Выращивание монокристаллов путем химических реакций реакционноспособных газов, например химическим осаждением из паровой фазы (C30B25)

Отслеживание патентов класса C30B25
C30B     Выращивание монокристаллов (с использованием сверхвысокого давления, например для образования алмазов B01J3/06); направленная кристаллизация эвтектик или направленное расслаивание эвтектоидов; очистка материалов зонной плавкой (зонная очистка металлов или сплавов C22B); получение гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой (литье металлов, литье других веществ теми же способами или с использованием тех же устройств B22D; обработка пластмасс B29; изменение физической структуры металлов или сплавов C21D,C22F); монокристаллы или гомогенный поликристаллический материал с определенной структурой; последующая обработка монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой (для изготовления полупроводниковых приборов или их частей H01L); (2110)
C30B25                 Выращивание монокристаллов путем химических реакций реакционноспособных газов, например химическим осаждением из паровой фазы(162)

Алмазное покрытие и способ его осаждения // 2660878
Изобретение относится к микрокристаллическому алмазному покрытию, предназначенному для трибологических областей применения в сфере микромеханики, а также в оптике.

Способ изготовления гетероэпитаксиального слоя кремния на диэлектрике // 2646070
Изобретение относится к полупроводниковой технике, а именно к области изготовления гетероэпитаксиальных слоев монокристаллического кремния различного типа проводимости и высокоомных слоев в производстве СВЧ-приборов, фото- и тензочувствительных элементов, различных интегральных схем с повышенной стойкостью к внешним дестабилизирующим факторам.

Режущие элементы бурового долота с закрепленными резцами, содержащие твердые режущие пластины, выполненные из синтетических алмазов, сформированных химическим осаждением из паровой фазы // 2638220
Группа изобретений относится к способам формирования монокристаллического режущего элемента для бурового долота с закрепленными резцами и к буровому долоту для бурения буровой скважины.

Способ получения легированных халькогенидов цинка // 2636091
Изобретение относится к ИК-оптике, а именно к созданию лазерных сред, и касается разработки способа получения легированных халькогенидов цинка для перестраиваемых твердотельных лазеров, используемых, в частности, в медицине и биологии.

Способ сращивания изделий из поликристаллических алмазов в свч-плазме // 2635612
Изобретение относится к способам получения монолитных соединений стержней из поликристаллических алмазов, предназначенных для использования в производстве приборов электроники, оптики, СВЧ-техники, в частности для изготовления диэлектрических опор в лампах бегущей волны (ЛБВ), использующих низкий коэффициент поглощения на частотах генерации.

Способ получения монокристаллов моноклинного диоксида гафния // 2631080
Изобретение относится к технологии получения монокристаллов диоксида гафния, которые могут быть использованы в качестве компонентов сцинтилляционных детекторов, лазеров, иммобилизаторов нуклеиновых кислот, биосенсоров, биодатчиков.

Способ изготовления эпитаксиального слоя кремния на диэлектрической подложке // 2618279
Изобретение относится к области формирования эпитаксиальных слоев кремния на изоляторе. Способ предназначен для изготовления эпитаксиальных слоев монокристаллического кремния n- и p-типа проводимости на диэлектрических подложках из материала с параметрами кристаллической решетки, близкими к параметрам кремния с помощью химической газофазной эпитаксии.

Полученные химическим осаждением из паровой фазы монокристаллические синтетические алмазные материалы, имеющие однородный цвет // 2595671
Изобретение относится к технологии производства цветных алмазов, которые могут быть использованы в оптике и для ювелирных целей.

Способ и устройство для изготовления обособленных кристаллов нитридов элементов iii группы // 2593868
Изобретение относится к технологии изготовления обособленных кристаллов нитридов элементов III группы для электронных и оптоэлектронных применений.

Способ осаждения монокристаллических сплавов на основе вольфрама // 2590568
Изобретение относится к технологии получения вольфрама, легированного ниобием или танталом, и может быть использовано в электровакуумном приборостроении, электронике.

