Контактно-химический способ осаждения металлов

 

Применение контактно-химичес-

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕ(НИХ

РЕСПУБЛИК

„„SU„„367746

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

Н ABTOPCKCNVIV СВИДЕТЕЛЬСТВУ.(21) 1461506/22-01 (25) 1462557/22-1 (22) 21.08.70 (46) 07.04. 83. Бюл. М 13 (72) В.A. Плоских, Г.А. Китаев, T.Н. Златковская и Е.М. Чернышова (71) Уральский ордена Трудового Красного Знамени политехнический институт

Им. С.М. Кирова (53) 621.793.3(088.8) 3(Ц) С 25 D 5 54 С 23 С 3 00 (54) КОНТАКТНО-ХИМИЧЕСКИЙ СПОСОБ

ОСАЖДЕНИЯ МЕТАЛЛОВ. ,(57) Применение контактно-химического способа осаждения металлов при нанесении покрытия на поверхность диэлектрика.

367746

Редактор Н. Аристова Техред M.êóýüìà корректор H. Ватрушкина

Заказ 6580/3 Тираж 641 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП "Патент", r. Ужгород, ул. Проектная, 4. Изобретение относится к области нанесения покрытий.

Известен контактно-химический способ осаждения металлов на,металлическую подложку, сущность которого заключается в погружении подложки в раствор, содержащий ионй осаждаемого металла, в контакте с более электроотрицательным металлом, чем осаждаемый.

Предложен контактно-химический способ осаждения металлов для нанесения покрытий на поверхность диэлектриков, Пример 1. Медный валик располагают на поверхности обезжирен- 15 ной подложки из стеклотекстолита и погружают в раствор, содержащий азотнокислое серебро 1-100 г/л и

25%-ный аммиак 10-50 мл/л.

По истечении некоторого времени 20 на поверхности стеклотекстолита вокруг медного участка наблюдается образование пленки серебра, ширина которой растет во времени и через

5 мин достигает 5-8 мм. 25

Медный ваЛик перемещают равномерно по поверхности подложки со скоростью 0,5-5 мм/мин, что способствует осаждению на поверхности стеклотекстолита сплошной пленки серебра, прочно сцепленной с основой и обладающей достаточной электропроводностью.

Установлено, что при расположении медного валика над стеклотекстолитовой подложкой. фланговый рост пленки в 1,5-2 раза больше, чем при расположении медного валика под подложкой.

Толщину пленки серебра регулируют скоростью перемещения медного валика 40 на поверхности стеклотекстолитовой подл ож к и .

Пример 2. Металлиэация сквозных отверстий печатной платы с комби нирован ной поверхностью диэлектри кмет алл .

Поверхность отверстий обеэжиривают одним иэ известных способов, затем активируют диэлектрической составляю.щей. При активации используют кон .тактно-химический способ осаждения палладия, который осуществляют путем погружения комбинированной поверхности металл-диэлектрик на 10-30 мин в раствор, содержащий палладий хлористый 1 г/л и кислоту соляную (уд. в. 1,19) 5 мл/л.

Затем плату промывают, удаляют лаковую изоляцию, сушат, декапируют в растворе соляной или серной кислоты и завешивают в гальваническую ванну меднения с раствором, содержащим, г/л:

- Медь сернокислая 120

Этилендиамин 60

Натрий сернокислый 60

Аммоний сернокислый 60

Процесс гальванического меднения проводят при рН 6-7,5 и катодной плотности тока 1,5-2,5 A/äì .

Полученное медное покрытие обладает высокой адгезией к основе и отвечает всем требованиям, предъявляемым к коммутационным элементам печатных плат.

Применение контактно-химического способа осаждения палладия на диэлектрическую составлякшую поверхности отверстий позволяет исключить из технологической цепочки металлизации печатных плат операции сенсибилизации и химического меднения.