Патент ссср 396862

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

Союз Советских

Социалистических

Респубгик

К ПАТЕНТУ

Зависимый от патента ¹â€”

М. Кл. В 01 j 1 7/28

С 01 b 31 36

Заявлено 12.V.1971 (¹ 1658471/23-26) Приоритет 14Л .1970. Ле 7191/70, Швейцар:.!я

Гасударственный комитет

Совета Министров СССР аа делам изобретений и открытий

УДК 546.28 261 (088.8) Опубликовано 29.VI11.1973. БюллетI.III, Л2а 36

Дата опубликовз!Иля оп:!Сания 1.1.2!274

Авторы изобретения

Иностранцы

Эдуард Тальманн и Ганс-Рудольф Штауб (Швейцария) За!!в!!тель

Иностранная фирма

«Лонца АГ» (Швейцария) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ИГЛОВИДНЫХ МОНОКРИСТАЛЛОВ

КАРБИДА КРЕМНИЯ

ИЗВесте2! сиосоо по1учеиия иг10ВIIд!Iых моlI0KpIIсталлоВ карбида крех!Иия Выращиванием их из паро-газовой смеси на подложке, иа которую предварительно наносят слой вещества, сочейсгву20щего росту кристаллов.

Ве2цестВО, например железо, кистью наносят il;l пода!0>кку или его насыпают иа ИОВерхи ость и од 1 0 ж кн.

Цель изобретения — — достижен;!е Во время получения кр!!сталлов прочного крепления и подложке вешества. содействующего росту.

Для этого предлагается в наносимый слой дооавлять углерод и 1ак, Благодаря использованию лака и его ооуг.т!!Вани!0, .вещества, содей!Ст!Вующие росту кристаллов, находятся на подложке изолироВа!иными один от другого. Таким образом, В противоположность известны!м спасобам предотврагцается переход отдельных частиц друг и друга.

Этим достигают равномерный рост кристаллов. 1(роме того, предла!гаеа2ый способ обеспечивает равно!мерное раопределение концентрации вещества, содействующего росту !кристаллов, по всей, подложке. Вследствие включения веществ, содействующих росту кристаллов, в угольном слое до некоторой степени происходит армирование, что повышает продолжительность с!рока служоы,подложки, содержащей это содейс! Ву!02цсе росту крисг;!л 10!I Ве-! цеств о.

Пригодными Вентествами, содействующими росту кристаллов, являются металлы и/и1и атеталлические соединения также в сочетании друг с другом. Подобные Вещества, например железо, никель, марганец, хром. хлорид железа, сульфат железа, карбонат железа, окись железа, окись никеля, окись марганца. Пред20 почтительно пр,!меняют железо или соединения железа, например окись железа.

В качестве углерода целесообразно испо,и,зовать активный уголь.

Эти два компонента могут применяться в

1, любом соотнош::iilи, но предпочтительно использовать их в Весовом соотношении от 1:0,5 до 1:2.

В качестве лака можно огсгпользовать любой синтетический илн природный лак. Пригодны, го например, алкидный лак, поливинилацетатный .чак, нитролак, по.тиэфирный лак. масляный лак, цапоновый лак, смола.

Применяемое количест2во за!Ви си T от того, какова должна быть консистенция наносимого

2 слоя. Целесообразно лак добавлять в таком количестве, чтобы получилась оиасса, хорошо наносив!ая кистью.

Эту массу наносят на лодложку. При нагревании происходит обуглива ние лака и неорганические частицы заключаются в тонком

Патент ссср 396862 Патент ссср 396862 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых материалов, предназначено для получения нитевидных кристаллов (НК) с воспроизводимыми геометрическими параметрами

Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых соединений типа А3N и может быть использовано при изготовлении эпитаксиальных структур различного назначения

Патент ссср 396862

Наверх