Способ увеличения размеров алмазов // 2585634
Изобретение относится к области получения синтетических алмазов и может быть использовано в качестве детекторов ядерного излучения в счетчиках быстрых частиц, а также в ювелирном деле.

Способ получения поликристаллического кремния и реактор для получения поликристаллического кремния // 2581090
Изобретение относится к технологии получения поликристаллического кремния путем осаждения на кремниевой электродной проволоке методом Siemens.

Способ обработки монокристаллического cvd-алмаза и полученный продукт // 2580916
Изобретение относится к технологии обработки монокристаллического CVD-алмазного материала. Описан способ введения NV-центров в монокристаллический CVD-алмазный материал.

Способ получения монокристаллических алмазных эпитаксиальных пленок большой площади // 2577355
Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано при разработке технологии алмазных электронных приборов увеличенной площади.

Способ получения независимой подложки из нитрида iii группы // 2576435
Изобретение относится к производству независимых подложек из нитрида III группы для применения в области электроники и оптоэлетроники.
Текстурированная подложка для формирования эпитаксиальной пленки и способ ее изготовления // 2575286
Изобретение относится к текстурированной подложке для выращивания на ней эпитаксиальной пленки оксидного сверхпроводящего материала для использования в различных типах электросилового оборудования.

Монокристаллический, полученный хогф, синтетический алмазный материал // 2575205
Изобретение относится к технологии получения монокристаллического, полученного химическим осаждением из газовой фазы (ХОГФ), синтетического алмазного материала, который может быть использован в качестве квантовых датчиков, оптических фильтров, частей инструментов для механической обработки и исходного материала для формирования окрашенных драгоценных камней.
Способ получения массивов наноразмерных нитевидных кристаллов кремния с управляемой поверхностной плотностью // 2568217
Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых наноматериалов. Способ получения массивов наноразмерных нитевидных кристаллов кремния включает подготовку ростовой кремниевой подложки путем нанесения на ее поверхность нанодисперсных частиц катализатора конденсацией микрокапель коллоидного раствора и помещением подготовленной пластины в ростовую печь с последующим выращиванием нитевидных нанокристаллов, при этом на коллоидный раствор воздействуют ультразвуком, причем мощность ультразвукового генератора задают в пределах от 30 до 55 Вт, а температуру раствора поддерживают в интервале от 273 K до 370 K.

Способ производства монокристаллических алмазов белого цвета // 2558606
Изобретение относится к технологии получения алмазов для ювелирных целей. Способ включает помещение подложки, имеющей алмазное зерно с предварительно заданным размером и предварительно заданной оптической ориентацией, в камеру для осуществления химического парофазного осаждения (CVD), подачу в камеру водорода, углеводородного газа, содержащего углерод, газа, содержащего азот, и газа, содержащего диборан, оба из которых приспособлены для ускорения скорости роста алмаза на подложке, приложение электрического поля для образования плазмы близ подложки, приводя тем самым к поэтапному росту алмаза на подложке, завершение процесса CVD в камере, огранку и удаление нежелательного углерода из выращенного алмаза, очистку и огранку алмаза, отжигаемого при предварительно заданной температуре в течение заданного периода времени, проведение окончательной огранки алмаза, полировки и придания цвета.

Контролируемое легирование синтетического алмазного материала // 2555018
Изобретение относится к способу управления концентрацией и однородностью распределения легирующей примеси в синтетическом CVD-алмазном материале, используемом в электронных устройствах и датчиках.

Контролируемое образование дислокаций в монокристаллическом синтетическом алмазном материале // 2550197
Изобретение относится к производству монокристаллического алмазного материала химическим осаждением из газовой фазы (CVD), который используется в оптических, механических, люминесцентных и/или электронных устройствах.

Способ выращивания эпитаксиальных слоев полупроводниковых кристаллов нитридов третьей группы на слоистой кристаллической структуре // 2543215
Изобретение относится к технологии выращивания эпитаксиальных слоев полупроводниковых кристаллов нитридов третьей группы на слоистой кристаллической структуре с оптически ослабленной границей.

