Высокочастотный конденсаторный керамический материал

 

395341

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистимеских

Республик

Зависимое от авт. свидетельства ¹â€”. г1. Кл, С 04Ь 35 00

Н 01g 3 09

Заявлено 29.Х!.1971 (№ 1718310/26-9) с присоединением заявки №вЂ”

Приоритет—

Опубликовано 28 VIII.1973. Бюллетень № 35

Государственный комитет

Совета Мнннстроа СССР ао делам нзооретеннй и открытнй

УД1 621.319.4:666.638 (088.8) Дата опублпкования описа!гня 29Л1.1973

Авторы изобретения

К, Е. Лискер, А. А. Иманова. М. И. Нейман, С. Г. Туманов и Л. А. Внзер

Заявитель

ВЫСОКОЧАСТОТНЫЙ КОНДЕНСАТОРНЫЙ

КЕРАМИЧЕСКИЙ МАТЕРИАЛ

80 — 84

16 — 20, стекло со60 — 70

10 — 30

5 — 10

Изобретение относится к технологии производства радиоаппаратуры и может быть использовано при изготовлении конденсаторов.

Известный высокочастотньш конденсатор.ны!!,керазияес кий материал обладает недостаточно высокой диэлектрической проницаемостью; кроме того, производство известного материала отличается высокой стоимостью.

Цель изобретения — увеличе!гие диэлектрической проницаемости II уменьшение стоимост!! производства материала.

Это достигается тем, что материал содержит исходные компоненты в следующем соотношении, вес. %:

Титанат кальция

Свинцово-oopocиликатное стекло причем свинцово-боросе!ллкатное держит, вес. %:

Окись свинца

Окись бора

Окись кремния

Известно, что подавляющее большинство легкоплавких дооавок известных керамических материалов, снижающих температуру спека ния, обладают небольшой величино!! д.;!электрической проницаев!Оспи и поэтому существенно уменьшают значение диэлектрической проницаемости конечных составов в соответствии с: звестными закономерностями в гетерогенных c:lñòåìàх.

Для сохранения неизменной кристаллической фазы при сннжегпп! температуры спекания известного керамического материала от

1400 С до 1150=С в его состав введен свинцоВо-oopocll.д!!катны!! ф lloc B 1 0.дичестве 16—

20%

Предлагаемый материал по сравнению с известным ооеспечивает более высокое значение д:!электр:!ческой проницаемости, ра вное 150 (средняя величина диэлектрической проницаемости известного материала разна 140). Кроме того, стоимость производства прсдл агаемого

Вь!Сокочастотного .QII3cklcBTopl1010 «ера !ического материала намного снижается по срав-!

,ен Ilo со стоимостью производства известного матепиада

Предлагаемый керамический материна пзготавлпBàþò по обычной, принятон в керамическом производстве технологии, посредством высокотемпературного синтеза твердой фазы в присутствии жидкой.

Испытания предлагаемого керамического материала на загoTQBI

Предмет изобретения

Составитель Е. Ковалева

Техред Е. Борисова

Редактор А, Башыгин

Корректор И. Стельмах

Заказ 687/2270 Изд. № 953 Тираж 575 Иода ген, ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

Москва, К 35, Раушскаи наб., д. 4/5

Тип. Харьк. фил. пред. <.Патент»

Высокочастотный конденсаторный керами ческий материал на основе титаната кальция

I! стекла, отличаюш,ийся тем, что, с целью увели чения диэлектрической проницаемости и уменьшения стоимости его производства, îI! содержит исходные компоненты в следую1цем соотношении, вес. %:

Титанат кальция 80 — 84

Свинцово-боросиликат ное стекло 16 — 20, 2. Материал по п. 1, от. ичn, OI!Ièéñÿ тем, что свинцово-борс или:татнОе с Гек. Iu содер K!II, вес %:

Окись свинца 60 — 70

Окись бора 10 — 30

Окись кремния Π— !О

Высокочастотный конденсаторный керамический материал Высокочастотный конденсаторный керамический материал 

 

Похожие патенты:
Изобретение относится к области радиофизики и может быть в частности использовано при изготовлении широкого класса электронных приборов и компонентов, в частности управляемых электрическим полем диэлектрических резонаторов и фильтров, управляемых конденсаторов, антенн, а также в ускорителях ядерных частиц

Изобретение относится к высокодисперсным щелочноземельным титанатам, к способу их получения путем обмена соединений щелочноземельного металла с частицами двуокиси титана

Изобретение относится к технологии производства керамических сегнетоэлектрических композитных материалов и может быть использовано в электронной промышленности при изготовлении широкого класса управляемых электрическим полем элементов и приборов электронной техники
Наверх