Способ управления параметрами устройств, использующих эффект ядерного эха

 

О П И С А Н И Е 378939

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства №

Заявлено 27.XII.1971 (№ 1731564/26-25) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 18.1Ч.1973. Бюллетень № 19

Дата опубликования описания 23ХП.1973

М. Кл. G Ilb 9. 00

Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров

СССР

УДК 659.21(088.8) М. П. Петров, В. Ф. Пашин и А. П. Паугурт з

Институт полупроводников АН СССР I;ä...." -, . .!, ;.

Авторы изобретения

Заявитель

СПОСОБ УПРАВЛЕНИЯ ПАРАМЕТРАМИ УСТРОЙСТВ, ИСПОЛЬЗУЮЩИХ ЭФФЕКТ ЯДЕРНОГО ЭХА

Изобретение представляет собой способ оперативного управления процессами стирания информации и восстановления готовности устройств, основанных на явлении ядерного эха и предназначенных для запоминания и обработки электрических сигналов.

Известные способы управления устройствами, использующими эффект ядерного спинового эха (линии задержки, фильтры, блоки сжатия частотно-модулированных сигналов), обладают относительно низким быстродействием, так как после обработки и запоминания одной информации требуется продолжительное время для восстановления готовности устройства к вводу следующей информации.

Восстановление готовности и стирание информации обусловлены процессами ядерной продольной и поперечной релаксации Т> и Т>.

Известный способ управления быстродействием устройств путем приложения к рабочему веществу импульсного магнитного поля предполагает изменение времени релаксации в 3 раза.

Цель изобретения — ускорение процессов стирания информации и повышение быстродействия устройств, в которых в качестве рабочего материала применяются магнитоупорядочные вещества.

Для этого предлагается способ использования явления электронного (ферромагнитного или антиферромагнитного) резонанса путеМ облучения рабочего вещества радио- или

СВЧ-импульсами (импульсы накачки). При этом используется новое явление, заключающееся в том, что если в образце, например в иттриевом феррите-гранате, возбудить с помощью нелинейного электронного резонанса параметрические спиновые волны в диапазоне

3 см, то происходит изменение времени ядер10 ной релаксации. Например, при превышении мощности накачки над порогом нестабильности спиновых волн н а 10 — 15 дб происходит ускорение Т2 для ядер Fe" в 1000 и более раз.

Это явление можно использовать для опера15 тивного стирания информации.

В тот момент, когда необходимо изменить скорость релаксации, на рабочее вещество подается импульс накачки. его величина должна быть достаточна для возбуждения в

20 рабочем материале нелинейного электронного резонанса. При этом возбуждаются параметрические спиновые волны, которые обеспечивают ускорение ядерной релаксации. Поскольку влияние нелинейного электронного

25 резонанса на скорость ядерной релаксации очень велико, то длительность импульса накачки может быть небольшой (порядка 1—

5 мксек), что позволяет достичь высокого быстродействия и эффективного стирания ип30 формации.

378930

Предмет изоб|ретени я

Составитель С. Каленков

Техред Т. Миронова

Редактор А. Батыгнн

Корректоры: Е. Давыдкина и А. Николаева

Заказ l980/10 Изд. № 497 Тираж 576 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, Ж-35, Раушская аб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2

Если требуется стереть полностью информацию, то импульс накачки подается после появления сигнала эха. Однако, если требуется частичное стирание информации или частичная запись, то импульс накачки подают в более ранний момент времени. Е1апример, если требуется записать не всю информацию, а только часть ее, импульс накачки следует подавать одновременно с информационными сигналами. Та информация, которая подана после включения импульса накачки, будет записана, а та, которая подана до импульса, — записана не будет.

Способ управления параметрами устройств, использующих эффект ядерного эха в магнитоупорядоченных веществах, отличаюи ийся тем, что, с целью повышения быстродействия и ускорения стирания информации, в том числе и выборочного стирания, магнитоупорядоченное вещество подвергают облу10 чению радио- или СВЧ-импульсами, возбуждающими в нем нелинейный электронный резонанс,

Способ управления параметрами устройств, использующих эффект ядерного эха Способ управления параметрами устройств, использующих эффект ядерного эха 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к вычислительной цифровой технике, конкретно к конструкции ячейки памяти с вертикально расположенными друг над другом пересечениями

Изобретение относится к архитектуре памяти и, более конкретно, к способам и системам для ассоциативной памяти (САМ)

 // 402944
Наверх