Способ выращивания эпитаксиальной пленки нитрида третьей группы на ростовой подложке // 2543212
Изобретение относится к области технологии получения твердых кристаллических материалов методом газофазной эпитаксии.

Способ получения легированного алмаза // 2537491
Изобретение относится к технологическим процессам получения легированных алмазов, которые могут быть использованы в электронике и приборостроении, а также в качестве ювелирного камня.

Способ синтеза монокристаллических селенидов железа // 2522591
Изобретение может быть использовано для лабораторного и промышленного получения монокристаллических материалов.

Монокристаллический алмазный материал // 2519104
Изобретение относится к технологии получения монокристаллического алмазного материала для электроники и ювелирного производства.

Устройство для осаждения атомного слоя и способ загрузки устройства для осаждения атомного слоя // 2518845
Изобретение относится к устройству для осаждения атомного слоя и к способу загрузки этого устройства. Устройство содержит реакторы ALD, каждый из которых выполнен с возможностью приема партии подложек для ALD-обработки и включает реакционную камеру с верхней загрузкой, систему крышек, подъемное устройство для подъема системы крышек для загрузки реакционной камеры, и загрузочный робот.

Синтетический cvd алмаз // 2516574
Изобретение относится к технологии производства синтетического алмазного материала, который может быть использован в электронных устройствах.

Способ и устройство для реакторов осаждения // 2502834
Изобретение относится к химической промышленности и предназначено для реакторов осаждения. Пары (101) прекурсора подаются через крышку реакционной камеры по подающей линии (141, 142) в реакционную камеру реактора осаждения (110).

Гетероструктуры sic/si и diamond/sic/si, а также способы их синтеза // 2499324
Изобретение относится к сфере производства гетероэпитаксиальных структур, которые могут быть использованы в технологии изготовления элементов полупроводниковой электроники, способных работать в условиях повышенных уровней радиации и высоких температур.

Аппарат для получения и способ получения поликристаллического кремния // 2495164
Изобретение относится к производству стержней поликристаллического кремния. Способ осуществляют в реакторе, содержащем донную плиту, образующую нижнюю часть реактора и колоколообразный вакуумный колпак, прикрепленный с возможностью снятия к донной плите, в котором на донной плите расположено множество газоподводящих отверстий для подачи сырьевого газа снизу вверх в реактор, и газовыводящих отверстий для выпуска отработанного газа после реакции, и в котором множество газоподводящих отверстий расположено концентрически по всей площади, охватывающей верхнюю поверхность донной плиты, в которой устанавливают множество кремниевых затравочных стержней, причем кремниевые затравочные стержни нагревают, и поликристаллический кремний осаждают из сырьевого газа на поверхностях кремниевых затравочных стержней, при этом прекращают подачу сырьевого газа из газоподводящих отверстий вблизи центра реактора в течение заданного времени, в то время как подают сырьевой газ из других газоподводящих отверстий на ранней стадии реакции, и обеспечивают путь для нисходящего газового потока после столкновения с потолком вакуумного колпака.
Подложка для выращивания эпитаксиальных слоев арсенида галлия // 2489533
Изобретение относится к электронной технике, а именно - к материалам для изготовления полупроводниковых приборов с использованием эпитаксиальных слоев арсенида галлия.

Способ получения пластины комбинированного поликристаллического и монокристаллического алмаза // 2489532
Изобретение относится к технологии химического осаждения из газовой фазы алмазных пленок и может быть использовано, например, для получения алмазных подложек, в которых монокристаллический и поликристаллический алмаз образует единую пластину, используемую в технологии создания электронных приборов на алмазе или применяемую в рентгеновских монохроматорах, где необходимо осуществить теплоотвод от монокристаллического алмаза.

Монокристалл нитрида, способ его изготовления и используемая в нем подложка // 2485221
Изобретение относится к способу изготовления высококачественных пластин нитрида галлия эпитаксиальным выращиванием с низкой плотностью дислокации на подложке и отделением от исходной подложки, а также к полупроводниковым пластинам, имеющим кристалл GaN.

