Логический элемент «и—не>&:

 

ОП ИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства №вЂ”

Заявлено 05.Ч1I.1971 (№ 1676152/26-9) с присоединением заявки №вЂ”

Приоритет—

Опубликовано ОЗ,XII.1972. Бюллетень ¹ 35

Дата опубликования описания 19.XI I.1972

М.Кл. H 03k ll9 08

Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров

СССР

УДК 621.374(088.8) Авторы изобретения

Ю. Е. Наумов, И. Ф. Пучков и Ю. Г. Щебаров

Заявитель

Московский ордена Ленина авиационный институт им. Серго

Орджоникидзе

ЛОГИЧЕСКИЙ ЭЛЕМЕНТ «И — НЕ»

Изобретение относится к,области циф)ро вой техники.

Известен логический элемент «И — HE», содержащий вход ной,многоэм)иттерный транзистор, соединенный коллектором с эгмиттером дополнительного транзистора другого типа проводимости,и и нверто)р.

Недостатком такого элемента является изменение его входных пороговых напряжений с изменением темпе)ратуры.

Целью изобретения является увеличение тармостабильности элемента. Это достигается тем, что дополнительный транзистор соединен коллекто)ром со входом инвертора, а базой с выходом резистивного делителя,,который через последовательно соеди)пенные диоды подключен к шине источника )питания.

На чертеже приведена электрическая схема логического элемента «И вЂ” HE».

Элемент состоит из логической части 1, выполняющей функцию И, собранной н)а м)нo) оэмиттерном транзисторе 2 и )резисторе 8; сложного инвертора 4, т)ра нзисто ра 5,противоположного типа проводимости (p — и — p); делителя на резисторах 6 и 7, кото)рый через несколько диодов 8 подключен .к источнику питания, и резистор а 9, обеспечивающего цепь To)KB у)течхи.

Схема )работает следующим образом.

Когда хотя бы на одном,из вхо)дов имеется

2 низкий уровень напряжения (логический «О»), транзистор 2.находится в насыщении и потенциал коллектора выше потен)циала эмитте ра на величину напряжения насыщения тран)зис5 тора. Делителем нап)ряжения, состоящим из резисторов 6 и 7, потенциал базы транзистора 5 выбир ается таким, чтобы его эмиттер)ный переход был смещен в обратном направлении.

В этом режи)ме транзистор 5)находится в отсечке

1р и ко входу инвертора 4 л)риложен низкий уровень напряжения. На выходе,инвертора 4 .обеспечивается высокий уровень на1пряжения (логическая «1»), Если на всех входах схемы повышать на15 пряжение, то пропорционально повышается на)пряжение,на коллекторе транзистора 2 и на эмиттере транзистора 5. При некоторой его,величине (порог выключения) транзистор 5 начинаст открываться и в его коллекторной цепи потечет ток, который iB некоторый момент обеспечивает падение напряжения .на,резисторе 9, необходимое для )полного открывания инверто:ра 4 (порог включения). На выходе инве)ртора устанавливается низкий уровень напряжения (логическнй «О») .

Зависимость порогов включения .и выключения от температуры в основном определяется зависимостью:напряжений IHB .переходах т ранвиоторов 2 и 5 и,диодах 8. Меняя количесTBO зр диодов 8 и отношение)резисторов 6 и 7, можно

G(I

Составитель Л. Дарьина

Техред 3. Тараненко

РедакторТ. Юрчикова

Корректор Т. Гревцова

Заказ № 5612 Изд. № 1773 Тираж 40б Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Загорская типография

3 управлять нащравлением температу1рной завиcHIM0cTH поротовых напряжений и ее вел1гчиной.

Предмет изобретения

Логический элемент «И — НЕ», содержащий входной многоэмиттерный транзистор, соединенный,коллекторои с эмиттерам до пол нитель ного транзистора другото типа пров одимости, инвертор, отличающий ся тем, что, с целью увеличения термостабильности,:в нем дополнительный транзистор соединен коллектором со вхОдом .онвертора, а базой с выходом резистивного делителя, который через последоваиельно соединенные диоды подключен к шине источни|ка питания.