Устройство для управления яркостью электролюминесцентного элемента с двухградационной памятью

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОЬРЕтЕНИЯ

Союз Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства №

Заявлено 07.Х11.1970 (¹ 1498388/26-9) М. Кл. Н 031(13/00 с присоединением заявки №

Приоритет

Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров

СССР

УДК 621.317.755(088.8) Опубликовано 17.IV.1973. Бюллетень № 18

Дата опубликования описания 22.VI.1973

Авторы изобретения

И. Я. Браверман

Заявитель

УСТРОЙСТВО ДЛЯ УПРАВЛЕНИЯ ЯРКОСТЬЮ

ЭЛЕКТРОЛЮМИНЕСЦЕНТНОГО ЭЛЕМЕНТА

С ДВУХГРАДАЦИОН НОЙ ПАМЯТЬЮ

Устройство предназначено для управления яркостью электролюминесцентного индикатора.

Известно устройство для управления яркостью электролюминесцентного элемента с двухградациогсной памятью на основе элек= тролюминесцентного конденсатора и фоторезистора. Такое усгройство имеет малое быстродействие и значительно большую амплитуду, управляющего сигнала.

В целях устранения указанных недостатков в предлагаемом устройстве в цепь возбуждения электролюминесцентного элемента включен транзистор, коллектор которого соединен с электролюминесцентным элементом, эмиттер — с источником синусоидального напряжения, а база — с фоторезистором.

На фиг. 1 изображена принципиальная схема устройства; на фиг. 2 показана зависимость напряжения возбуждения электролюминофора от времени; на фиг. 3 — эквивалентная схема цепи заряда емкости электролюминесцентного элемента.

Устройство содержит электролюминесцентFIbIH элемент 1, транзистор 2, фоторезистор 8 и резистор 4.

В произвольный момент времени to (см. рис. 2) на схему подается напряжение У возбуждения электролюминофора синусоидальиой формы.

С момента tj (начало первой отрицательной полуволны напряжения U ) начин ается заряд емкости электролюминесцентного элемечта по цепи, состоящей из емкости 5 элек5 тролюминесцентного элемента, р — n перехода б база-коллектор транзистора и резистора 7 (см. фиг. 3). Так как постоянная времени этой цепи мала по сравнению с четвертью периода напряжения. U (Т=1 мсек), 10 сопротивление р — n перехода база-коллектор, включенного в прямом направлении, много меньше Лс=10 ком, то в момент 4 напряжение на емкости ра вно U„„„, í àïðÿæåuue ra коллекторе транзистора равно нулю.

Начиная с момента е, напряжение на коллекторе транзистора повышается и к моменту 3 достигает значения 2 U,„h, так как транзистор заперт и емкость С т, практически

20 не разряжается через большое обратное сопротивление p — n. перехода база-коллектор ф ср=10 мом). Вследствие того, что напряжение на электролюминофоре постоянно и равно 1/„„;„излучение света при запертом

25 траизис горе отсутствует.

Начиная с момента 1в или позже, иа схему подается постоянное напряжение Ес. Так как темновое сопротивление фоторезистора много больше Ro, то напряжение на базе транзи30 стора близко и нулевому и транзистор з»377965

Фиг 7

Фиг. 2

Фиг. 3

Составитель С. Лукинская

Техред А. Камышникова

Корректор Е. Михеева

Редактор Т. Юрчикова

Заказ 1716/13 Изд. № 1435 Тираж 780 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений н открытий при Совете Министров СССР

Москва, 7К-35, Раун)скан наб., д. 4!5

Типография, пр. Сапунова, 2 перт. Схема находится ь выключенном состоянии или состоянии «0».

При подаче запускающего положительного импульса н а базу транзистора транзистор открывается и разность потенциалов коллектор-эмиттер стремится к нулю. Все приложенное напряжение возбуждения подается на электролюминофор, который начинает излучать свет. Световое излучение электролюминофора, падая на фоторезистор, уменьшает его сопротивление, что вызывает повышение потенциала базы за счет источника постоянного напряжения Ев. Это пр иводит к дальнейшему отпиранию транзистора и увеличению интенсивности свечения электролюминофор а.

В конце переходного процесса транзистор полностью насыщается, схема переходит в состояние «1»,;в котором находится и по окончании запускающего импульса, Чтобы перевести схему в состояние «0», необходимо подать на базу транзистора, отрицательный импульс или временно отключить источник Еа. Длительность записывающего импульса или время выключения т„п-, определяется процессам и рекомбинации носителей в фоторезисторе и составляет при5 мерно 5 мсек для фоторезисторов, например, на основе CdS.

Предмет изобретения

Устройство для управления яркостью элек10 тролюминесцентного элемента с двухградационной памятью, содержащее фоторезистор, подключенный к источнику постоянного напряжения и оптически связанный с электролюминесцентным элементом, |источник сину15 соидального напряжения, отличающееся тем, что, с целью повышения быстродействия и уменьшения амплитуды управляющего сигнала, в цепь возбуждения электролюминесцентного элемента включен транзистор, кол20 лектор которого соединен с электролюминесцентным элементом, эмиттер — с источником синусоидального напряжения, а база.— с фоторезистором.