Композиционный оптический материал и способ его получения // 2485220
Изобретение относится к оптико-механической промышленности, в частности к оптическим материалам, применяемым в устройствах и приборах инфракрасной техники, и может быть использовано для изготовления защитных входных люков (окон), обеспечивающих надежное функционирование приборов.

Способ получения поликристаллического кремния // 2475570
Изобретение относится к технологии получения стержней из поликристаллического кремния. .

Бесцветный монокристаллический алмаз и способ его получения // 2473720
Изобретение относится к технологии получения монокристаллического бесцветного алмаза химическим осаждением из паровой фазы (ХОПФ), который может быть использован для оптических и ювелирных применений.

Реактор для поликристаллического кремния и способ получения поликристаллического кремния // 2470098
Изобретение относится к технологии производства поликристаллического кремния. .

Способ получения наноструктурированных алмазных покрытий на изделиях из вольфрама // 2456387
Изобретение относится к технологии неорганических веществ и материалов. .

Реактор с подложкодержателем для получения слоев из газовой фазы при пониженном давлении // 2448205
Изобретение относится к оборудованию для получения слоев из газовой фазы при пониженном давлении (ХОГФПД) и может быть использовано при формировании и диэлектрических, полупроводниковых и проводящих слоев в производстве.

Способ формирования многослойных нанокристаллических пленок с гетерогенной границей раздела и устройство для формирования многослойных нанокристаллических пленок с гетерогенной границей раздела // 2436876
Изобретение относится к области материаловедения и может быть использовано в технологии изготовления металлических, полупроводниковых и диэлектрических материалов и приборов, в частности для нанесения многослойных нанокристаллических тонких пленок этих материалов химическим способом.

Способ формирования слоя поликристаллического кремния на стержневой основе // 2428525
Изобретение относится к хлорсилановой технологии получения поликристаллического кремния и может быть использовано в производстве полупроводниковых материалов и электронных приборов.

Слой бесцветного алмаза // 2415204
Изобретение относится к изготовлению слоя бесцветного алмаза (монокристаллического и поликристаллического) химическим осаждением из паровой фазы (ХОПФ-алмаза), который может быть использован, например, для оптических применений или в качестве драгоценных камней.

Способ выращивания слоя нитрида галлия и способ получения нитридного полупроводникового устройства // 2414549
Изобретение относится к технологии выращивания слоя нитрида галлия с использованием эпитаксии металлоорганических соединений из газовой фазы и получению нитридного полупроводникового устройства.

Способ выращивания кристаллов нитридов металлов iii группы // 2405867
Изобретение относится к изготовлению полупроводниковых приборов путем нанесения полупроводниковых материалов на подложку и может быть использовано в полупроводниковой промышленности.
Способ нанесения центров зародышеобразования алмазной фазы на подложку // 2403327
Изобретение относится к технологии нанесения пленок на подложки, конкретно - к предварительной обработке подложек (нанесению центров зародышеобразования) для последующего роста поликристаллических алмазных пленок, применяемых в ядерной технике, в мощных непрерывных технологических CO2-лазерах, в электрохимии.

Бесцветный монокристаллический алмаз, полученный химическим осаждением из газовой фазы при высокой скорости роста // 2398922
Изобретение относится к технологии получения бесцветного (то есть прозрачного для УФ-, видимого и ИК-излучения) монокристаллического алмаза с высокой скоростью роста.

Устройство для крепления стержней-подложек в реакторе выращивания поликристаллического кремния // 2398055
Изобретение относится к производству полупроводниковых материалов, в частности к получению поликристаллического кремния осаждением на нагретые стержни-подложки в процессе водородного восстановления кремния из хлорсиланов.

Cvd-реактор и способ синтеза гетероэпитаксиальных пленок карбида кремния на кремнии // 2394117
Изобретение относится к технологии производства гетероэпитаксиальных структур карбида кремния на кремнии, которые могут быть использованы в качестве подложек при изготовлении элементов полупроводниковой электроники, способных работать в условиях повышенных уровней радиации и высоких температур.
 
.
Наверх