Способ удаления неосвещенных участков экспонированного фотополимерного слоя

 

357545

ОП ИСАНИ-Е

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Cows Соввтокив

Социвлиотичоркив рвопуЬлик

Зависимое от авт, свидетельства №

Заявлено 16.Ч!11970 (№ 1462495/23-4) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 31.Х.1972. Бюллетень № 33

Дата опубликования описания 2.11.1973

М. Кл. G 03с 5/24

Номитвт оо делам изобретений и открытий ори Совотв Министров

СССР

УДК 77.023.415.74 (088.8) g

В. С. Бедова, В. И. Глембоцкий, Э. Т. Лазаренко, Л. П. Нов

Л. П.О

Авторы изобретения меляиюк, О. Ф. Розум и E. Н. Чорна

Заявитель

Всесоюзный научно-исследовательский и проектный институт химической промышленности

СПОСОБ УДАЛЕНИЯ НЕОСВЕЩЕННЫХ УЧАСТКОВ

ЭКСПОНИРОВАННОГО ФОТОПОЛИМЕРНОГО СЛОЯ

Изобретение относится к технологии изготовления фотополимерных печатных форм высокой, типоофсетной, флексографической, трафаретной и глубокой печати и может быть использовано в полиграфической промышленности и других отраслях народного хозяйства.

Известен способ удаления неосвещенных участков экспонированного полимерного слоя на основе смешанных полиамидов вымыванием неосвещенных участков слоя спирто-водным раствором роданида аммония.

Однако известный раствор взаимодействует с ад гезуoBIHO-аротивоореольным подслоем,,вызывая неустойчивость, например, печатающих элементов, приводит к повышенному набухапию печатающих элементов в растворителе.

Цель изобретения — разработка такого способа удаления фотополимерного слоя, который бы обеспечил высокие репродукционно-графические и печатно-технические свойства фотополимерных печатных форм.

Эта цель достигается тем, что неэкспонированные участки фотополимерного слоя на основе смешанных полиамидов вымывают спиртовыми или спирто-водными растворами азотнокислого цинка. .Азотнокислый цинк вводят в спиртовые или спирто-водные растворы в количестве 5—

7 вес. ч.

Пример. Фогополимеризующуюся пластину изтото вляют из ком позиций следующего состава, вес. ч.:

Полиамидная смола (25%-ный раствор в 75%-ном этиловом спирте) 100

Акриловая кислота 45 — 60

Диметакрилатэтпленгликоль 20 — 30 Бензоин 0,5 — 1,5

Бензофенон 0,5 — 1,5

Метиленовый синий 0,01 — 0,15

Гидрохинон 0,01 — 0,015

В качестве полиами дной смолы .иопочьзуют

15 смешанные синтетические гетероцепные смолы (например, из Е-капролактама и АГ-соли, Г-капролактама, АГ-соли и СГ-соли в разлсччном соотношении полиамндообразующих смол типа 54,54/10,54,3 С-6 и других), а также их

20 метилолпромзводные (например, клей ПФЭ

2/10) и модификаты (например, клей МПФ-1).

Фотополимерную копию получают путем экспонирования фстополимеризующейся пластины под монтажом негативов ртутно-кварце25 ными лампами в пневматической копировальной раме с пленочным (полиэтиленовым) покрытием. Время экспонирования 10 — 20 мин.

Неосвещенные участки фотополимерной копии растворяют в струйных или роторных ма30 шинах, предназначенных для многопроцессно357545

Предмет изобретения

Составитель О. Зеленова

Текред А. Камышникова

Корректор О. Тюрина

Редактор Н. Белявская

Заказ 112!18 Изд. № 1689 Тираж 406 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2 го или однопроцессного травления магниевых или микроцинковых сплавов, в следующем растворителе:

Этиловый гидролизный спирт (9б о/о -ный) 100

Цинк азотнокислый 5 — 7

Скорость растворения неосвещенных участков фотополимернь1х копий зависит от вида полиамидной смолы, температуры раствора, типа машины для растворения и составляет

30 — 50 мкм, мик,при иопользо ва нии фото полимерной пластины из смолы С-6 и упомянутого

4 раствора, подогретого до температуры 30—

35 С.

Способ удаления неосвещенных участков экспонированного фотополимерного слоя на основе смешанных полиамидов вымыванием неосвещенных участков, отличающийся тем, 10 что, с целью обеспечения высоких репродукционных и печагнь х свойств фотополимерных печатных форм, ьымывание производят спиртовыми или cIIHpTO-водными растворами азотнокислого пинка.

Способ удаления неосвещенных участков экспонированного фотополимерного слоя Способ удаления неосвещенных участков экспонированного фотополимерного слоя 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к технике газофазной химической модификации приповерхностного слоя полимерных пленок, в частности фоторезистных, и может быть использовано на операциях контроля фотолитографических процессов, а также любых других пленок, прозрачных в видимой области спектра на отражающих подложках

Изобретение относится к контрольно-измерительной технике технологических процессов производства изделий микроэлектроники, в частности к контролю фотолитографических процессов с использованием газофазной химической модификации приповерхностного слоя пленок фоторезистов
Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов, в частности к способам удаления слоя фоторезиста с поверхности кремниевых подложек методом плазмохимического травления
Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов, в частности к удалению резистивной маски с поверхности кремниевых пластин после фотолитографических операций
Изобретение относится к способам допроявления фоторезистов и может быть использовано в области микроэлектроники интегральных пьезоэлектрических устройств на поверхностных акустических волнах (фильтры, линии задержки, резонаторы)

Изобретение относится к способу освещения, по меньшей мере, одной среды для быстрого прототипирования (СБП), в котором указанное освещение осуществляют, по меньшей мере, двумя одновременно индивидуально модулируемыми световыми пучками (ИМСП), проецируемыми на указанную среду для быстрого прототипирования (СБП), и в котором указанную среду для быстрого прототипирования освещают световыми пучками (ИМСП), имеющими, по меньшей мере, два различных содержания длин волн (СДВ1, СДВ2)
Изобретение относится к области микроэлектроники, в частности к микроэлектронике интегральных пьезоэлектрических устройств на поверхностных акустических волнах (фильтры, линии задержки и резонаторы), которые находят широкое применение в авионике и бортовых системах

Изобретение относится к микролитографии как одной из важнейших стадий технологии микроэлектроники и предназначено для формирования резистных масок
Наверх