Способ повышения проводимости медно-закисных выпрямителей

 

@-., 1

%41603

Класс 21g, 11

АВТОРСКОЕ СВИДЕТЕЛЬСТВО КА ИЗОБРЕТЕКИЕ

ОПИСАНИИ

Как известно, для улучшения контакта с пластинками купроксного выпрямителя или для повышения проводимости последнего, пластины его покрывают тонким слоем графита путем втирания мелкого порошка, Этот способ, широко практикующийся на производстве, несовершенен. Помимо того, что при нем нельзя гарантировать равномерность покрытия, столь необходимую для получения равномерной плотности тока, имеется большая опасность повреждения весьма хрупкого меднозакисного слоя.

Настоящее изобретение дает способ, обеспечивающий как равномерность покрытия, так и целость указанного слоя при этой операции. Способ заключается в том, что пластины каким-либо образом, например, при помощи кисточки или пульверизатора, покрываются коллоидным графитом, после чего они высушиваются. Графит, высаживающийся из коллоидального раствора в виде частиц с микроскопическими размерами, вполне обеспечивает требуемое улучшение проводимости.

Предмет изобретения

Способ повышения проводимости меднозакисных выпрямителей, отличающийся тем, что пластины покрывают со стороны оксидного слоя тем или иным образом, например при помощи кисточки или пульверизатора, коллоидным графитом, после чего пластины высушивают.

Эксперт А. П. Серьезнее

Редактор А. М. Сабуреиков

i n,,Сиена . Лак. 1891 — 500 (432) способа повышения проводимости меднозакисных выпрямителей.

К авторскому свидетельству К. В. Стахорского, заявленному 27 августа 1934 года (спр. о перв. Ы 1531á1).

0 выдаче авторского свидетельства опубликовано 28 февраля 1935 года.

Способ повышения проводимости медно-закисных выпрямителей 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к MOS полупроводниковому запоминающему устройству, в частности к полупроводниковому устройству, повышающему высокотемпературную стабильность силицида титана, применяемого для изготовления вентильной линии полицида в DRAM (памяти произвольного доступа)

Изобретение относится к области тонкопленочной технологии и предназначено для использования в микроэлектронике и интегральной оптике

Изобретение относится к полупроводниковой электронике и может быть использовано при изготовлении твердотельных приборов и их электродов
Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано в производстве полупроводниковых приборов и интегральных схем

Изобретение относится к приборам микро- электромеханических систем (МЭМС), в частности к их изготовлению на стандартных пластинах кремния

Изобретение относится к технологии изготовления многоуровневой металлизации интегральных схем

Изобретение относится к полупроводниковой электронике и может быть использовано при формировании металлизации полупроводниковых приборов на основе моносульфида самария с использованием методов термического испарения, магнетронного и ионно-плазменного распыления и др
Наверх