Патент ссср 356789

Авторы патента:

H03K19/088 - транзисторные логические схемы с транзисторными связями

356789

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства №

Заявлено 15.V.1970 (№ 1438791126-9) М. Кл. Н 03k 19/08 с присоединением заявок №№ 1438792/26-9, 1438793/26-9, 1438794/26-9

Приоритет

Комитет по делам изобретений и открытий при Совете ллинистрав

СССР

УДК 621.374 (088.8) Опубликовано 23.Х.1972. Бюллетень № 32

Дата опубликования описания 15.ХП.1972

Автор изобретения

С. А. Бирюков

Заявитель

ИНВЕРТОР

Изобретение относится к области импульс- вертор с использованием транзистора протиной техники, в частности к инверторам, и мо- воположного типа проводимости. жет быть использовано в вычислительных Выход входной логической уепи" 1 (фиг. 1) машинах, построенных на интегральных,схе-.: подключен через несколько смещающих диомах. 5 дов 2 к базе инвертир ющега.-.транзистора 8, Известны инверторы, содержащие входную к коллектору которого прдключен резистор 4 логическую цепь и выходной инвертирующий и затвор полевого транзистора 5, сток потранзистор со смещающими диодами в цепи следнего подключен - к. базе транзистора 8, базы. исток вЂ” к выходу логической цепи 1.

Однако известные инверторы обладают низ- 10 Вывод б является::.-выходом инвертора, на кой помехоустойчивостью к импульсным по- выводы 7 и 8 подаемся питание. мехам. Инвертор работает следующим обр азом.

С целью повышения помехогустойчивости В исход М состоянии на входы логичепредлагаемый инвертор содфржитт дополни- ской цепи 1 „иодан низкий потенциал, диоды тельный полевой транзистор, включенный па- 15 2, транзисторы 8 и 5 заперты, на выводе 6вЂ” раллельно смещающим диодам, а затвор по- высокий иотенциал. При повышении входного левого транзистора соединен с коллектором наттряжфия до напряжения порядка 1,8 в выходного инвертирующего транзистор а. : ди6ды 2 и транзистор 8 отпираются, напряКроме того, вместо полевого транзистора жение на выводе б снижается. При снижении может быть включен транзистор противопо- 20 .найряжения на выходе до порога отпирания ложного типа проводимости по отношению к транзистора 5 последний отпирается, вознивыходному инвертирующему транзистору, кает лавинообразный процесс включения включенный параллельно смещающим дио- транзисторов, транзистор 8 насыщается. При дам, причем база этого транзистора соедине- уменьшении входного напряжения транзистона с коллектором выходного инвертирующего 25 ры 8 и 5 выходят из включенного состояния транзистора. лишь при входном напряжении порядка 0,7вЂ”

На фиг, 1 приведена принципиальная схе- 0,8 в. ма предлагаемого инвертора с использова- Инвертор (фиг. 2), содержащий транзинием полевого транзистора; на фиг. 2 вЂ” ин- стор 9 противоположного типа проводимости

356789

Предмет изобретения

Составитель Н. Герасимова

Техред Е. Борисова

Редактор Т. Морозова

Корректоры: В. Петрова н Е. Давыдкина

Заказ 3952/14 Изд. № 1591 Тираж 406 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Типография, п р. Сапунова, 2 по отношению к выходному транзистору 8, работает аналогичным образом.

1. Инвертор, содержащий входную логическую цепь, выходной инвертирующий транзистор со смещающими диодами в цепи базы, отличающийся тем, что, с целью повышения помехоустойчивости, он содержит дополнительный полевой транзистор, включенный параллельно смещающим диодам, а затвор полевого транзистора соединен с коллектором выходного инвертирующего транзистор а.

2. Инвертор по п. 1, отличающийся тем, что он содержит дополнительный транзистор противоположного типа проводимости по отношению к выходному инвертирующему транзистору, включенный параллельно смещающим диодам, причем база дополнительного

lO транзистора соединена с коллектором выходного инвертирующего транзистора.