждают электрический тлеющий разряд.

Недостатком известного способа является ограниченность воздействия ультразвуковой энергии на внутриламповую арматуру, например на анод, сетки, слюду, так как площадь их соприкосновения с оболочкой прибора мала.

Целью изобретения является повышение качества очистки внутриламповых поверхностей электровакуумных и других приборов в процессе их откачки.

Цель достигается тем, что прибор помещают в высокочастотное поле в диапазоне

50 кгт1 — 100 Мгт1, модулированное по амплитуде или частоте таким образом, что в плазме разряда возбуждаются ультразвуковые колебания. При амплитудной модуляции поля, питающего газоразрядную плазму, сама плазма является источником ультразвуковых волн, частота которых равна модулирующей частоте.

Поскольку ультразвуковые волны существуют как в самой плазме, так и за ее пределами, то можно удалить адсорбпрованные слои и с тех участков внутрнламповой поверхности, которые не соприкасаются с плазмой, т. е. не подвергаются электронной плп ионной бомбардировке.

Смонтированные электровакуумные приборы присоединяют к вакуумной системе и начинают эвакуацшо из Hilx воздуха плп другого газа, которым прибор был наполнен. Затем в

10 интервале давлений 100 — 10- Tof)p, определяемом конструкцией прибора, в нем возбуждается высокочастотный электрический разряд, например, путем помещения электровакуумного прибора между пластинами конденсатора, 15 подключенного к источнику высокочастотной энергии. Путем амплитудной модуляции высокочастотного поля, питающего разряд, в плазме создаются интенсивные ультразвуковые олебания. В реальных условиях напряженность

20 высокочастотного электрического поля в зависимости от конструкции обрабатываемых приборов составляет от нескольких десятков до нескольких сотен вольт на сантиметр. Несущая частота может быть равна от нескольких

25 десятков кплогерц до десятков мегагерц. Более высокие частоты применять нецелесоооразно, так как резко возрастают потери, связанные с рассеянием энергии. Частота модуляции, определяющая частоту возникающих

30 в плазме ультразвуковых волн, может менять

Патент ссср 352335 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к электротехнической промышленности, преимущественно к производству источников света

 // 400926
Изобретение относится к электронной технике, в частности, к технологии изготовления электровакуумных приборов с оксидным термоэмиссионным катодом

Изобретение относится к вакуумной технике и может быть использовано в процессах изготовления электронных приборов, преимущественно газонаполненных ламп (Л)
Наверх