Транзисторно-транзисторный элемент «и —не»
ВМИйОзная 1в <>®< "-Ой%
4144497®ga h1g
499382
Союз Советских
:Социалистимеских
Республик
ИЗОБРЕТЕН ИЯ
К АВТОРСКОМУ СВКДЕТЕЛЬСТВУ
;-Зависимое от авт. свидетельства №вЂ”
Заявлено 08.Ч!.1972 (№ 1792947/26-9) с присоединением заявки №вЂ”
Приоритст—
О!! .б!ликовано ЗО.Х1.1973. Ьк>ллстснь ¹ 48
М,Кл. H 03k 19/08
:Государствеииый комите1
Совета Иииистров СССР оо делам изобретений и открытий
УДК 681.325.65 (088.8) IaT;I опуб;пп;ования опис!!i ьч 2б.!Х.7-1
Лвторы изобретения В. М. Барбасов, Е. Н. Белов, С. Н. Неустроев и А. К. Соловьев
Заявитель
ТРАНЗИСТОРНО-ТРАНЗИСТОРНЫИ ЭЛЕМЕНТ «И — НЕ»
Изобретение относится к элементам цифроВых вычиститсльных машин.
Известны транзисторно - транзисторные элементы «Il — HE», содержащие входной мпогоэмитторныи транзистор, коллектор которого соединен с базой промежуточного транзистора и эмиттером дополнительного Tрянзистоpa, подключенного базой к эх!!ITTopv промежуточного транзистора, я коллектором к общей шине через резистор и к базе Выходного пнвертиру!ощего транзистора с пагрузочным транзистором В цспп коллектора, соединении!м базой с коллектором усиг!!!тсг!ьного транзистора.
Целью изобретения является у;ICI! I n!cIII!c потребляемой мощности и увелпчен:tc ièãðó30 IIIoII спосооности vcTI)oi! тва.
1ля этого в предлагаемом транзисторнотранзисторном элсмснтс «И -- Н!Е» коллектор и база усилительного транзистора через резисторы соединены соответствсино с коллекторами промс>куточного I дополнительного трапЗПСТОРОВ.
Иа чертеже представлен»li>I!iiципияльная схема предлагаемого транзисторна-транз;!сторного элемента «И вЂ” -ИЕ».
Коллектор входного многоэмиттерпого тра;!зистора . 1 соединен с базой промежуточного транзистора 2 и эмиттером дополнительного транзистора 8 каскада 4. Эмиттер транзистора 2 соединен с базой транзистора 3. Коллекторы транзисторов 2 и 8 каскада 4 через резисторы 5 и 6 сосд:ше:!ы соответственно с кол.
;IcI;ToI>oiI;i базой транзистора 7 силитсльного к;!:êадя 8. Коллектор транзистора 8 соединен с базой пнвертнру!ощсго транзистора 9
Выходного каскада 10 и через резистор 11 с оощсй шиной. Коллектор транзистора 7 усилительного каскада 8 соединен с базой нагрузоч;!ого трянзн тора 12 выходного каскада JO.
Кос!г!скторы транзисторов 2 и 12 через резисторы 18 и 14 сосди !сны соответственно с пшВОй Н !ТЗНЦЯ
1 1 j! l l поде!1lc не! Вход Входного ъ! ногоэми f1: —, Tc;I !Ого трянз !старя 1 гысокого напряжения ток,;;!!;! вяеп,!й резистором 15, псрекл>очя-! тс5! В б>! "v Tj>IIII3!IcTopcl 2 кяс! а III - г, которы!! Открывяетс l .! насыщается. 11ри эTo i!я!!рг1жcпис В коллекто!>е тра!! " исторя 2 падает, а падение напряжен:!!!»а резисторе 11 |возрастает. Это приводит к запиранию транзистора 12 выходного каскада 10 и отпиранню транз!!стора 7 усилительного каскада 8 и инвертирующего 5 раих!ICTOD 9 C O l CM ICIIHI lil ЭМИТТСроiг!. HBпряже гис на выходе 16 устройства уменьшается до значения напря>кения насыщения !ежду ко:!лектороь! и эъ!иттером Открытого транзистора. Toi-. через резистор 18 ответвля30 стг!! в коллектор транзистора 2 и 1!срез рези409382
Предмет изобретен>ия
Составитель Н. Дубровская
Тскрсд 3, Таранеико
Коррск > ор Л, Царькова
Рс::иктор Е. Караулова
П,>попса >с
1!ва. ¹ I! !1 Т р;;, 708
ЦИИИПИ Государство>шого ком.пота Совета М>пшстров СССР
llo ислам и»обре>опий и открытий
Москва, 7К-Зо, Раушская иаб., д. 4>о
? екав 1806
Обл. тип. Костромского управпс»ии»вдатсльств, потиграфип и кпигкиой торговли
3 стор 5 в коллектор транзистора 7. Ток коллектора транзистора 7 определяется величиной напряжения на коллекторе транзистора 2 н величиной резистора 5. Включающие базовые токи транзистора 7 и инввртирующего транзистора 9 определяются током коллектора транзистора 8 каскада 4 и соотношением сопротивлений R>;+ r7 и гв (где r7 и r9 — входные сопротивления насыщенных транзисторов 7 и 9 соответственно). При увеличении коллекторного тока насыщенного инвертнрующего транзистора 9 его входное сопротивление уменьшается. Однако благодаря резистору б в цепи базы транзистора 7 усилительного каскада Ь перераспределение включающих токов уме;:ьшается, что увеличивает нагрузочну!о способность устройства.
При подаче на вход входного многоэ>миттерного транзисто>ра,1 низкого напряжения ток, задаваемый резистором 15, переключается» эмиттер этого транзистора. При этом транзистор 2 каскада 4 быстро выходит из насыщения (эмиттерное рассасывание), и напряжение
Iа его колле>кторе повышается. Транзистор > каскада 4 за с !ет большого накопле!шого избыточного заряда в >инвер0Hом вкл>о>че.гин оказывается в насыщенном состоянии. Благодаря этому создается низкоомная цепь для выключающих токов транзисторов 7 и 9, которые запираются, а транзистор 12,открывается. Напряжение на выходе 1б растет до уровня логич с ской еди и и цы.
Таким образом, подключение резистора 5 к коллектору транзистора 2 и включение резистора 6 в цепь базы транзистора 7 позволяет уменьшить потребляемую мощность и увеличить нагрузочную способность схемы.
Транзисторно-транзисторный элемент «И—
НЕ» может быть сделан в интегральном исполнении и использован при построении устройств с повышенной помехозащищенностью и высокой нагрузочной способностью в вычислительной, измерительной, импульсной и других областях техники.
Транзисторно-транзисторный элемент «И—
НЕ», содержащий входной многоэмиттерный транзистор, коллектор которого соединен с базой промежуточного транзистора и эмиттером р0 дополнительного транзистора, подключенного базой к эмиттеру промежуточного транзистора, а коллектором к общей шине через резистор и к базе выходного инвертирующего транзистора с нагрузочным транзистором в
2в цепи коллектора, соединенным базой с коллектором усилительного транзистора, от.гичаюи ийся тем, что, с целью уменья>ения потребляемой мощности н увеличения нагрузочной способности, в нем коллектор и база успли30 тельного транзистора через резисторы соединены соответственно с коллекторами промежуточного я дополнительного транзисторов.
