Элемент интегральной микросхемы

Авторы патента:

H01L29 - Полупроводниковые приборы для выпрямления, усиления, генерирования или переключения, а также конденсаторы или резисторы, содержащие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, например имеющие обедненный слой с электронно-дырочным переходом или слой с повышенной концентрацией носителей; конструктивные элементы полупроводниковых подложек или электродов для них (H01L 31/00-H01L 47/00,H01L 51/00 имеют преимущество; способы и устройства для изготовления или обработки приборов или их частей H01L 21/00; конструктивные элементы иные чем полупроводниковые приборы или электроды для них H01L 23/00; приборы, состоящие из нескольких компонентов на твердом теле, сформированные на одной общей подложке или внутри нее, H01L 27/00; резисторы

6.)-:::". ОП КСАН ИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

354768

Сак)з Саеетских

Социалистических

Респтблик

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Зависимое от авт. свидетельства №

М. Кл. Н 01l 9/00

Заявлено 31.Ч.1971 (№ 1661167/26-9) с присоединением заявки №вЂ”

Приоритет

Комитет по делом изобретений и открытий при Спеете Министрае

СССР

УДК 621 382 232(088 8) Опубликовано 25.Х111972. Бюллетень М 4 за 1973

Дата опубликования описания 16.II.1973

Автор изобретения

И. Я. Ходак

Заявитель

ЭЛЕМЕНТ ИНТЕГРАЛЬНОЙ МИКРОСХЕМЫ

2 электриком, боковая поверхность которого значительно чище, чем поверхность подложки.

Применение подслоя диэлектрика под электродами и связанное с ним уменьшение тока

5 утечки позволяет увеличить стабильность, надежность и длительность работы, а также повторяемость параметров тонкопленочных планарных элементов. В качестве материала подслоя должны использоваться хорошие диэлек10 трики, например SiO.

Элемент интегральной микросхемы, напри15 мер планарный диод, состоящий из диэлектрической подложки, электродов и активного материала, отличающийся тем, что, с целью уменьшения тока утечки, увеличения стабильности, под электродами по их форме располо20 жен подслой диэлектрика.

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано на предприятиях, изготавливающих тонкопленочные элементы и схемы.

Цель изобретения вЂ” уменьшение тока утечки и увеличение стабильности устройства.

Достигается это тем, что под электродами по их форме расположен подслой диэлектрика.

На чертеже представлен элемент интегральной микросхемы.

Устройство состоит из подложки 1, электродов 2, активного материала 8 и подслоя из диэлектрикака 4.

Применение подслоя диэлектрика под электродами, протравленного по форме электродов, увеличивает длину пути поверхностного паразитного тока на удвоенную толщину подслоя диэлектрика АВ. Кроме того, в предлагаемой конструкции используется более чистый контакт между полупроводником и диПредмет изобретения

354768

Редактор Л. Мазуронок

Заказ 252/14 Изд. ¹ 1085 Тираж 404 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, OK-35, Раушская наб., д. 4!5

Типография, пр. Сапунова, 2

Составитель А. Туляков

Техред Л, Богданова

Корректоры: Л. Царькова и 3. Тарасова

Похожие патенты:

Симметричный тиристор // 349356

Активный элемент электронных схем // 349044

Патент 347838 // 347838

Патент 341377 // 341377

Полупроводниковый индуктивный элемент // 339248

Патент 334917 // 334917

Германиевый р—п—р планарно-эпитаксиальныйтранзистор // 333877

Активный элемент электронных схем // 296179

Полупроводниковый кристаллический материал // 293395

Канальный транзистор с изолированными затворами // 292328

Полевой транзистор с p-n переходом и способ его изготовления // 2102818

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к вертикальным полевым транзисторам с р-n переходом

Варактор // 2102819

Изобретение относится к области полупроводниковых приборов, а именно к варакторам (варикапам) полупроводниковым приборам, реактивностью которых можно управлять с помощью напряжения

Полупроводниковый прибор с барьером шоттки // 2105385

Изобретение относится к полупроводниковой электронике, в частности к приборам с барьером Шоттки (БШ) на фосфиде индия (InP)

Туннельный прибор // 2105386

Изобретение относится к туннельным приборам, а именно к функциональным элементам наноэлектроники и вычислительной техники, и может быть использовано для приборного и схемотехнического применения нанотехнологии, например для построения одноэлектронных логических схем, создания схем одноэлектронной памяти, работающих при комнатной температуре

Способ изготовления туннельного прибора // 2106041

Изобретение относится к способам изготовления функциональных элементов наноэлектроники и вычислительной техники и может быть использовано для изготовления одноэлектронных логических схем, схем одноэлектронной памяти, работающих при комнатной температуре

Симметричный тиристор // 2106720

Изобретение относится к полупроводниковым приборам, а именно к симметричным тиристорам, представляющим собой интегральный прибор, состоящий из двух встречно-параллельно включенных тиристоров с общим управляющим электродом, и может быть использовано при создании новых типов симметричных тиристоров

Двухзатворная мдп-структура с вертикальным каналом // 2106721

Изобретение относится к полупроводниковой микроэлектронике и наноэлектронике и может быть использовано при создании интегральных схем с элементами субмикронных и нанометровых размеров, особенно в тех случаях, когда требуется обеспечить высокую плотность элементов

Биполярный транзистор интегральной схемы // 2108640

Вертикальный мдп-транзистор интегральной схемы // 2108641

Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано для создания интегральных схем (ИС) большой степени интеграции

Полупроводниковая кремниевая структура // 2110117